MRFE6VP5600HR6、MRFE6VP5600HSR6側向N溝道寬帶射頻功率MOSFET

射頻功率場效應晶體管、高強度N-溝道、增強型側向MOSFET，這些高強度器件專為高VSWR工業(yè)（包括激光和等離子激勵器）、廣播（模擬和數(shù)字）、航空航天和無線電/陸地移動應用而設計。它們具有無與倫比的輸入和輸出設計，可在1.8至600 MHz的寬頻段范圍內使用。

特點

? 無與倫比的輸入和輸出設計，可在寬頻段范圍內使用

? 該器件可以單端或推挽配置使用

? 最大50 VDD操作

? 從30 V到50 V范圍進行特征化，擴展功率范圍

? 適合線性應用，并配以適當?shù)钠?/p>

? 集成ESD保護，具有更大的負柵源電壓范圍，以改善C類操作

? 通過串聯(lián)等效大信號阻抗參數(shù)進行特征化

? 符合RoHS標準

? 帶卷筒帶和卷盤。R6后綴= 150個裝置，56毫米帶寬，13英寸卷筒。 有關R5帶卷筒選項，請參見第12頁。