芯耀
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作者 |??ZeR0，編輯?|??漠影
神秘的明星半導(dǎo)體設(shè)備創(chuàng)企首秀，連發(fā)5款新品。
芯東西3月26日?qǐng)?bào)道，今日，SEMICON China大會(huì)第一天，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備商們展臺(tái)人潮洶涌，熱度爆棚，跟上海今天的溫度一樣火熱。
國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭北方華創(chuàng)發(fā)布首款12英寸電鍍?cè)O(shè)備（ECP）Ausip T830，正式進(jìn)軍電鍍?cè)O(shè)備市場(chǎng)，并在先進(jìn)封裝領(lǐng)域構(gòu)建了包括刻蝕、去膠、PVD、CVD、電鍍、PIQ 和清洗設(shè)備的完整互連解決方案。Ausip T830設(shè)備突破30多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，電鍍膜厚均勻性滿足客戶要求，能夠有效填充孔直徑2-12微米，孔深16-120微米的多種孔型產(chǎn)品。
背靠深圳國資委的國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備新銳創(chuàng)企新凱來，展臺(tái)更是火爆，首次展示其工藝裝備、量檢測(cè)裝備等全系列產(chǎn)品，并發(fā)布外延沉積設(shè)備EPI（峨眉山）、原子層沉積設(shè)備ALD（阿里山）、物理氣相沉積設(shè)備PVD（普陀山）、刻蝕設(shè)備ETCH（武夷山）、薄膜沉積設(shè)備CVD（長白山）等5款新品：
EPI（峨眉山）：專攻先進(jìn)制程及第三代半導(dǎo)體。
ALD（阿里山）：支持5nm及更先進(jìn)制程。
PVD（普陀山）：金屬鍍膜精度微米級(jí)，已進(jìn)入中芯國際驗(yàn)證階段。
ETCH（武夷山）：聚焦第三代半導(dǎo)體刻蝕。
CVD（長白山）：適配5nm，兼容多種制程節(jié)點(diǎn)。
新凱來總部位于深圳，核心團(tuán)隊(duì)具備20年以上電子設(shè)備技術(shù)開發(fā)經(jīng)驗(yàn)，致力于先進(jìn)半導(dǎo)體工藝裝備、量檢測(cè)裝備的開發(fā)與制造，在上海、北京、西安、武漢、成都、杭州等國內(nèi)城市以及海外設(shè)有研發(fā)中心，建立了基礎(chǔ)材料工藝-零部件-裝備的端到端研發(fā)體系，服務(wù)邏輯、DRAM、NAND等客戶。該公司用山來命名各產(chǎn)品線：
擴(kuò)散產(chǎn)品：EPI（峨眉山）、RTP（三清山）
刻蝕產(chǎn)品：ETCH（武夷山）
薄膜產(chǎn)品：PVD（普陀山）、ALD（阿里山）、CVD（長白山）
光學(xué)檢測(cè)產(chǎn)品：BFI（岳麓山）、DFI（丹霞山）、PC（蓬萊山）、MBI（莫干山）
光學(xué)量測(cè)產(chǎn)品：DBO（天門山）、IBO（天門山）
PX量測(cè)產(chǎn)品：AFM（祁蒙山）、XP XPS（赤壁山）、XD XRD（赤壁山）、XF XRF（赤壁山）
功率檢測(cè)產(chǎn)品：RATE-CP、RATE-KGD、RATE-FT
以下是其工藝裝備和量檢測(cè)裝備兩大產(chǎn)品線介紹：
01.18類工藝裝備：刻蝕、擴(kuò)散、薄膜沉積
新凱來的工藝裝備包括18類產(chǎn)品，其中刻蝕產(chǎn)品包括4款ETCH（武夷山），擴(kuò)散產(chǎn)品包括3款EPI（峨眉山）、3款RTP（三清山），薄膜產(chǎn)品包括3款PVD（普陀山）、3款A(yù)LD（阿里山）、2款CVD（長白山）。
