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N-channel dual-gate PoLo
MOS-FETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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BF1201; BF1201R; BF1201WR N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs DATA SHEET Product specification Supersedes data of 1999 Dec 01 2000 Mar 29 DISCRETE SEMICONDUCTORS BF1201; BF1201R; BF1201WR N-channel

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。收起

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