DDR終端匹配電阻的長度多少合適？

上次我們對不加端接電阻和加端接電阻之后的仿真結果做了分析之后我們得出在DDR采用菊花鏈拓撲結構的時候是需要加端接電阻的，這次我們看看DDR末端的端接電阻距離最后一片DDR遠一點效果好一些還是近一點效果好一些。

本次采用的案例依舊是我們上期的DDR3一拖八正反貼菊花鏈拓撲結構。

我們還是用同樣的方法提取出根地址線A3的拓撲，激勵信號為533MHZ.

把最后一片DDR到終端電阻的距離設置成100mil的時候，可以可能到信號的眼圖相對來說比較清晰，眼寬眼高明顯，信號上沖和下沖較小。

當我們把距離加到300mil之后我們會發(fā)現(xiàn)，信號的過沖和下沖沒有明顯的增大，信號眼圖達標。

在距離為500mil的時候，雖然信號眼圖也能符合要求，但是隨著長度的增加信號的過沖和下沖會繼續(xù)增大。

我們做最后一次仿真，把距離設置為1000mil的時候，可以發(fā)現(xiàn)其結果和我們之前的仿真結果類似，過沖和下沖都有增大，但是在把距離設置成1000mil的時候我們會發(fā)現(xiàn)其改善效果越來越差，信號的眼寬眼高都有一定程度的變窄，

綜上所述，我們可以得出結論，在DDR末端的端接電阻距離最后一片DDR的長度越短越好，越短其信號質(zhì)量越佳，以上仿真我們分別設置了4個不一樣的長度距離，至少在500mil以內(nèi)信號的眼圖沒有太明顯的變化，在實際應用當中我們也是按照通用規(guī)范DDR末端的匹配電阻長度最好控制在500mil以內(nèi)。