1、ETCH（武夷山）：12英寸刻蝕設(shè)備ETCH（武夷山）包括4款，分別是武夷山1號(hào)（介質(zhì)精細(xì)化刻蝕）、武夷山2號(hào)（高深寬比介質(zhì)孔刻蝕）、武夷山3號(hào)（硅&金屬精細(xì)化刻蝕）、武夷山5號(hào)（高選擇比刻蝕）。其中武夷山1號(hào)是電容耦合等離子體（CCP）干法刻蝕設(shè)備，腔室采用全對(duì)稱架構(gòu)設(shè)計(jì)，整機(jī)可配置6個(gè)工藝腔（PM），滿足先進(jìn)節(jié)點(diǎn)各類精細(xì)介質(zhì)刻蝕場(chǎng)景需求，適用工藝包括接觸孔刻蝕、硬掩膜刻蝕、雙大馬士革工藝等，適用材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等。武夷山3號(hào)為電感耦合等離子體（ICP）干法刻蝕設(shè)備，全對(duì)稱、高流導(dǎo)架構(gòu)設(shè)計(jì)，整機(jī)可配置6個(gè)工藝腔（PM），腔室特點(diǎn)包括高同步、百區(qū)ESC、定制化射頻解決方案等，可滿足先進(jìn)節(jié)點(diǎn)各類精細(xì)硅及金屬刻蝕場(chǎng)景需求，適用工藝包括柵極刻蝕、多重圖形、鰭刻蝕等，適用材料包括硅、鍺硅、氮化鈦等。武夷山5號(hào)為自由基干法刻蝕沒備，氧化硅及硅選擇性刻蝕組合解決方案，單腔設(shè)計(jì)，整機(jī)可配置6個(gè)工藝腔（PM），滿足先進(jìn)節(jié)點(diǎn)高選擇性刻蝕場(chǎng)景需求，適用工藝包括偽柵去除、無定形硅去除、源漏極回刻等，適用材料包括硅、緒硅、氧化硅、氮化硅等。
2、EPI（峨眉山）：12英寸單片減壓外延生長設(shè)備峨眉山采用創(chuàng)新架構(gòu)設(shè)計(jì)，全面覆蓋邏輯及存儲(chǔ)外延等應(yīng)用場(chǎng)景，支持向未來先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)。（1）峨眉山1號(hào)：源漏極鍺硅外延工藝，硼摻雜鍺硅，硼摻雜鍺硅鎵等材料。（2）峨眉山2號(hào)：源漏極磷硅外延工藝，磷硅、磷硅砷等材料。（3）峨眉山3號(hào)：溝道外延、超晶格疊層外延、埋層外延工藝，鍺硅、純硅、純鍺等材料。該產(chǎn)品采用多分區(qū)溫控和流控系統(tǒng)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)熱流場(chǎng)精準(zhǔn)調(diào)控，有效提高外延膜層均勻性；創(chuàng)新小腔室架構(gòu)設(shè)計(jì)，搭配智能調(diào)度算法，實(shí)現(xiàn)資源高效利用，大幅降低運(yùn)營成本。其核心部件自主可控，與系統(tǒng)設(shè)計(jì)高度匹配，可達(dá)到最佳性能組合，有效提升設(shè)備穩(wěn)定性。
3、RTP（三清山）：12英寸單片退火設(shè)備RTP（三清山）系列包括3款，分別是三清山1號(hào)（超薄致密硅氧生長）、三清山2號(hào)（超淺源漏尖峰退火）、三清山3號(hào)（超快阱激活）。（1）三清山1號(hào)：12英寸單片柵極氧化/氮化設(shè)備三清山1號(hào)覆蓋氧化/氮化/退火等邏輯及存儲(chǔ)應(yīng)用場(chǎng)景，具備精準(zhǔn)溫度控制和等離子體控制能力，適用工藝包括淺溝槽氧化、柵氧生長、高K材料退火、鈦硅化物退火、ALD柵氧致密化等。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括：采用智能溫控算法及微米級(jí)精度磁懸浮技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高均勻性氧化及退火工藝；低占空比射頻技術(shù)、高精度檢測(cè)技術(shù)及毫秒級(jí)匹配算法，支持低損傷淺表面氮化工藝；器件級(jí)同步技術(shù)及毫秒級(jí)控制環(huán)路技術(shù)，提升片間重復(fù)性；智能凋度算法及高效傳輸系統(tǒng)，大幅提升設(shè)備產(chǎn)能。