氮化鎵芯片

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  • 這家晶圓廠獲18億投資,將生產(chǎn)氮化鎵芯片
    4月6日,據(jù)外媒“the telegraph”報(bào)道,英國(guó)國(guó)防部長(zhǎng)約翰·希利 (John Healey) 將向英國(guó)一家國(guó)有芯片工廠投資2億英鎊(約人民幣18.89億),用于對(duì)晶圓廠進(jìn)行升級(jí),以生產(chǎn)制造氮化鎵芯片。
    這家晶圓廠獲18億投資,將生產(chǎn)氮化鎵芯片
  • AMEYA360代理:羅姆與臺(tái)積公司在車(chē)載氮化鎵功率器件領(lǐng)域建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“羅姆”)宣布與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“臺(tái)積公司”)就車(chē)載氮化鎵功率器件的開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 通過(guò)該合作關(guān)系,雙方將致力于將羅姆的氮化鎵器件開(kāi)發(fā)技術(shù)與臺(tái)積公司業(yè)界先進(jìn)的GaN-on-Silicon工藝技術(shù)優(yōu)勢(shì)結(jié)合起來(lái),滿足市場(chǎng)對(duì)高耐壓和
  • 氮化鎵芯片到底是怎么做的呢?
    氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展,氮化鎵芯片的應(yīng)用前景越來(lái)越廣闊,例如在新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、通信基站等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。因此,研究和開(kāi)發(fā)氮化鎵芯片的制備方法和技術(shù)對(duì)于推動(dòng)科技進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。
  • 氮化鎵快充控制芯片是什么
    氮化鎵(GaN)是第三代半導(dǎo)體材料,其運(yùn)行速度比舊式慢速硅(Si)技術(shù)加快了二十倍,并且能夠?qū)崿F(xiàn)高出三倍的功率,用于尖端快速充電器產(chǎn)品時(shí),可以實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)現(xiàn)有產(chǎn)品的性能,在尺寸相同的情況下,充電速度提高了三倍。
  • 不知道該如何選擇氮化鎵芯片?
    GaN氮化鎵比硅更適用于高頻功率器件??梢燥@著降低功率損耗和散熱負(fù)載,在體積和功率密度方面具有明顯的優(yōu)勢(shì)。用于逆變器、穩(wěn)壓器、變壓器、無(wú)線充電等領(lǐng)域,可有效降低能量損耗。從第一個(gè)氮化鎵快充源的量產(chǎn),到上百種氮化鎵新產(chǎn)品涌入市場(chǎng),短短幾年時(shí)間,整個(gè)氮化鎵快充源市場(chǎng)的容量增長(zhǎng)了百倍。在過(guò)去,只有少數(shù)幾個(gè)第一代氮化鎵快速充電源。氮化鎵第三方配件品牌敢于嘗試的技術(shù),如今已經(jīng)成為一線手機(jī)和筆記本電腦品牌的必備產(chǎn)品。我們不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。
  • 120W氮化鎵芯片KT65C1R120D
    隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子技術(shù)也在飛速發(fā)展。其中,氮化鎵(GaN)芯片作為一種新型的電力電子器件,因其具有高效能、高速、高溫等優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)開(kāi)始在各個(gè)領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。本文將詳細(xì)介紹120W氮化鎵芯片的特點(diǎn)及其應(yīng)用場(chǎng)景,同時(shí)探討該技術(shù)的未來(lái)發(fā)展方向。
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    2023/10/28
  • 氮化鎵芯片如何選擇?
