德州儀器(TI)在德州Richardson的300mm(12吋)晶圓廠開(kāi)始初期生產(chǎn),預(yù)期可快速支援未來(lái)數(shù)月電子產(chǎn)業(yè)大量成長(zhǎng)的半導(dǎo)體需求。新建的RFAB2廠與2009年啟用的RFAB1廠相連。新的RFAB2晶圓廠規(guī)模比RFAB1大30%以上,兩個(gè)晶圓廠之間保留至少630,000的總無(wú)塵室空間,待未來(lái)完成建置,兩個(gè)廠區(qū)將能透過(guò)15英里的自動(dòng)化高架輸送系統(tǒng)無(wú)縫移動(dòng)晶圓。新工廠全面投入生產(chǎn)后,每天將能生產(chǎn)超過(guò)個(gè)1億個(gè)模擬IC,可應(yīng)用于再生能源及電動(dòng)車等領(lǐng)域。
RFAB2廠與RFAB1廠相連,兩個(gè)晶圓廠之間未來(lái)可透過(guò)無(wú)塵室空間與自動(dòng)化系統(tǒng)移動(dòng)晶圓 (圖片來(lái)源:TI)
TI技術(shù)與製造集團(tuán)資深副總Kyle Flessner表示,RFAB2是TI針對(duì)市場(chǎng)長(zhǎng)期成長(zhǎng)的半導(dǎo)體需求所投資的項(xiàng)目,未來(lái)將持續(xù)增加產(chǎn)量,以滿足客戶的需求。在德州Richardson的製造基地中連接兩個(gè)晶圓廠有助于提高營(yíng)運(yùn)規(guī)模與效率。面對(duì)企業(yè)社會(huì)責(zé)任,RFAB1是全球率先在類比IC領(lǐng)域獲得能源與環(huán)境先導(dǎo)設(shè)計(jì)((Leadership in Energy and Environmental Design, LEED)認(rèn)證的晶圓廠,其設(shè)計(jì)符合評(píng)分系統(tǒng)要求的結(jié)構(gòu)效率與永續(xù)性,RFAB2也獲得此認(rèn)證。
RFAB2補(bǔ)足了TI現(xiàn)有的12吋晶圓廠規(guī)模,包含位于Dallas的DMOS6及Richardson的RFAB1在內(nèi),RFAB2是TI計(jì)畫新增的六座12吋晶圓廠之一,期望透過(guò)建廠自行生產(chǎn)多元的類比與嵌入式處理元件。TI在晶圓產(chǎn)能的布局包含2021年TI收購(gòu)位于Utah的LFAB,LFAB預(yù)計(jì)在未來(lái)幾個(gè)月內(nèi)開(kāi)始初期生產(chǎn)。同時(shí)TI宣布在德州Sherman投資300億美元來(lái)興建四座晶圓廠。Sherman的第一及第二座晶圓廠正在興建,預(yù)期第一座晶圓廠能在2025年開(kāi)始生產(chǎn)。