（2）三清山2號(hào)：12英寸單片超快尖峰退火設(shè)備三清山2號(hào)覆蓋尖峰退火/超快尖峰退火等邏輯及存儲(chǔ)應(yīng)用場(chǎng)最，具備大行程磁懸浮升降運(yùn)動(dòng)控制及背照式退火能力，適用工藝包括輕摻雜源漏退火、源漏退火、高K材料蓋帽層退火等。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：大行程磁懸浮升降技術(shù)及高吸收選擇性反射板設(shè)計(jì)，有效降低尖峰退火工藝熱預(yù)算；非對(duì)稱式多區(qū)邊緣補(bǔ)償技術(shù)及智能溫控算法，實(shí)現(xiàn)高均勻性退火工藝；器件級(jí)同步技術(shù)及毫秒級(jí)控制環(huán)路技術(shù)，提升片間重復(fù)性；智能開環(huán)溫控算法及自適應(yīng)熱預(yù)算匹配設(shè)計(jì)，大幅提升工藝開發(fā)效率。（3）三清山3號(hào)：12英寸單片均溫/尖峰退火設(shè)備三清山3號(hào)覆蓋均溫退火/尖峰退火等邏輯及存儲(chǔ)應(yīng)用場(chǎng)景，具備低熱預(yù)算調(diào)控及超低溫退火能力，使用工藝包括阱退火、深N阱退火、源漏退火、鈷硅化物退火、鎳硅化物退火等。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：高吸收選繹性反射板設(shè)計(jì)及近表面氮冷流場(chǎng)控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)低熱預(yù)算靈活調(diào)控；輻射式超低溫測(cè)溫技術(shù)及選擇性透射石英窗技術(shù)，實(shí)觀超低溫退火工藝；器件級(jí)同步技術(shù)及毫秒級(jí)控制環(huán)路技術(shù)，提升片間重復(fù)性。
4、PVD（普陀山）：12英寸物理氣相沉積設(shè)備PVD（普陀山）包括3款設(shè)備，分別是普陀山1號(hào)（金屬平面膜沉積）、普陀山2號(hào)（中道金屬接觸層及硬掩膜沉積）、普陀山3號(hào)（后道金屬互連沉積）。普陀山1號(hào)適用于邏輯、存儲(chǔ)及先進(jìn)封裝等主流半導(dǎo)體金屬平面膜應(yīng)用場(chǎng)景，鍵膜均勻性高，同時(shí)具備高產(chǎn)能與高穩(wěn)定性。（1）普陀山1號(hào)AIOx：刻蝕阻擋層工藝，氮化鋁材料。（2）普陀山1號(hào)TTN：襯墊層、擴(kuò)散阻擋層、硬掩模等工藝，鈦、氮化鈦等材料。（3）普陀山1號(hào)SiN：DRAM位線電極封蓋層工藝，氮化硅材料。（4）普陀山1號(hào)W：DRAM位線工藝，鎢材料。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：全靶腐蝕算法搭配創(chuàng)新磁控濺射技術(shù)，顯著提升膜層均勻性和靶材利用率；智能調(diào)度算法，提升多腔集成系統(tǒng)產(chǎn)能；創(chuàng)新人機(jī)交互界面，操作簡(jiǎn)單。普陀山2號(hào)適用于邏輯、存儲(chǔ)等主流半導(dǎo)體中道金屬接觸層及硬掩膜等應(yīng)用場(chǎng)景，顆粒缺陷低，同時(shí)具備高性能與高穩(wěn)定性。（1）普陀山2號(hào)TiSi：中道金屬硅化物工藝，鈦、氮化鈦等材料。（2）普陀山2號(hào)Co Seed：中道鈷種子層，鈷、氮化鈦等材料。（3）普陀山2號(hào)VHF TiN：中后道硬掩膜，氮化鈦材料。其產(chǎn)品特點(diǎn)：高離化率射頻等離子體技術(shù)，搭配卡盤偏壓智能調(diào)控設(shè)計(jì)，確保卓越臺(tái)階覆蓋率；創(chuàng)新甚高頻射頻源極架構(gòu)，融合自適應(yīng)抑弧算法，大幅減少Arcing和Particle；全流程磁控管設(shè)計(jì)快速迭代，高效適配客戶工藝開發(fā)需求。