硬核科普丨一文看懂系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）

芯片在智慧生活的時(shí)代無(wú)處不在，隨著智能芯片越來(lái)越輕便，芯片也必須更輕薄、更低功耗。

什么是系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）？

系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)是通過(guò)將多個(gè)裸片（Die）及無(wú)源器件整合在單個(gè)封裝體內(nèi)的集成電路封裝技術(shù)。在后摩爾時(shí)代，系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)可以幫助芯片成品增加集成度、減小體積并降低功耗。

具體來(lái)說(shuō)處理芯片、存儲(chǔ)芯片、被動(dòng)元件、連接器、天線等不同功能的器件，被封裝在同一基板上，完成鍵合和加蓋。系統(tǒng)級(jí)封裝完成后提供的模塊，從外觀上看仍然類(lèi)似一顆芯片，卻實(shí)現(xiàn)了多顆芯片聯(lián)合的功能。因此可以大幅降低PCB使用面積和對(duì)外圍器件的依賴(lài)，也為設(shè)備提供更高的性能與更低的能耗。

SiP芯片成品的制造過(guò)程

系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）技術(shù)種類(lèi)繁多，本文以長(zhǎng)電科技雙面塑封SiP產(chǎn)品為例，簡(jiǎn)要介紹SiP芯片成品的制造過(guò)程。

SiP封裝通常在一塊大的基板上進(jìn)行，每塊基板可以制造幾十到幾百顆SiP成品。

無(wú)源器件貼片

倒裝芯片封裝（Flip Chip）貼片——裸片（Die）通過(guò)凸點(diǎn)（Bump）與基板互連

回流焊接（正面）——通過(guò)控制加溫熔化焊料達(dá)到器件與基板間的鍵合

焊線鍵合（Wire Bond）——通過(guò)細(xì)金屬線將裸片與基板焊盤(pán)連接

塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及元器件

裸片與無(wú)源器件貼片

植球——將焊錫球置于基板焊盤(pán)上，用于電氣連接

回流焊接（反面）——通過(guò)控制加溫熔化焊料達(dá)到器件與基板間的鍵合

塑封（Molding）——注入塑封材料包裹和保護(hù)裸片及器件

減薄——通過(guò)研磨將多余的塑封材料去除

BGA植球——進(jìn)行成品的BGA（球柵陣列封裝）植球

切割——將整塊基板切割為多個(gè)SiP成品

SiP芯片成品

通過(guò)測(cè)試后的芯片成品，將被集成在各類(lèi)智能產(chǎn)品內(nèi)，最終應(yīng)用在智能生活的各個(gè)領(lǐng)域。

長(zhǎng)電科技技術(shù)優(yōu)勢(shì)

長(zhǎng)電科技在SiP封裝的優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在3種先進(jìn)技術(shù)：雙面塑形技術(shù)、EMI電磁屏蔽技術(shù)、激光輔助鍵合（LAB）技術(shù)

雙面成型有效地降低了封裝的外形尺寸，縮短了多個(gè)裸芯片和無(wú)源器件的連接，降低了電阻，并改善了系統(tǒng)電氣性能。

對(duì)于EMI屏蔽，長(zhǎng)電科技使用背面金屬化技術(shù)來(lái)有效地提高熱導(dǎo)率和EMI屏蔽。

長(zhǎng)電科技使用激光輔助鍵合來(lái)克服傳統(tǒng)的回流鍵合問(wèn)題，例如CTE不匹配、高翹曲、高熱機(jī)械應(yīng)力等導(dǎo)致可靠性問(wèn)題。

在未來(lái)，長(zhǎng)電科技將持續(xù)推進(jìn)SiP封裝技術(shù)的演進(jìn)，針對(duì)不同技術(shù)應(yīng)用條件和市場(chǎng)需求，從SiP的集成級(jí)別、密度、復(fù)雜性等方面入手，形成更多具有差異化的解決方案。