泰克科技

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  • 泰克閃耀 2025 慕尼黑上海電子展，引領(lǐng)測試技術(shù)新變革
    作為全球電子測試與測量領(lǐng)域的領(lǐng)軍者，泰克科技在2025年4月15日至17日于上海新國際博覽中心舉辦的2025慕尼黑上海電子展（Electronica China）上，攜前沿測試解決方案及兩款重磅新品參展，全方位展示其在測試技術(shù)上的深厚積累與創(chuàng)新突破，在 N3 館 544 展位與全球行業(yè)精英共探測試技術(shù)的無限可能，持續(xù)為電子行業(yè)發(fā)展注入創(chuàng)新動力。 本次展會，泰克科技聚焦半導(dǎo)體、汽車電子、前沿材料等關(guān)
    泰克閃耀 2025 慕尼黑上海電子展，引領(lǐng)測試技術(shù)新變革
  • 泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作再結(jié)碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度
    近日，泰克科技與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體的合作迎來又一重要里程碑，雙方攜手對遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最新推出的1700V GaN器件進(jìn)行了深入測試與評估，成果斐然，為該器件在高端應(yīng)用市場的拓展注入強勁動力。 此前，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體憑借其在高壓GaN器件領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，已成功推出多款產(chǎn)品，并逐步將額定電壓提升至1700V，這一電壓等級的突破，相較于1200V器件實現(xiàn)了顯著性能飛躍。為攻克GaN器件常見的電流崩塌難題，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體采用了
    泰克與遠(yuǎn)山半導(dǎo)體合作再結(jié)碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度
  • 突破傳統(tǒng)局限，泰克助力芯朋微理想二極管更安全、更高效
    在全球能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和可持續(xù)發(fā)展的大背景下，光伏產(chǎn)業(yè)作為可再生能源的主力軍，正迎來前所未有的發(fā)展機遇。然而，光伏系統(tǒng)的安全性和可靠性問題也日益凸顯，成為制約其進(jìn)一步發(fā)展的關(guān)鍵因素。泰克科技與芯朋微深度合作，憑借前沿的測試測量技術(shù)和創(chuàng)新的理想二極管方案，為光伏快速關(guān)斷器和優(yōu)化器注入強勁動力，顯著提升了系統(tǒng)的壽命和性能，為光伏產(chǎn)業(yè)的安全、高效和可持續(xù)發(fā)展提供了有力支撐。 應(yīng)運而生的快速關(guān)斷器和優(yōu)化器 光
    突破傳統(tǒng)局限，泰克助力芯朋微理想二極管更安全、更高效
  • 【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室】遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
    氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費電子領(lǐng)域內(nèi)競爭價格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們在更廣泛市場應(yīng)用中的潛力。 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體最近發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并在泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室進(jìn)行了詳盡的測試，這些測試結(jié)果為我們提供了對遠(yuǎn)山半導(dǎo)體氮化鎵功率器件性能的全面
    【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實驗室】遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
  • 【對話前沿專家】基于鐵電晶體管科研，共探集成電路的創(chuàng)新之路
    隨著人工智能和大數(shù)據(jù)技術(shù)的飛速發(fā)展，對算力和存儲的需求日益增長。傳統(tǒng)的計算架構(gòu)逐漸顯露出局限性，這促使學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界開始探索新的計算架構(gòu)和信息器件。在后摩爾時代，鐵電晶體管（FeFET）作為一種新型的信息器件，因其在存儲和計算領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。 泰克科技與北京大學(xué)集成電路學(xué)院聯(lián)合舉辦了一場學(xué)術(shù)交流訪談會，旨在探討高耐久性氧化鉿基鐵電晶體管（FeFET）器件及其在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用前景。在這