普陀山3號(hào)適用于邏輯、存儲(chǔ)和先進(jìn)封裝等主流半導(dǎo)體后道金屬互連場(chǎng)景，架構(gòu)領(lǐng)先，填孔品質(zhì)優(yōu)異，支持向未來先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，適用工藝包括后道金屬互連，使用材料包括鉭、氮化鉭、鈷、銅等。其產(chǎn)品特點(diǎn)：多重電磁調(diào)控與高離化自電離等離子體技術(shù)，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量金屬填孔；創(chuàng)新磁控管軌跡規(guī)劃和新型烘烤燈設(shè)計(jì)，實(shí)觀全靶腐蝕與快速復(fù)機(jī)，助力客戶降低運(yùn)營成本；10個(gè)主腔體配置，平臺(tái)架構(gòu)靈活應(yīng)對(duì)多元應(yīng)用場(chǎng)景，一代設(shè)計(jì)支持多代制程。
5、ALD（阿里山）：12英寸原子層沉積設(shè)備ALD（阿里山）設(shè)備有3款，分別是阿里山1號(hào)（PEALD，高保形性介質(zhì)薄膜原子層沉積）、阿里山2號(hào)（Thermal ALD，介質(zhì)刻蝕阻擋層薄膜沉積）、阿里山3號(hào)（Metal ALD，高深寬比金屬柵極原子層沉積）。阿里山1號(hào)搭配五邊形平臺(tái)和Twin腔領(lǐng)先架構(gòu)，覆蓋先進(jìn)邏輯/存儲(chǔ)前中后段介質(zhì)薄膜應(yīng)用場(chǎng)景，滿足圖形化，超薄薄膜，超高深寬比gap fill需求。其適用工藝包括多重曝光、柵氧化層、刻蝕阻擋層、超高深寬比填充層，適用材料包括低溫氧化硅、高溫氧化硅、高質(zhì)量氧化硅、氧化鈦、氮化硅等。阿里山1號(hào)的特點(diǎn)包括：超高速射頻匹配以及毫秒級(jí)采樣控制系統(tǒng)，保障成膜穩(wěn)定性和一致性；小體積腔室+快速換氣，提高等離子體密度，確保高速、高均勻性薄膜沉積；高精度控溫花灑，降低Particle，提升MTBC；高集成化腔室+高速Wafer傳輸系統(tǒng)設(shè)計(jì)，增加Station密度，提高WPH。阿里山2號(hào)具備單腔4-Station領(lǐng)先架構(gòu)，覆蓋先進(jìn)邏輯刻蝕阻擋層薄膜應(yīng)用場(chǎng)景，支持向未來先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，適用工藝包括刻蝕阻擋層，適用材料包括氮化鋁、氧化鋁等。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：高均勻流熱場(chǎng)腔室設(shè)計(jì)保障成膜均勻性；高精度射頻系統(tǒng)搭配Sequential Process工藝模式保障成膜一致性；單腔4-Station先進(jìn)架構(gòu)搭配智能凋度算法保障生產(chǎn)穩(wěn)定高效；高均勻溫控花灑，腔室全量吹掃功能，延長腔室PM周期。阿里山3號(hào)可全面覆蓋邏組和存儲(chǔ)金屬原子層沉積應(yīng)用場(chǎng)景，具備創(chuàng)新架構(gòu)和領(lǐng)先性能，多種工藝高度集成，金屬柵極全場(chǎng)景覆蓋。（1）阿里山3號(hào)NWF：金屬柵N功函數(shù)層（含蓋帽層）工藝，鈦鋁、氮化鈦等材料。（2）阿里山3號(hào)HK Cap：高介電常數(shù)介質(zhì)蓋帽層（含尖峰退火）工藝，鈦硅氮材料。（3）阿里山3號(hào)：金履柵P功函數(shù)層工藝，氮化硅材料。（4）阿里山3號(hào)：刻蝕阻擋層工藝，氮化鉭材料。（5）阿里山3號(hào)：金屬柵極填充工藝，鎢材料。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：高均勻流熱場(chǎng)設(shè)計(jì)，保障成膜均勻性；智能調(diào)度算法、毫秒級(jí)控制系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品一致性、穩(wěn)定性；快速換氣、零死區(qū)設(shè)計(jì)，減少Particle，提升MTBC；更大的工藝窗口，更卓越的性能與良率。
