介紹
三端雙向可控硅開關和可控硅開關是功率半導體,通常直接連接到電網(wǎng)。眾所周知,交流電網(wǎng)電壓在很短的時間內(nèi)可能會受到重要電壓變化的高度干擾,例如機械繼電器觸點反彈、通用電機干擾。一些電磁標準描述了如何對電器進行測試,以檢查其對此類事件的免疫力。例如,IEC 61000-4-4標準分別給出了快速瞬態(tài)電壓的測試程序和抗擾度要求。
為了提高功率半導體器件的抗擾度,大多數(shù)設計者在功率器件控制端子(SCR或三端雙向可控硅開關的柵極)及其參考端子(SCR和三端雙向晶閘管分別為K或A1)兩端添加電容器。該電容器有助于穩(wěn)定控制端電位,因此被認為有助于增加對快速電壓上升(dV/dt)的電阻。由于該電容器也放置在功率設備和控制電路之間,控制電路可以是邏輯門或微控制器單元(MCU),因此它在從線路到敏感控制電路的路徑上充當濾波器,并幫助過濾來自線路干擾的噪聲。
本文證明了為什么柵極到陰極電容器不能有效地提高三端雙向可控硅開關對快速電壓瞬變的免疫力,尤其是對于非敏感器件。該應用說明表明,這種電容器會增加重復或意外高dI/dt的故障風險。
本申請說明中的結果是經(jīng)過相當長的一段時間產(chǎn)生的。一些產(chǎn)品可能不再可用,這些產(chǎn)品被用作呈現(xiàn)這些結果的示例。然而,所給出的結果適用于所有類別和類型的產(chǎn)品,因此同樣適用于市場上可用的類似產(chǎn)品。