捷捷微電——打破進口壁壘的功率半導體先驅，能否引領行業(yè)復蘇？

長期以來，我國功率半導體分立器件行業(yè)整體技術水平較國際先進技術水平有較大差距， 因此，我國功率半導體分立器件下游行業(yè)的知名企業(yè)長期購買和使用國際大型半導體公司的分立器件產(chǎn)品，以確保其產(chǎn)品性能先進、質量穩(wěn)定。晶閘管是我國技術成熟的功率半導體分立器件，行業(yè)內少數(shù)優(yōu)秀企業(yè)已經(jīng)具有較為先進的晶閘管芯片的研發(fā)制造能力。

今日我們?yōu)榇蠹曳治龅谋闶菄鴥裙β拾雽w的核心企業(yè)——捷捷微電。捷捷微電經(jīng)過十幾年的技術累積，現(xiàn)已形成成熟的自主知識產(chǎn)權體系和研發(fā)機制，晶閘管系列產(chǎn)品的技術水平和性能指標已經(jīng)達到了國際大型半導體公司同類產(chǎn)品的水平。公司生產(chǎn)的中高端產(chǎn)品實現(xiàn)替代進口及對外出口上升的趨勢，打破了中國電子元器件領域晶閘管、防護類器件受國外技術制約的局面。

一、公司介紹

1.1、發(fā)展歷程

江蘇捷捷微電子股份有限公司創(chuàng)建于1995年，于2017年3月在創(chuàng)業(yè)板上市，公司是一家專業(yè)從事半導體分立器件、電力電子元器件研發(fā)、制造和銷售的江蘇省高新技術企業(yè)。公司晶閘管系列產(chǎn)品、二極管及防護系列產(chǎn)品采用垂直整合（IDM）一體化的經(jīng)營模式，即集功率半導體芯片設計、制造、器件設計、封裝、測試、終端銷售與服務等縱向產(chǎn)業(yè)鏈為一體。公司 MOSFET采用垂直整合（IDM）一體化的經(jīng)營模式和部分產(chǎn)品委外流片相結合的業(yè)務模式。目前，部分8英寸芯片為委外流片，部分器件封測代工。

1.2、實控人概況

公司實控人黃善兵先生，1956年生，高級經(jīng)濟師，系公司創(chuàng)始人之一，其職業(yè)生涯專注于功率半導體分立器件行業(yè)。黃善兵先生于1974年10月至1995年2月在啟東市晶體管廠工作，先后擔任工人、科長、副廠長。1995年3月，黃善兵先生創(chuàng)立捷捷微電的前身啟東市捷捷微電子有限公司，自設立之日起歷任公司法定代表人、董事長和總經(jīng)理，主要負責公司的經(jīng)營、管理和市場營銷?，F(xiàn)任公司董事長、法定代表人，公司控股股東捷捷投資董事長，捷捷南通科技法定代表人、董事長、捷捷半導體董事長等職。

1.3、主營產(chǎn)品

公司主營產(chǎn)品為各類電力電子器件和芯片，分別為：晶閘管器件和芯片、防護類器件和芯片（包括：TVS、放電管、ESD、集成放電管、貼片Y電容、壓敏電阻等）、二極管器件和芯片（包括：整流二極管、快恢復二極管、肖特基二極管等）、厚膜組件、晶體管器件和芯片、MOSFET器件和芯片、 IGBT器件及組件、碳化硅器件等。

圖|公司主要產(chǎn)品

來源：公司官網(wǎng)

從產(chǎn)品構造劃分，公司主要產(chǎn)品是功率半導體芯片和封裝器件。功率半導體芯片是決定功率半導體分立器件性能的核心，在經(jīng)過后道工序封裝后，成為功率半導體分立器件成品。

1.3.1、晶閘管系列

晶閘管（又稱：可控硅）耐壓高、電流大，主要用于電力變換與控制，可以用微小的信號功率對大功率的電流進行控制和變換，具有體積小、重量輕、耐壓高、容量大、效率高、控制靈敏、使用壽命長等優(yōu)點。

晶閘管的功用不僅是整流，還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電流，實現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等作用。晶閘管的出現(xiàn)，使半導體技術從弱電領域進入了強電領域，成為工業(yè)、交通運輸、軍事科研以至商業(yè)、民用電器等方面廣泛采用的電子元器件。

