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MRF5S9101MR1, MRF5S9101MBR1 869-960 MHz, 100 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

2023/04/25
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MRF5S9101MR1, MRF5S9101MBR1 869-960 MHz, 100 W, 26 V GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 869 to 960 MHz. Suitable for multicarrier amplifier applications.

恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

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