光刻工序常見術(shù)語(yǔ)中英文對(duì)照（1）

在半導(dǎo)體制造中會(huì)使用很多英文詞匯，而英文詞匯在翻譯為漢語(yǔ)的過程中，意思往往會(huì)出現(xiàn)偏差，后面的幾期，Tom會(huì)針對(duì)幾大工序中常見的半導(dǎo)體術(shù)語(yǔ)做一個(gè)歸納總結(jié)，有些術(shù)語(yǔ)會(huì)做必要的解釋。

1，alignment：對(duì)準(zhǔn)

2，ARC：抗反射層，其中BARC是底部抗反射層，TARC是頂部抗反射層，見文章：芯片制造中的抗反射層（TRAC&BRAC）

3，bake，oven：烘烤，soft bake是軟烘，勻膠之后，hard bake是后烘，顯影之后，PEB是曝光后烘烤

4，CCD：charge coupled device，電荷耦合陣列成像探測(cè)器

5，CD：critical dimension，特征尺寸，即線寬，芯片上最小尺寸

6，contrast：對(duì)比度

7，developer dispense：噴淋式顯影

8，DI water：去離子水

9，DOF：Depth of Focus，焦深

10，DUV：deep ultraviolet，深紫外線

11，EBR：edge bead removal，邊緣膠去除

12，EUV：extremely ultra-violet，極紫外

13，Exposure：曝光

14，gap：間隙

15，G/H/i line：G線，H線，i線，波長(zhǎng)分別為436nm，405nm，365nm

16，HMDS：六甲基二硅氮烷，見文章：氣相 HMDS工序介紹

17，hydrophobicity：疏水性

18，LWR：線寬粗糙度

19，leveling：找平

20，MEF：mask error factor，掩膜板誤差因子，在硅片上曝出的線寬對(duì)掩膜板線寬的偏導(dǎo)數(shù)

21，metrology：量測(cè)

22，NA：Numerical Aperture，數(shù)值孔徑，

23，Overlay Accuracy：套刻精度

24，PAG：光酸產(chǎn)生劑

25，pellicle：掩膜板保護(hù)膜

26，Photolithography：光刻

27，photoresist，resist：光刻膠

28，puddle：顯影液在晶圓表面停留

29，reticle，mask，photomask：掩膜版，光罩

30，resolution：光刻的分辨率

31，rinse：清洗

32，shot：曝光區(qū)域

33，sidewall angle：側(cè)墻傾斜度

34，slit：狹縫

35，standing wave：駐波

36，step-and-repeat：步進(jìn)分塊曝光

37，step-and-scan：步進(jìn)分塊掃描曝光

38，spin dry：甩干

39，thickness：厚度

40，undercut：內(nèi)切

41，UV：紫外線（光）

42，wave length：波長(zhǎng)

由于篇幅有限，今天先總結(jié)到這里，下期繼續(xù)總結(jié)。

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