便攜式設備的無線充電消除了對傳統(tǒng)適配器/充電器的需求,本文演示了氮化鎵(GaN)增強模式(e-mode)的優(yōu)勢,已針對無線技術提出了兩種功率放大器拓撲結構中基于MOSFET的HEMT器件根據(jù)AirFuel聯(lián)盟的基準規(guī)格進行動力傳輸。

微信公眾號
加入星計劃,您可以享受以下權益:
GaN e-mode HEMT在無線動力傳遞領域的優(yōu)勢
1.21 MB
公司介紹
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn)領域--高能效、移動性和安全性提供半導體和系統(tǒng)解決方案。 英飛凌專注于迎接現(xiàn)代社會的三大科技挑戰(zhàn): 高能效、 移動性和 安全性,為汽車和工業(yè)功率器件、芯片卡和安全應用提供半導體和系統(tǒng)解決方案。英飛凌的產品素以高可靠性、卓越質量和創(chuàng)新性著稱,并在模擬和混合信號、射頻、功率以及嵌入式控制裝置領域掌握尖端技術。英飛凌的業(yè)務遍及全球,在美國加州苗必達、亞太地區(qū)的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。
前往企業(yè)專區(qū)微信公眾號