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A2I20H080N 數(shù)據(jù)手冊 RF LDMOS寬帶集成功放器

2023/04/25
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A2I20H080N 數(shù)據(jù)手冊 RF LDMOS寬帶集成功放器

A2I20H080N寬帶集成電路是一種不對稱Doherty設計，具有片上匹配功能，可在1800至2200 MHz范圍內使用。該多級結構適用于26至32 V的操作，并覆蓋了所有常見的蜂窩基站調制格式。

特點包括：

  • 先進的高性能封裝式Doherty
  • 片上匹配（50歐姆輸入，直流阻塞）
  • 集成靜態(tài)電流溫度補償，帶使能/禁用功能（2個）
  • 為數(shù)字預畸變誤差校正系統(tǒng)設計

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BCR108E6327HTSA1 1 Infineon Technologies AG Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

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