1.3.2、防護器件系列

半導體防護器件種類較多，主要有半導體放電管（TSS）、瞬態(tài)抑制二極管（TVS）、靜電防護元、器件（ESD）、集成防護器件、Y電容、壓敏電阻等，可應用于儀器儀表、工業(yè)控制、汽車電子、手持終端設備、戶外安防、電腦主機等各類需要防浪涌沖擊、防靜電的電子產(chǎn)品內部，保護內部昂貴的電子電路。由于使用場合廣泛，市場需求量較大，半導體防護器件市場規(guī)模較為穩(wěn)定。

1.3.3、二極管系列

二極管是最常用的電子器件之一，二極管的單向導電特性可以把正弦波的交流電轉變?yōu)槊}動的直流電。用途廣泛，幾乎所有的電路中都有使用到。

公司二極管芯片采用SIPOS+GPP 鈍化工藝，具有高可靠性，三種金屬組合供客戶選擇，主要產(chǎn)品有高耐壓整流二極管、快恢復二極管、肖特基二極管、整流二極管模塊組件等，用于民用電器電源整流、工業(yè)設備電源整流、漏電斷路器、電表、通訊電源、變頻器等應用領域。

1.3.4、MOSFET系列

MOSFET，金屬-氧化物半導體場效應晶體管，一種全控制型半導體功率分立器件，通過柵極電壓的變化來控制輸出電流的大小，并實現(xiàn)開通和關斷，輸入阻抗大、導通電阻小、功耗低、漏電小、工作頻率高，工藝基本成熟，是市場規(guī)模最大的功率分立器件。應用極其廣泛，主要包括電源類和驅動控制類兩大類應用。

公司MOSFET系列產(chǎn)品主要包括中低壓溝槽 MOSFET產(chǎn)品、中低壓分離柵MOSFET產(chǎn)品、中高壓平面VDMOS產(chǎn)品以及超結MOS等產(chǎn)品，廣泛用 于消費電子、通信、工業(yè)控制、汽車電子等領域。

1.3.5、IGBT系列

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極結型晶體管)和MOS(金屬-氧化物場效應晶體 管)組成的復合全控型-電壓驅動式功率半導體器件, 融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點， BJT飽和壓降低及載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低，被稱為是電力電子裝置的“CPU”，高效節(jié)能減排的主力軍。

1.3.6、厚模組件

厚模組件系列產(chǎn)品采用，模塊集成封裝，把可控硅、二極管、MOSFET、IGBT、FRD等芯 片組合成不同的電路拓撲結構；在模塊基礎上集成控制線路，衍生出了固態(tài)繼電器、智能模塊及IPM等功能模塊，主要應用于調溫系統(tǒng)、調光系統(tǒng)、調速等系統(tǒng)；具體應用于軟啟動、 變頻器、無功補償領域。

1.3.7、碳化硅器件

碳化硅肖特基二極管是碳化硅器件之一，具有超快的開關速度，超低的開關損耗，正向壓降(Vf)為溫度特性，易于并聯(lián)，可承受更高耐壓和更大的浪涌電流，用于電動汽車、消費類電子、新能源、軌道交通等領域，主要產(chǎn)品為塑封碳化硅肖特基二極管器件。

1.3.8、其他

功率型開關晶體管及達林頓晶體管，應用于點火器、磁電機等領域，具有良好的可靠性和質量。

圖|公司主要產(chǎn)品類別圖示

來源：公司公告

1.4、下游應用

公司現(xiàn)有國內外知名客戶如海爾集團、中興通訊、正浩創(chuàng)新、三花等在前期使用小批量試用公司產(chǎn)品后，不斷增加對公司產(chǎn)品的采購數(shù)量，現(xiàn)已成為公司重要客戶。公司下游客戶多并分散，應用領域寬泛，行業(yè)占比情況為工業(yè) 36%；消費領域 41%；汽車19%；通信 3%。

圖|公司應用占比

來源：公司公告、與非研究院整理

未來公司將重點拓展三大市場：汽車電子、電源類及工業(yè)類。在汽車電子領域：主要為各類馬達驅動，汽車照明，汽車無線充，汽車鋰電池管理等；電源類領域，主要為太陽能光伏，儲能，充電樁，及重點大客戶功率器件需求等；工業(yè)類領域，主要為高功率馬達驅動，鋰電池管理，逆變器，壓縮機等。

