芯耀
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在如今的電池供電系統(tǒng)領(lǐng)域，人們對(duì)功率轉(zhuǎn)換器的效率要求越來越高。隨著這些系統(tǒng)在工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用中的不斷增加（筆記本電腦、便攜設(shè)備、家用電器、電動(dòng)助力自行車、電動(dòng)滑板車、輪椅、手機(jī)等），為了滿足用戶需要長時(shí)間持久使用同一電池電量的要求，提高效率變得非常重要。為此，研究人員在設(shè)計(jì)新的轉(zhuǎn)換器結(jié)構(gòu)、增加轉(zhuǎn)換器開關(guān)頻率和構(gòu)想創(chuàng)新的功率器件方面做出了巨大努力。
一般來說，電池供電系統(tǒng)需要低壓開關(guān)器件（<100V）。由于其高開關(guān)速度和易于驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)，功率MOSFET器件在這個(gè)電壓范圍內(nèi)占據(jù)主導(dǎo)地位。MOSFET的導(dǎo)通損耗是總功率損耗平衡中的主要關(guān)注點(diǎn)，特別是在低或中等開關(guān)頻率的轉(zhuǎn)換器中。由于導(dǎo)通損耗取決于漏源電阻（Ron），而漏源電阻嚴(yán)格與結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)相關(guān)，因此許多現(xiàn)代MOSFET采用基于單元的布局，以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻。單元密度的增加可以進(jìn)一步降低導(dǎo)通電阻，從而增加每個(gè)器件面積單位的電流能力。然而，對(duì)于當(dāng)今最先進(jìn)的MOSFET來說，采用傳統(tǒng)布局的導(dǎo)通電阻的進(jìn)一步降低受到限制，因?yàn)檫@種方法已經(jīng)接近了其物理極限[1]。為了克服這種技術(shù)的限制，需要?jiǎng)?chuàng)新的方法。
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