SiC MOSFET中自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化

2023/10/26 作者：力特奧維斯Littelfuse

1449

加入交流群

掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

SiC MOSFET中自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化

本文討論了在半橋結(jié)構(gòu)下SiC MOSFET自由器件實(shí)現(xiàn)的優(yōu)化。介紹了用SiC MOSFET開關(guān)實(shí)現(xiàn)的多自由度器件的動態(tài)特性。比較了SiC MOSFET體二極管和SiC肖特基勢壘二極管(SBD)在開爾文源連接和無開爾文源連接下的開關(guān)器件的性能。本文旨在確定SiC MOSFET的主體二極管是否是MOSFET高速開關(guān)的限制因素。

推薦器件

更多器件

器件型號	數(shù)量	器件廠商	器件描述	ECAD模型	參考價(jià)格	更多信息
P410QS333M300AH101	1	KEMET Corporation	RC Network,	ECAD模型下載ECAD模型	$1.83	查看
C5237-12	1	Cooper Industries	30 A, BARRIER STRIP TERMINAL BLOCK, 1 ROW, 1 DECK		$35.85	查看
D2041974	1	ITT Interconnect Solutions	Connector Accessory,		暫無數(shù)據(jù)	查看

原創(chuàng)聲明：本文為力特奧維斯Littelfuse原創(chuàng)內(nèi)容，未經(jīng)書面授權(quán)，不得以任何方式加以使用。轉(zhuǎn)載合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

Littelfuse

在從消費(fèi)電子產(chǎn)品到車輛和工業(yè)設(shè)施的使用電能的應(yīng)用中，Littelfuse 產(chǎn)品一只是重要的組件。他們提供業(yè)界最廣泛、最深入的電路保護(hù)產(chǎn)品組合，并在功率控制和檢測領(lǐng)域擁有不斷發(fā)展的平臺。作為其加速組織增長和戰(zhàn)略并購公司戰(zhàn)略的一部分，他們正不斷向相鄰市場擴(kuò)張。這些市場包括功率半導(dǎo)體、重型開關(guān)、磁性、光學(xué)、機(jī)電和溫度傳感器；并提供安全控制和電力分配產(chǎn)品。