MW6S010NR1, MW6S010GNR1 450-1500 MHz, 10 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MW6S010NR1, MW6S010GNR1 450-1500 MHz, 10 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFETs

The MW6S010N is designed for Class A or Class AB base station applications with frequencies up to 1500 MHz. Suitable for analog and digital modulation and multicarrier amplifier applications.

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。