BiCMOS

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BiCMOS是繼CMOS后的新一代高性能VLSI工藝。以CMOS工藝為基礎(chǔ)，增加少量的工藝步驟而成。

BiCMOS是繼CMOS后的新一代高性能VLSI工藝。以CMOS工藝為基礎(chǔ)，增加少量的工藝步驟而成。收起

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  • 以代工身份入局硅光互連領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體的底層邏輯
    數(shù)據(jù)中心/AI服務(wù)器市場爆發(fā)，對硅光互連技術(shù)的需求進(jìn)入加速期 近些年，全球數(shù)字化進(jìn)程推進(jìn)，以及5G、物聯(lián)網(wǎng)和云計(jì)算技術(shù)的普及，惠及數(shù)據(jù)中心市場規(guī)模的穩(wěn)步增長，而伴隨AI尤其是生成式AI引領(lǐng)的一場大模型競賽，以及由此帶來的一些端側(cè)AI應(yīng)用場景的出現(xiàn)，更讓數(shù)據(jù)中心的規(guī)模增長呈現(xiàn)一種爆發(fā)態(tài)勢。 這背后則是一場圍繞AI技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用落地的高性能算力集群、基礎(chǔ)設(shè)施搭建的全民運(yùn)動，也讓AI服務(wù)器的市場規(guī)模增長
    以代工身份入局硅光互連領(lǐng)域，意法半導(dǎo)體的底層邏輯
  • X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議 推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺
    全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關(guān)系。
  • bicmos工藝與cmos工藝的區(qū)別
    在集成電路制造領(lǐng)域，BiCMOS（Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）工藝和CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）工藝是兩種常見的技術(shù)路線。它們在集成電路設(shè)計(jì)和制造中有著不同的特點(diǎn)、優(yōu)勢和應(yīng)用場景。
  • BICMOS工藝的工作原理 BICMOS注意事項(xiàng)
    BICMOS工藝是一種集成了雙極型和MOS型晶體管的混合模擬數(shù)字集成電路工藝。它將MOSFET和BJT兩種不同類型的晶體管結(jié)合起來，融合了MOSFET的高速度、低功耗和可靠性以及BJT的高增益、高帶寬和低噪聲等特點(diǎn)，成為一種能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)模擬和數(shù)字信號處理的先進(jìn)集成電路工藝。
    3051
    2023/06/07
  • BICMOS工藝的工作原理 BICMOS的作用
    BICMOS工藝是指將Bipolar(雙極)器件集成在CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)器件內(nèi)部，以利用它們的優(yōu)點(diǎn)。Bipolar傳輸可提供較高的運(yùn)算速度，而CMOS傳輸具有較低的功耗和電壓噪聲。由于兩者結(jié)合了各自的優(yōu)點(diǎn)，因此BICMOS被廣泛用于集成電路制造中。
    1210
    2022/04/26
  • bicmos和cmos的區(qū)別
    這篇科普文章將討論bicmos和cmos的不同之處。
    3559
    2022/01/23
  • BICMOS工藝的工作原理 Bipolar工藝和BiCMOS工藝的區(qū)別與關(guān)系
    BICMOS（Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor）工藝是將雙極型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）結(jié)合在一起，形成混合式集成電路制造工藝。BICMOS工藝既有N-MOSFET、P-MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，又能夠利用高速度、高電流增益因子以及功放電路中所需要的高電流驅(qū)動特性等BJT元件的特點(diǎn)。BICMOS芯片可以實(shí)現(xiàn)數(shù)字電路、模擬電路和混合信號電路的功能。
    2162
    2022/01/23

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