• 正文
    • 1. DUT的定義和作用
    • 2. DUT在不同測試階段的角色
    • 3. DUT測試中的參數(shù)與方向約定
    • 4. DUT的關(guān)鍵測試項(xiàng)目
    • 5. 測試工程師的任務(wù)與挑戰(zhàn)
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如何理解芯片測試中的DUT?

2024/11/11
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理解并深入掌握DUT(Device Under Test,被測器件)在集成電路測試中的概念是非常關(guān)鍵的,因?yàn)镈UT是整個(gè)測試過程中直接與ATE(自動(dòng)化測試設(shè)備)交互的對(duì)象。

1. DUT的定義和作用

DUT,即被測器件,指在測試過程中被測量、分析或驗(yàn)證性能的集成電路或電子組件。在集成電路測試領(lǐng)域,DUT通常是芯片或特定模塊,ATE將對(duì)其施加各種電壓、電流信號(hào),以檢查其在特定條件下是否能夠按設(shè)計(jì)預(yù)期工作。

2. DUT在不同測試階段的角色

DUT在不同測試階段的測試需求各不相同,主要包括:

實(shí)驗(yàn)室數(shù)據(jù)分析測試:在此階段,DUT通過ATE進(jìn)行深度特性分析,例如頻率響應(yīng)、噪聲特性等。測試工程師通過精確控制和調(diào)節(jié)測試參數(shù),來獲得芯片的理想特性數(shù)據(jù)。

老化測試:用于模擬DUT在長期工作或極端環(huán)境下的性能穩(wěn)定性,通常包括高溫、高濕、高壓等條件的測試。

封裝測試:對(duì)封裝后的DUT進(jìn)行功能性和結(jié)構(gòu)性測試,確保封裝工藝對(duì)芯片性能無不良影響。

量產(chǎn)測試:在批量生產(chǎn)階段,DUT的測試更關(guān)注于效率和合格率,確保每個(gè)器件的關(guān)鍵性能符合設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn),保證產(chǎn)品一致性。

3. DUT測試中的參數(shù)與方向約定

在集成電路測試中,DUT的測試通常涉及電流、電壓、時(shí)間等關(guān)鍵參數(shù)。以下是常見的方向性約定:

電流方向:在ATE中,電流流出為正,流入為負(fù);在DUT中則相反,流入為正,流出為負(fù)。

電壓參考方向:整個(gè)測試電路中的電壓高于參考地(如GND)為正,低于參考地為負(fù)。

數(shù)字電路邏輯:通常采用正邏輯,1為高電平,0為低電平;高電平表示H(高),低電平表示L(低)。ATE的高電平信號(hào)即為DUT的高電平輸入,同理,ATE的低電平對(duì)應(yīng)DUT的低電平輸入。

4. DUT的關(guān)鍵測試項(xiàng)目

測試工程師通過編寫ATE測試程序,精確控制ATE在DUT的各引腳上施加不同電壓、電流及頻率的信號(hào),以檢測芯片特性。常見的測試項(xiàng)目包括:

直流測試(DC Test):包括靜態(tài)電流(如IDDQ)測量、電壓測量等,用于檢測芯片的靜態(tài)功耗及電平特性。

交流測試(AC Test):通過施加交流信號(hào),測試DUT的動(dòng)態(tài)性能,如上升時(shí)間、下降時(shí)間、傳播延遲等。

功能測試(Functional Test):驗(yàn)證DUT的邏輯功能是否符合設(shè)計(jì)預(yù)期。

參數(shù)測試(Parametric Test):檢查DUT的各種電性參數(shù)是否在規(guī)定的容差范圍內(nèi)。

5. 測試工程師的任務(wù)與挑戰(zhàn)

測試工程師在DUT測試過程中,除了編寫ATE測試程序,還需要設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)臏y試夾具,調(diào)試ATE參數(shù),分析測試數(shù)據(jù)。這些都要求工程師具備電子電路知識(shí)、ATE操作能力、編程技巧以及數(shù)據(jù)分析經(jīng)驗(yàn)。測試工程師需要不斷優(yōu)化測試程序,以提高測試效率和覆蓋率,并降低誤測率,從而為量產(chǎn)提供穩(wěn)定的質(zhì)量保障。

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