6、CVD（長白山）：12英寸化學(xué)氣相淀積設(shè)備CVD（長白山）有2款設(shè)備，分別是長白山1號(hào)（PECVD，介質(zhì)薄膜沉積）和長白山3號(hào)（高保形性&選擇性金屬薄膜沉積）。長白山1號(hào)具備單腔4-Station領(lǐng)先架構(gòu)，全面覆蓋還輯及存儲(chǔ)介質(zhì)薄膜多種工藝，適用工藝包括擴(kuò)散阻擋層、抗反射層、硬掩膜層、層間介質(zhì)層、鈍化保護(hù)層等，適用材料包括摻雜碳化硅、摻氮氧化硅、摻碳氧化硅、非晶硅、氮化硅、氧化硅、氟化玻璃等。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：高均勻流熱場(chǎng)腔室設(shè)計(jì)保障成膜均勻性；高精度射頻系統(tǒng)搭配Sequential Process工藝模式保障成膜一致性；單腔4-Station先進(jìn)架構(gòu)搭配智能調(diào)度算法保障生產(chǎn)穩(wěn)定高效；寬范圍工藝位可調(diào)、寬RF系統(tǒng)匹配能力，滿足多種制程工藝需求。長自山3號(hào)全面覆蓋邏輯和存儲(chǔ)金屬化學(xué)氣相沉積應(yīng)用場(chǎng)景，具備創(chuàng)新架構(gòu)和領(lǐng)先性能，多種工藝高度集成。（1）長白山3號(hào)Co：后段Cu覆蓋層工藝，鈷材料。（2）長白山3號(hào)Sel W：中段Via填充層工藝，鎢材料。（3）長白山3號(hào)W：金屬柵層W填充、中段Via填充層工藝，鎢材料。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：創(chuàng)新架構(gòu)提供更大工藝窗口，確保卓越性能與質(zhì)量；穩(wěn)定可靠晶座、防Arcing和零死區(qū)混氣設(shè)計(jì)，保證工藝一致性、長期穩(wěn)定；智能調(diào)度算法與毫秒級(jí)控制系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定生產(chǎn)和高效產(chǎn)出。
02.13類量檢測(cè)裝備：光學(xué)量檢測(cè)、光學(xué)量測(cè)、PX量測(cè)、功率檢測(cè)
新凱來已完成13類關(guān)鍵量檢測(cè)產(chǎn)品開發(fā)，并在國內(nèi)邏輯、存儲(chǔ)和化合物的主要半導(dǎo)體制造企業(yè)開始量產(chǎn)應(yīng)用。
1、BFI（岳麓山）：明場(chǎng)有圖案晶圓缺陷檢測(cè)產(chǎn)品BFI產(chǎn)品采用自研深紫外寬譜等離子體光源、大NA物鏡和高速探測(cè)器，為邏輯、存儲(chǔ)客戶提供高靈敏度、高產(chǎn)率、高檢出率的有圖案晶圓納米級(jí)缺陷檢測(cè)解決方案。其應(yīng)用場(chǎng)景覆蓋研發(fā)獨(dú)特缺陷和量產(chǎn)良率關(guān)鍵缺陷檢測(cè)，包括但不限于橋接、斷線、顆粒、殘留、劃痕和欠蝕；光刻工藝參數(shù)優(yōu)化，包括但不限于光學(xué)鄰近效應(yīng)修正迭代、光刻窗口鑒別。岳麓山產(chǎn)品有四大特點(diǎn)：（1）高產(chǎn)率：高功率照明，大視場(chǎng)，高速探測(cè)器。（2）高靈敏度：深紫外光源，大NA物鏡，高動(dòng)態(tài)范圍成像。（3）高檢出率：高精準(zhǔn)定位，先進(jìn)缺陷檢測(cè)算法。（4）高適應(yīng)性：多種光學(xué)模式覆蓋前、中、后道各種關(guān)鍵類型缺陷。
