【資訊】日本開發(fā)高精度制造半導體碳化硅的技術 目標2025年實現(xiàn)量產(chǎn)

1、日本開發(fā)高精度制造半導體碳化硅的技術 目標2025年實現(xiàn)量產(chǎn)

2、印芯半導體獲得A+輪融資

3、索尼首次推出自動駕駛激光雷達傳感器

4、華為公布新的芯片專利

1、日本開發(fā)高精度制造半導體碳化硅的技術 目標2025年實現(xiàn)量產(chǎn)

日本名古屋大學的宇治原徹教授等人開發(fā)出利用人工智能（AI）高精度制造新一代半導體使用的碳化硅（SiC）結晶的方法。這種方法能將結晶缺陷數(shù)量降至原來百分之一，提高半導體生產(chǎn)的成品率。2021年6月成立的初創(chuàng)企業(yè)計劃2022年銷售樣品，2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。

2、印芯半導體獲得A+輪融資

近日，智能機器視覺識別圖像傳感器芯片研發(fā)商——廣州印芯半導體技術有限公司宣布完成由云啟資本領投的A+輪融資。據(jù)智慧芽數(shù)據(jù)顯示，印芯半導體目前共有127件專利申請，近三年專利申請量呈現(xiàn)快速增長的趨勢。該公司主要專注在圖像傳感器、像素單元、讀出電路、傳感器、像素陣列等技術領域。

3、索尼首次推出自動駕駛激光雷達傳感器

索尼集團旗下的索尼半導體解決方案公司首次推出車用高性能激光雷達傳感器，將于2022年3月開始供貨。新產(chǎn)品IMX459在對角線6.25毫米的芯片上搭載約10萬個10平方微米的像素，最遠300米處的物體也能夠以每15厘米為單位測量距離，價格為1枚1.5萬日元（約合人民幣835元）。

4、華為公布新的芯片專利

華為技術有限公司在近日公開了“芯片封裝組件、電子設備及芯片封裝組件的制作方法”專利，公開號為 CN113707623A。本申請通過設置芯片與封裝基板的上導電層以及下導電層連接，從而芯片產(chǎn)生的熱量可進行雙向傳導散熱，并在上導電層上設置散熱部，使得芯片封裝組件能夠達到更優(yōu)的散熱效果。