晶圓測(cè)試

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  • 突破14nm工藝壁壘:天準(zhǔn)科技發(fā)布TB2000晶圓缺陷檢測(cè)裝備
    開啟國(guó)產(chǎn)缺陷檢測(cè)新紀(jì)元 蘇州2025年3月26日?/美通社/ -- 3月26日,蘇州天準(zhǔn)科技股份有限公司(股票代碼:688003.SH)宣布,旗下矽行半導(dǎo)體公司研發(fā)的明場(chǎng)納米圖形晶圓缺陷檢測(cè)裝備TB2000已正式通過(guò)廠內(nèi)驗(yàn)證,將于SEMICON 2025展會(huì)天準(zhǔn)展臺(tái)(T0-117)現(xiàn)場(chǎng)正式發(fā)布。 這標(biāo)志著公司半導(dǎo)體檢測(cè)裝備已具備14nm及以下先進(jìn)制程的規(guī)模化量產(chǎn)檢測(cè)能力。這是繼TB1500突破40
  • WAT測(cè)試崗常見面試問(wèn)題
    請(qǐng)簡(jiǎn)述WAT測(cè)試的主要目的。WAT測(cè)試與CP測(cè)試的主要區(qū)別是什么?WAT測(cè)試在晶圓生產(chǎn)流程中的位置和作用是什么?請(qǐng)解釋摩爾定律對(duì)WAT測(cè)試的重要性。解釋在CMOS工藝中,WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)的意義是什么?WAT參數(shù)的種類有哪些?各自的作用是什么?請(qǐng)列舉幾種常見的有源器件和無(wú)源器件WAT測(cè)試參數(shù)。為什么WAT測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)在劃片槽中,而不設(shè)計(jì)在芯片內(nèi)部?在WAT測(cè)試中,如何確定測(cè)試參數(shù)是否合格?WAT數(shù)據(jù)對(duì)生產(chǎn)工藝的優(yōu)化有何幫助?
    WAT測(cè)試崗常見面試問(wèn)題
  • WAT測(cè)試與FT測(cè)試的區(qū)別
    把WAT測(cè)試比作在汽車生產(chǎn)線上每個(gè)工藝環(huán)節(jié)都要設(shè)置的質(zhì)量檢查站。這些檢查站會(huì)確保每一個(gè)零部件的生產(chǎn)質(zhì)量符合標(biāo)準(zhǔn)。比如,在生產(chǎn)發(fā)動(dòng)機(jī)時(shí),WAT測(cè)試相當(dāng)于檢查發(fā)動(dòng)機(jī)的各個(gè)零件是否精準(zhǔn)、符合設(shè)計(jì)要求。如果某個(gè)零件不達(dá)標(biāo),就會(huì)在這個(gè)環(huán)節(jié)被發(fā)現(xiàn)并處理。
  • CP測(cè)試和WAT測(cè)試的區(qū)別
    在集成電路的制造和測(cè)試過(guò)程中,CP測(cè)試(Chip Probing)和WAT測(cè)試(Wafer Acceptance Test)是兩個(gè)非常重要的測(cè)試環(huán)節(jié)。盡管它們都在晶圓(Wafer)階段進(jìn)行,但二者的目的、測(cè)試對(duì)象、測(cè)試內(nèi)容和作用是有顯著不同的。
    CP測(cè)試和WAT測(cè)試的區(qū)別
  • CP測(cè)試與FT測(cè)試的區(qū)別
    在集成電路(IC)制造與測(cè)試過(guò)程中,CP(Chip Probing,晶圓探針測(cè)試)和FT(Final Test,最終測(cè)試)是兩個(gè)重要的環(huán)節(jié),它們承擔(dān)了不同的任務(wù),使用不同的設(shè)備和方法,但都是為了保證產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。
    CP測(cè)試與FT測(cè)試的區(qū)別