    氮化鎵芯片的選用要從實(shí)際應(yīng)用出發(fā),結(jié)合實(shí)際使用場(chǎng)景,選擇最合適的氮化鎵芯片,以達(dá)到最佳的性能和效果。明確應(yīng)用場(chǎng)景。首先要明確使用的具體場(chǎng)景,如音頻、視頻、計(jì)算還是其他應(yīng)用場(chǎng)景。不同的場(chǎng)景對(duì)氮化鎵芯片的性能和特點(diǎn)要求不同,因此在選擇氮化鎵芯片時(shí),要充分考慮應(yīng)用的場(chǎng)景。
  • 氮化鎵充電器用哪種芯片好
    氮化鎵充電器是一種采用KeepTops氮化鎵芯片材料KT65C1R200D的充電器。氮化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高導(dǎo)熱率、高電子遷移率、高擊穿電場(chǎng)和高熔點(diǎn)等特點(diǎn)。這些特點(diǎn)使得氮化鎵充電器具有更高的充電效率和更小的體積,成為一種具有革命性的充電器。
  • 電子材料氮化鎵芯片有多大的優(yōu)勢(shì)
    氮化鎵快充技術(shù)的普及,絕不僅僅是成品數(shù)量的增加而已,更重要的是,在芯片層面,氮化鎵功率器件的供應(yīng)商從最初的幾家增加到十幾家,產(chǎn)品類(lèi)型多樣,主控芯片品牌超過(guò)十個(gè),使后續(xù)的氮化鎵快充市場(chǎng)多元化。開(kāi)發(fā)開(kāi)辟了最關(guān)鍵的一環(huán)。
  • 一種高能效、高可靠性氮化鎵芯片進(jìn)入電子領(lǐng)域
    作為氮化鎵快充控制器國(guó)產(chǎn)化的先行者,KeepTops率先實(shí)現(xiàn)了氮化鎵控制芯片的自主可控性,并成功量產(chǎn)集成GaN直驅(qū)的控制器。得到了業(yè)界的廣泛認(rèn)可,現(xiàn)已推出。KeepTops繼推出氮化鎵控制器后,再次推出高集成度氮化鎵功率芯片KT65C1R120D,將控制器、氮化鎵驅(qū)動(dòng)器、GaN功率管集成到DFN8*8個(gè)小體積封裝。通過(guò)將它們?nèi)考傻揭粋€(gè)封裝中,降低了寄生參數(shù)對(duì)高頻開(kāi)關(guān)的影響,在提高可靠性的同時(shí)提高了效率,并簡(jiǎn)化了氮化鎵充電器的設(shè)計(jì)。
  • 分析氮化鎵芯片的特點(diǎn)
    作為第三代半導(dǎo)體材料,氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點(diǎn),是制作功率芯片的理想材料。如今,電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯著提高充電器的使用效率,減少熱量的產(chǎn)生,并且縮小了充電器的體積,使用戶在日常出行時(shí)更容易攜帶。
    分析氮化鎵芯片的特點(diǎn)
  • 宏光半導(dǎo)體獲戰(zhàn)略投資者增資
    宏光半導(dǎo)體有限公司(「宏光半導(dǎo)體」,連同其附屬公司統(tǒng)稱(chēng)「集團(tuán)」;股份代號(hào):6908.HK)欣然宣布,于9月28日集團(tuán)旗下之附屬子公司深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司(「深圳鎵宏」)與臺(tái)州匯融嘉能友創(chuàng)股權(quán)投資合伙企業(yè)(有限合伙)(「匯融嘉能友創(chuàng)」或「投資人」)訂立增資協(xié)議,投資人同意向深圳鎵宏增資人民幣一億元,主要用作氮化鎵芯片項(xiàng)目發(fā)展。 此次戰(zhàn)略投資者匯融嘉能友創(chuàng)為從事股權(quán)投資的私募投資基金,其普通合伙人為
  • 大功率器件氮化鎵芯片系列產(chǎn)品KT65C1R070D、KT65C1R120D
    Keep Tops繼年初推出KT65C1R200D 等氮化鎵功率器件后;最近再次推出KT65C1R070D、KT65C1R120D系列氮化鎵功率芯片,Keep Tops產(chǎn)品將高性能、高可靠性電流控制PWM開(kāi)關(guān)控制與GaN集成一起,在充電器次級(jí)應(yīng)用中,真正實(shí)現(xiàn)一顆芯實(shí)現(xiàn)的目的,大大簡(jiǎn)化120W內(nèi)小功率充電器的初級(jí)設(shè)計(jì)。
  • 淺談氮化鎵快充芯片方案
    氮化鎵芯片在快充技術(shù)中扮演著重要的角色,氮化鎵芯片可以作為控制器和管理器,監(jiān)測(cè)和調(diào)整充電電流、電壓和充電模式,確??斐溥^(guò)程的安全和穩(wěn)定。它可以精確控制充電速度和電池的充電狀態(tài),避免過(guò)充、過(guò)放和過(guò)熱等問(wèn)題,保護(hù)電池和設(shè)備的安全。具有高功率和高效率的特性,能夠?qū)崿F(xiàn)快速、高效的能量轉(zhuǎn)換。它可以將輸入電源的直流電轉(zhuǎn)換為適合設(shè)備充電的電流和電壓,最大限度地提高能量轉(zhuǎn)換效率,減少能量損耗。
  • 如何選擇性?xún)r(jià)比高的氮化鎵芯片?采用KT65C1R200D產(chǎn)品