車規(guī)級MOSFET產(chǎn)品

目前可供選擇的車規(guī)級MOSFET產(chǎn)品有137款左右，該領域的產(chǎn)品在持續(xù)研發(fā)更新中。公司已量產(chǎn)百余款車規(guī)級MOSFETS，憑借捷捷微電自有知識產(chǎn)權的JSFET芯片、全銅框架和跳線封裝工藝，性能突出，符合汽車行業(yè)的嚴苛標準，在長期可靠性、封裝尺寸、功率及性能方面均獲得業(yè)內認可，已廣泛應用于國內tier-1汽車零部件供應商的轉向、燃油、潤滑、冷卻等系統(tǒng)。汽車類下游的主要客戶有羅思韋爾、霍尼韋爾、東風科技、埃泰克、科世達等。

1.5、公司產(chǎn)能布局

公司“高端功率半導體器件產(chǎn)業(yè)化項目”自 2022 年 9 月下旬起進入試生產(chǎn)階段，試生產(chǎn)的產(chǎn)品良率符合預期，基本保持在 95%以上，每月出片量約為 8 萬片左右，該項目仍處在產(chǎn) 能爬坡期。

“車規(guī)級”封測產(chǎn)業(yè)化項目 2023 年末已完成 82,509.83 萬元投資額，廠房已封頂，其他基礎及配套正在建設中，建設完成后可達到年產(chǎn) 1900kk 車規(guī)級大功率器件 DFN 系列產(chǎn)品、120kk 車規(guī)級大功率器件 TOLL 系列產(chǎn)品、90kk 車規(guī)級大功率器件 LFPACK 系列產(chǎn)品以及 60kkWCSP 電源器件產(chǎn)品的生產(chǎn)能力，預計達產(chǎn)后可形成 20 億的銷售規(guī)模。

2024 年公司還將繼續(xù)推進“功率半導體‘車規(guī)級’封測產(chǎn)業(yè)化項目”、南通“高端功率半導體器件產(chǎn)業(yè)化項目”（二期）的進展，有望進一步推動高端功率半導體發(fā)展，滿足下游市場需求，擴大市場占有率，完善公司核心“功率半導體器件 IDM”供應鏈的戰(zhàn)略布局。

二、財務分析

2.1、營收和扣非凈利潤情況

圖|營收及增速

來源：與非研究院整理

2011-2023年公司營收保持持續(xù)增長，由1.70億元增長至21.06億元，復合增速24.86%。2024H1公司實現(xiàn)營業(yè)收入12.63億元，較上年同期增長 40.12%。

圖|扣非歸母凈利及增速

來源：與非研究院整理

2011-2021年，公司扣非凈利潤由0.60億元增長至最高值4.59億元，復合增速24.55%，2022-2023年分別下降至3億元、2.04億元，增速分別為-34.54%、-31.98%。

2022年至2023年，公司所處的功率半導體分立器件行業(yè)景氣度有所下滑，市場需求持續(xù)下降，加上國內外宏觀經(jīng)濟環(huán)境的各種不確定性，導致公司項目建設的速度也有所放緩。2024H1扣非凈利潤1.68萬元，較上年同期增加118%，扣非凈利增速實現(xiàn)大幅逆轉。

2024H1，公司晶閘管（芯片+器件）營業(yè)收入2.80 億，同比增加39.01%，占公司 2024年半年度主營業(yè)務收入的22.46%；防護器件（芯片+器件）營業(yè)收入4.03億，同比增加 26.73%，占公司2024年半年度主營業(yè)務收入的32.33%；公司 MOSFET（芯片+器件）營業(yè)收入5.64億，同比增加50.14%，占公司2024年半年度主營業(yè)務收入的 45.21%。

2024H1產(chǎn)品價格和需求方面，晶閘管產(chǎn)品的目前價格趨于穩(wěn)定，訂單飽滿；防護器件目前價格較平穩(wěn)，市場需求有一定的增長；MOSFET目前依然在低位內卷，但是由于原材料的價格波動，估計未來進一步下跌的動力不大。