2、DFI（丹霞山）：暗場(chǎng)有圖案晶圓缺陷檢測(cè)產(chǎn)品DFI產(chǎn)品采用自研大NA三通道收集物費(fèi)和大功率深紫外連續(xù)激光，為邏輯、存儲(chǔ)客戶提供高靈敏度、低損傷、高產(chǎn)率的有圖案晶圓納米級(jí)缺陷檢測(cè)解決方案。其應(yīng)用場(chǎng)景包括：全場(chǎng)景高靈敏、高檢出隨機(jī)缺陷檢測(cè)；在線光刻顯影后缺陷檢測(cè)；工藝設(shè)備狀態(tài)監(jiān)控。丹霞山的產(chǎn)品特點(diǎn)包括：（1）高靈敏度：大功率深紫外連續(xù)激光，兼顧高散射效率與低損傷優(yōu)勢(shì)。（2）高檢出率：大NA三通道缺陷散射信號(hào)收集，檢出率高。（3）高適應(yīng)性：高性能算法，獨(dú)特的通道融合降低晶圓圈形噪聲。（4）高產(chǎn)率：高速、高精度探測(cè)器，優(yōu)異的整機(jī)動(dòng)力學(xué)。
3、PC（蓬萊山）：無圖案晶圓表面缺陷檢測(cè)產(chǎn)品PC產(chǎn)品采用自研低噪聲探測(cè)器、高功率深紫外激光、高速旋轉(zhuǎn)臺(tái)，為IC廠、晶圓、設(shè)備、材料的研發(fā)與量產(chǎn)提供高產(chǎn)率、極致靈敏度的無圖案缺陷檢測(cè)解決方案。應(yīng)用場(chǎng)景包括晶圓出貨及進(jìn)貨質(zhì)量檢查；鍍膜工藝研發(fā)及監(jiān)控，包括但不限于外延、氧化物、氮化物、金屬、光刻膠等；工藝設(shè)備日常顆粒監(jiān)控。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：（1）高靈敏度&高產(chǎn)率：低噪聲探測(cè)器，高性能光學(xué)系統(tǒng)，像素級(jí)融合算法。（2）高適應(yīng)性：多種偏振、光闌等光學(xué)模式，支撐各類膜層檢測(cè)。（3）高檢出率：多重檢測(cè)算法，通道融合，機(jī)器學(xué)習(xí)。（4）多維數(shù)據(jù)分析：智能化缺陷來源定位，高效控片管理。
4、MBI（莫干山）：空白掩模缺陷檢測(cè)產(chǎn)品MBI產(chǎn)品采用自研大NA三通道物鏡，超高潔凈控制等技術(shù)，為客戶提供高員教度、高檢出率和高產(chǎn)率的全場(chǎng)最空白掩模敏路檢測(cè)解決方案。其應(yīng)用場(chǎng)景包括掩模基板廠和光罩廠工藝過程控制、出貨檢、來料檢和設(shè)備顆粒監(jiān)控；支持掩?；?、掩模背面、鍍膜層和光刻膠全場(chǎng)景檢測(cè)；覆蓋顆粒、污染、凸起、凹坑和劃痕等多種缺陷類型。莫干山的產(chǎn)品特點(diǎn)包括：（1）高靈敏度&高產(chǎn)率：大NA三通道收集物鏡，高均勻性照明，高速探測(cè)器。（2）高檢出率：自適應(yīng)閾值及多通道融合算法。（3）高潔凈度：超高潔凈度控制技術(shù)，極低發(fā)塵率材料及運(yùn)動(dòng)部件設(shè)計(jì)。（4）高適應(yīng)性：照明與收集偏振調(diào)制，具備傅里葉濾波的周期性圖形掩模檢測(cè)能力。
5、DBO（天門山）：衍射套刻量測(cè)產(chǎn)品DBO產(chǎn)品采用自研高亮寬譜光源、大NA物鏡和低噪聲探測(cè)髁，為客戶提供高產(chǎn)率、高精度和高重復(fù)性的套刻量測(cè)解決方案。其應(yīng)用場(chǎng)景包括邏輯和存儲(chǔ)顯影后套刻量測(cè)，SWL、 MWL、 XYS等多種量測(cè)模式，多種量測(cè)標(biāo)記。天門山的產(chǎn)品特點(diǎn)：（1）高產(chǎn)率：高亮光源，高速濾波，多波長產(chǎn)率高。（2）高精度＆高重復(fù)性：對(duì)稱光路設(shè)計(jì)，多模態(tài)照明模式。（3）高適應(yīng)性：近紅外波段拓展，自適應(yīng)套刻算法。（4）智能高效：自動(dòng)菜單創(chuàng)建，全局快速量測(cè)條件尋優(yōu)。（5）端到端解決方案：標(biāo)記設(shè)計(jì)，套刻數(shù)據(jù)分析，無縫集成工藝閉環(huán)控制。
