柵極驅(qū)動器

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  • 新品 | EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列
    英飛凌的新一代EiceDRIVER? 1ED21x7x 650V、+/-4A柵極驅(qū)動器IC與其他產(chǎn)品相比，提供了一種更穩(wěn)健、更具性價比的解決方案。1ED21x7x是高電壓、大電流和高速柵極驅(qū)動器，可用于Si/SiC功率MOSFET和IGBT開關，設計采用英飛凌的絕緣體上硅（SOI）技術。
    新品 | EiceDRIVER? 650V+/-4A高壓側(cè)柵極驅(qū)動器1ED21x7系列
  • 英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝， 在提升效率的同時簡化設計
    目前，許多工業(yè)應用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實現(xiàn)這一目標的方法之一是提高直流母線電壓。針對這一市場趨勢，全球功率系統(tǒng)和領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于 2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴展到TO-247-2
    英飛凌推出CoolSiC肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝， 在提升效率的同時簡化設計
  • 浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動器
    作者：Srikesh Pulluri，產(chǎn)品應用工程師 摘要 半橋拓撲結(jié)構廣泛用于各種商業(yè)和工業(yè)應用的電源轉(zhuǎn)換器件中。這種開關模式配置的核心是柵極驅(qū)動器IC，其主要功能是使用脈寬調(diào)制信號向高端和低端MOSFET功率開關提供干凈的電平轉(zhuǎn)換信號。 本文重點介紹了工程師在為應用選擇柵極驅(qū)動器IC時應考慮的關鍵因素。除了基本的電壓和電流額定值之外，本文還說明了高共模瞬變抗擾度的重要性和可調(diào)死區(qū)時間的必要性。
    浮地非隔離半橋柵極驅(qū)動器
  • 非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設計的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET？
    作者：Kevin Thai，應用經(jīng)理 問題 沒有專門用于驅(qū)動GaNFET的控制器時，如何使用GaNFET設計四開關降壓-升壓DC-DC轉(zhuǎn)換器？ 回答 眾所周知，GaNFET比較難驅(qū)動，如果使用原本用于驅(qū)動硅(Si) MOSFET的驅(qū)動器，可能需要額外增加保護元件。適當選擇正確的驅(qū)動電壓和一些小型保護電路，可以為四開關降壓-升壓控制器提供安全、一體化、高頻率GaN驅(qū)動。 簡介 在不斷追求減小電路板尺
    非常見問題解答第225期：原來為硅MOSFET設計的DC-DC控制器能否用來驅(qū)動GaNFET？
  • 意法半導體推出的250W MasterGaN參考設計可加速實現(xiàn)緊湊、高效的工業(yè)電源
    為了加快能效和功率密度都很出色的氮化鎵(GaN)電源(PSU)的設計，意法半導體推出了EVL250WMG1L基于MasterGaN1L系統(tǒng)級封裝(SiP)的諧振轉(zhuǎn)換器參考設計。 意法半導體的MasterGaN-SiP在一個封裝內(nèi)整合了GaN功率晶體管與開關速度和控制準確度優(yōu)化的柵極驅(qū)動器。使用高集成度的系統(tǒng)級封裝SiP代替采用多個分立元件的等效解決方案，有助于最大限度地提高電源的性能和可靠性，同時
    意法半導體推出的250W MasterGaN參考設計可加速實現(xiàn)緊湊、高效的工業(yè)電源