BiCMOS

數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器市場爆發(fā)，對硅光互連技術(shù)的需求進(jìn)入加速期 近些年，全球數(shù)字化進(jìn)程推進(jìn)，以及5G、物聯(lián)網(wǎng)和云計(jì)算技術(shù)的普及，惠及數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模的穩(wěn)步增長，而伴隨AI尤其是生成式AI引領(lǐng)的一場大模型競賽，以及由此帶來的一些端側(cè)AI應(yīng)用場景的出現(xiàn)，更讓數(shù)據(jù)中心的規(guī)模增長呈現(xiàn)一種爆發(fā)態(tài)勢。 這背后則是一場圍繞AI技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用落地的高性能算力集群、基礎(chǔ)設(shè)施搭建的全民運(yùn)動，也讓AI服務(wù)器的市場規(guī)模增長

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關(guān)系。

在集成電路制造領(lǐng)域，BiCMOS（Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）工藝和CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）工藝是兩種常見的技術(shù)路線。它們在集成電路設(shè)計(jì)和制造中有著不同的特點(diǎn)、優(yōu)勢和應(yīng)用場景。

BICMOS工藝是一種集成了雙極型和MOS型晶體管的混合模擬數(shù)字集成電路工藝。它將MOSFET和BJT兩種不同類型的晶體管結(jié)合起來，融合了MOSFET的高速度、低功耗和可靠性以及BJT的高增益、高帶寬和低噪聲等特點(diǎn)，成為一種能夠同時實(shí)現(xiàn)模擬和數(shù)字信號處理的先進(jìn)集成電路工藝。

BICMOS工藝是指將Bipolar(雙極)器件集成在CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)器件內(nèi)部，以利用它們的優(yōu)點(diǎn)。Bipolar傳輸可提供較高的運(yùn)算速度，而CMOS傳輸具有較低的功耗和電壓噪聲。由于兩者結(jié)合了各自的優(yōu)點(diǎn)，因此BICMOS被廣泛用于集成電路制造中。