    選擇氮化鎵芯片時(shí),根據(jù)應(yīng)用的需求,確定所需的性能指標(biāo),包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號(hào)的氮化鎵芯片有不同的性能特點(diǎn),需要根據(jù)具體的應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的型號(hào)??紤]芯片的可靠性和穩(wěn)定性,包括壽命、耐壓、抗干擾等方面的指標(biāo)。特別是對(duì)于一些長(zhǎng)期運(yùn)行或者在惡劣環(huán)境下工作的應(yīng)用,可靠性是一個(gè)非常重要的考慮因素。選擇一家有良好供應(yīng)鏈和技術(shù)支持的廠商,以確保能夠及時(shí)獲取所需的芯片和技術(shù)支持。同時(shí),考慮廠商的聲譽(yù)和市場(chǎng)份額,以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。
    如何選擇性?xún)r(jià)比高的氮化鎵芯片?采用KT65C1R200D產(chǎn)品
  • 氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別?有什么優(yōu)勢(shì)?
    氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開(kāi)關(guān)器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料,很多特性都強(qiáng)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體。與傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體相比,氮化鎵具有更好的擊穿能力、更高的密度和電子遷移率以及更高的工作溫度。可以帶來(lái)低損耗和高開(kāi)關(guān)頻率:低損耗可以減少導(dǎo)通電阻引起的熱量,高開(kāi)關(guān)頻率可以減小變壓器的體積并有助于減小充電器的體積和重量。同時(shí),GaN具有更小的Qg,可以很容易地提高頻率,降低驅(qū)動(dòng)損耗。
  • 第三代半導(dǎo)體氮化鎵65W快充芯片已經(jīng)成為行業(yè)主流?
    氮化鎵(GaN)功率芯片將多個(gè)電力電子功能集成到一顆GaN芯片中,可有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下,GaN功率芯片可以使先進(jìn)的功率轉(zhuǎn)換拓?fù)鋸膶W(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),并成為量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑。GaN芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵,關(guān)鍵是要打造出接近“理想開(kāi)關(guān)”的電路元件。
  • 氮化鎵芯片未來(lái)會(huì)取代硅芯片嗎?
    氮化鎵?(GaN)?可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面?AC-DC?電源。Keep Tops?氮化鎵(GaN)是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí),GaN?比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類(lèi)型的損耗:傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。 功率晶體管是開(kāi)關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失,GaN?晶體管(取代舊的硅技術(shù))的開(kāi)發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注。
  • 產(chǎn)研:車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵普及面臨哪些難點(diǎn)?
    前言:車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵的普及目前還處于非常前期的階段,國(guó)產(chǎn)廠商正在加速布局,但后續(xù)前景非??春?。 從消費(fèi)級(jí)到車(chē)規(guī)級(jí),氮化鎵(GaN)技術(shù)有何優(yōu)勢(shì)? 作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用,這對(duì)提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。目前,GaN正在從低功率消費(fèi)電子市場(chǎng)轉(zhuǎn)向高功率數(shù)據(jù)中心、光伏逆變器、通信電源等市場(chǎng)。這些應(yīng)用需要的電源具有更大的
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    2023/06/27
    產(chǎn)研:車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵普及面臨哪些難點(diǎn)?
  • 意法半導(dǎo)體和MACOM成功開(kāi)發(fā)射頻硅基氮化鎵原型芯片,取得技術(shù)與性能階段突破
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國(guó)防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布,射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。

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