6、IBO（天門山）：圖形套刻量測(cè)產(chǎn)品IBO產(chǎn)品采用自研高亮寬譜光源、高像質(zhì)物鏡和低噪聲深測(cè)器，樹立高產(chǎn)率、高精度和高重復(fù)性的圖形套刻量測(cè)標(biāo)桿。其應(yīng)用場(chǎng)景包括廣泛工藝的顯影后套刻量測(cè)，SG、DG、XYS、CPL等多種量測(cè)模式，多種量測(cè)標(biāo)記。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：（1）高產(chǎn)率：高亮光源，混合自動(dòng)對(duì)焦架構(gòu)，提供更高產(chǎn)率。（2）高精度&高重復(fù)性：寬光譜連續(xù)濾波，高量測(cè)信噪比。（3）高適應(yīng)性：近紅外波段拓展，自適應(yīng)套刻算法。（4）智能高效：自動(dòng)菜單創(chuàng)建，全局快速量測(cè)條件尋優(yōu)。（5）端到端解決方案：標(biāo)記設(shè)計(jì)，套刻數(shù)據(jù)分析，無縫集成工藝閉環(huán)控制。
7、AFM（沂蒙山）：原子力顯微鏡量測(cè)產(chǎn)品AFM產(chǎn)品具備全自動(dòng)表面形貌和結(jié)構(gòu)量測(cè)能力，為客戶提供高產(chǎn)率、高精度和高可靠的亞納米級(jí)至毫米級(jí)量測(cè)解決方案。其應(yīng)用場(chǎng)景包括：邏輯、存儲(chǔ)、化合物和封裝的平坦化、干/濕法刻蝕、沉積和擴(kuò)散等工藝后的量測(cè)；粗糙度、淺孔、尺寸、平面度、凹陷/腐蝕、臺(tái)階、晶粒和粘附力等多樣化量測(cè)；AFM與臺(tái)階儀二合一，擴(kuò)展臺(tái)階量測(cè)至毫米級(jí)。沂蒙山的產(chǎn)品特點(diǎn)包括：（1）高產(chǎn)率：高速工件臺(tái)和快速光學(xué)定位系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)更高產(chǎn)率。（2）高精度：極致平面度的長行程掃描器，實(shí)現(xiàn)輪廓精準(zhǔn)量測(cè)。（3）高可用：全自動(dòng)探針更換和壽命管理，提升設(shè)備在線時(shí)間，節(jié)省探針成本。（4）高效率：離線數(shù)據(jù)分析軟件，直觀高效數(shù)據(jù)后處理。
8、XPS（赤壁山-XP）：X射線光電子能譜量測(cè)產(chǎn)品XPS產(chǎn)品具備全自動(dòng)光電子能譜量測(cè)能力，為客戶提供高產(chǎn)率，高精度和高再現(xiàn)性的超薄膜厚度與元素含量量測(cè)解決方案。其應(yīng)用場(chǎng)景包括離子氨化、金屬柵極、超薄介質(zhì)、側(cè)壁隔離和外延等工藝后的量測(cè)；大小光斑量測(cè)模式，支持無圖案和有圖案晶圓量測(cè)；XPS與低能量X射線熒光能譜二合一，使能超晶格共價(jià)化合物（硅-鍺）薄膜量測(cè)。赤壁山-XP產(chǎn)品特點(diǎn)包括：（1）高產(chǎn)率：高通量的X射線光源和光路設(shè)計(jì)，支撐高產(chǎn)率。（2）高精度：優(yōu)異的系統(tǒng)信噪比，量測(cè)結(jié)果更精確。（3）高再現(xiàn)性：全自動(dòng)健康自檢自校，確保量測(cè)結(jié)果常穩(wěn)可靠。
9、XRD（赤壁山-XD）：X射線衍射量測(cè)產(chǎn)品XRD產(chǎn)品具備全自動(dòng)外延表征能力，為客戶提供高產(chǎn)率、高精度和高重復(fù)性的多樣化量測(cè)解決方案。其應(yīng)用場(chǎng)景包括：單晶和多晶薄膜材料的晶體質(zhì)量和相位分析，高分辨X射線衍射、微焦斑高分辨X射線衍射、快速微焦斑高分辨X射線衍射、廣角散射、掠入射X射線衍射、極圖、面內(nèi)X射線衍射和X射線反射等多種量測(cè)模式；大小光斑量測(cè)模式，支持無圖案和有圖案晶圓量測(cè)。赤壁山-XD有如下產(chǎn)品特點(diǎn)：（1）高產(chǎn)率：優(yōu)異的X射線光路和五軸臺(tái)設(shè)計(jì)，有效提升產(chǎn)率。（2）高精度：高分辨測(cè)角儀，保證量測(cè)精度。（3）高重復(fù)性：可靠穩(wěn)定的硬件系統(tǒng)，支撐量測(cè)高重復(fù)性。（4）高靈活性：多種量測(cè)模式自動(dòng)切換，靈活適配多種薄膜材料應(yīng)用。