2.2、分產(chǎn)品情況

圖|國內外收入占比

來源：與非研究院整理

2011-2024H1公司主要營收在國內，海外占比8-10%左右。全球營銷中心的海外團隊在新加坡，隨著海外市場的逐漸擴大，公司會繼續(xù)加大在海外市場的業(yè)務布局。

圖|分產(chǎn)品收入

來源：與非研究院整理

分產(chǎn)品來看，主要貢獻收入的為功率半導體分立器件的收入，2011-2021年營收由1.0億元增至14.3億元，營收占比由55.56%提升至80.60%，2022-2023年營收變化不大，分別為13.9億元、14.6億元，2024H1為8.4億元，營收占比分別為76.24%、69.32%、66.54%，呈現(xiàn)下降態(tài)勢。

功率半導體芯片為第二大營收，2011-2023年營收金額由0.8億元增長至6.1億元，2024H1為4.0億元。2011-2021營收占比由44.22%降低至17.26%，2022-2024H1分別為21.72%、29.00%、31.60%，近3年占比逐步提升。

功率器件及其他業(yè)務收入低于0.2億元占比較小。

圖|收入結構占比

來源：與非研究院整理

2.3、毛利率及凈利率情況

圖|銷售毛利率及凈利率

來源：與非研究院整理

2011-2023年，公司毛利率呈現(xiàn)震蕩下行趨勢，由54%降低至34%，2024H1回升至37%；2011-2023扣非凈利率也是呈現(xiàn)下行趨勢，由35%降低至10%，2024H1回升至13%。

圖|分產(chǎn)品毛利率及凈利率

來源：與非研究院整理

分產(chǎn)品看，2011-2023主要營收功率半導體分立器件毛利率緩慢下降，由49%降低至39%，2024H1回升至41%；2011-2023功率半導體芯片毛利率下降較多，由60%降低至21%，2024H1有所回升至28%。

2.4、研發(fā)投入情況

圖|研發(fā)投入及占營收比例

來源：與非研究院整理

2013-2023年，公司研發(fā)投入逐年增長，由0.09億元增長至2.57億元，研發(fā)支出占營收比例也逐步提升，分別為4.72%、4.37%、5.17%、5.40%、4.86%、4.85%、5.52%、7.36%、7.42%、11.68%、12.21%。2024H1研發(fā)投入1.34億元，較上年同期增加9.40%。

圖|研發(fā)人員數(shù)量及占比

來源：與非研究院整理

2017-2023年，研發(fā)人員數(shù)量分別為81人、100人、120人、208人、268人、385人、400人，研發(fā)人員數(shù)量占比分別為11.05%、11.52%、12.64%、16.26%、20.80%、19.03%、17.30%。

公司核心研發(fā)團隊穩(wěn)定，核心的技術團隊長期從事電力電子技術等研究與開發(fā)工作，在產(chǎn)品技術創(chuàng)新與協(xié)同、生產(chǎn)工藝優(yōu)化與升級、產(chǎn)品開發(fā)與成果轉化等具有豐富的經(jīng)驗。公司將繼續(xù)深入推進研發(fā)體系改革，繼續(xù)加強同中科院微電子研究所、西安電子科技大學、東南大學（無錫分校）、華東師范大學、湖南大學、南通大學等深層次“產(chǎn)學研” 合作。

公司現(xiàn)共獲得授權專利160項，其中發(fā)明專利26項，實用型新專利133項；外觀專利1項。已受理發(fā)明專利 107項，受理實用新型專利16項目。

三、總結

半導體行業(yè)正在處于明顯的復蘇階段，晶閘管和防護產(chǎn)品價格已經(jīng)趨于穩(wěn)定。從公司2024H1的財務表現(xiàn)來看，公司也是扭轉了2022-2023連續(xù)2年凈利下滑的不利局面，凈利潤增長表現(xiàn)亮眼。目前在手訂單飽滿，公司的業(yè)績正常情況是下半年好于上半年的。

捷捷微電憑借在功率半導體芯片和器件上多年積累，在工業(yè)和消費領域取得重要地位，隨著募集項目的2024年的推進，未來將持續(xù)發(fā)力汽車電子、新能源等相關領域應用。根據(jù)公司計劃產(chǎn)值估算，將會再造一個捷捷微電。