10、XRF（赤壁山-XF）：X射線熒光光譜量測(cè)產(chǎn)品XRF產(chǎn)品具備全自動(dòng)X射線熒光光譜量測(cè)能力，為客戶提供高產(chǎn)率，高再現(xiàn)性和高靈活性的薄膜厚度與元累含量量測(cè)解決方案。其應(yīng)用場(chǎng)景包括擴(kuò)散阻隔、金屬柵板和金屬沉積等工藝后的膜厚量測(cè)；硼磷硅酸鹽玻璃、磷硅酸鹽玻璃、氟硅酸鹽玻璃和合金薄膜的膜厚與元素含量量測(cè)；單層和復(fù)雜多層金屬膜厚量測(cè)。赤壁山-XF的產(chǎn)品特點(diǎn)有：（1）高產(chǎn)率：優(yōu)異的真空和高效的傳片設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)率。（2）高再現(xiàn)性：全自動(dòng)健康自檢自校，確保量測(cè)結(jié)果常穩(wěn)可靠。（3）高靈活性：波長色散與能潛色散X射線熒光二合一，靈活適配高產(chǎn)率和高分辨應(yīng)用場(chǎng)景。
11、RATE-CP：晶圓電性能檢測(cè)產(chǎn)品CP產(chǎn)品主要應(yīng)用于碳化硅晶圓電性能檢測(cè)，為客戶提供高規(guī)格、高集成、高兼容的自動(dòng)化檢測(cè)解決方案。其應(yīng)用場(chǎng)景包括搭配探針臺(tái)，支持晶圓自動(dòng)化電性能檢測(cè)和篩選；搭配夾具，支持單管靜態(tài)電性能檢測(cè)和篩選。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：（1）高規(guī)格：高電壓、大電流、高精度。（2）高集成：支持DC、RGCG、EAS等多種檢測(cè)。（3）高兼容：適配各類型探針臺(tái)，支持研發(fā)和量產(chǎn)檢測(cè)。（4）高穩(wěn)定：系統(tǒng)級(jí)抗干擾與智能算法結(jié)合，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)穩(wěn)定可靠。
12、RATE-KGD：功率Die電性能檢測(cè)產(chǎn)品KGD產(chǎn)品具備功率Die動(dòng)靜態(tài)電性能檢測(cè)能力，為容戶提供高規(guī)格、高效率、高兼容的自動(dòng)化檢期解決方案，應(yīng)用場(chǎng)景包括功率Die電性能檢測(cè)和篩選。其產(chǎn)品特點(diǎn)如下：（1）高規(guī)格：高電壓，大電流、超低雜感、超高精度。（2）高效率：創(chuàng)新Handler架構(gòu)實(shí)現(xiàn)更高UPH，支持快速換線.（3）高兼容：支持多種芯片尺寸、多種上下料方式；（4）高精度：支持微米級(jí)六面外觀檢測(cè)；（5）高靈活性：支持按工藝流程、多Site需求靈活部署。
13、RATE-FT：功率單管和模組電性能檢測(cè)產(chǎn)品FT產(chǎn)品具備功率單管和模組動(dòng)靜態(tài)電性能檢測(cè)能力，為客戶提供超低雜散電感、超高精度、高效率的自動(dòng)化檢測(cè)解決方案，應(yīng)用場(chǎng)景包括中大功率單管電性能檢測(cè)和篩選、功率模組電性能檢測(cè)和篩選。其產(chǎn)品特點(diǎn)包括：（1）高規(guī)格：高電壓、大電流、超低雜感、超高精度。（2）高效率：支持多管井測(cè)配套高速Handler實(shí)現(xiàn)高UPH，支持快速換線。（3）高可靠：極速過流保護(hù)，多重安全防護(hù)。（4）高兼容：支持多種封裝單管和模組檢測(cè)，支持上頂和下壓等多種場(chǎng)景。（5）高靈活性：支持一線多站按需配置，支持客戶極簡(jiǎn)應(yīng)用開發(fā)。
