DDR5

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DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒(méi)有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái),AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽,支持DDR5內(nèi)存,而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒(méi)有明確過(guò)DDR5內(nèi)存支持,官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會(huì)上DDR5,而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品,消費(fèi)級(jí)的估計(jì)還要再等等。

DDR5是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比,DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng),功耗更低。其它變化還有,電壓從1.2V降低到1.1V,同時(shí)每通道32/40位(ECC)、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒(méi)有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺(tái),AMD預(yù)計(jì)會(huì)在2021年的Zen4處理器上更換插槽,支持DDR5內(nèi)存,而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒(méi)有明確過(guò)DDR5內(nèi)存支持,官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會(huì)上DDR5,而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品,消費(fèi)級(jí)的估計(jì)還要再等等。收起

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  • 內(nèi)存拆解報(bào)告:光威龍武 · 奕 32GB 6000MHz DDR5內(nèi)存
    近年來(lái),新平臺(tái)已經(jīng)由DDR4內(nèi)存升級(jí)到DDR5內(nèi)存,簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),DDR5內(nèi)存具備更低的功耗,更高的頻率,以及更高的帶寬,能夠更好的滿足包括AI在內(nèi)的高性能計(jì)算需求,從而成為市場(chǎng)的主流。并且DDR5內(nèi)存現(xiàn)已推出單條64GB規(guī)格,對(duì)大內(nèi)存容量需求更加友好。
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  • 科摩思天河玄女DDR5 RGB內(nèi)存高度適配AMD平臺(tái)
    國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌KEYMOS科摩思發(fā)布天河玄女DDR5 RGB燈條,提供6000MT/s CL28超低時(shí)序,此內(nèi)存產(chǎn)品高度適配AMD平臺(tái),并支持AMD EXPO及Intel XMP 3.0雙超頻協(xié)議,助力游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者及專業(yè)用戶突破性能瓶頸。 KEYMOS科摩思天河玄女DDR5內(nèi)存條產(chǎn)品圖 特挑海力士A-die顆粒 天河玄女DDR5 RGB內(nèi)存條【特挑海力士A-die顆粒,其6000MT/s C
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  • 科摩思DDR5內(nèi)存條榮獲智臻科技年度黑馬稱號(hào)
    2024年下半年,DIY硬件市場(chǎng)迎來(lái)了兩大處理器巨頭的巔峰對(duì)決,AMD銳龍9000和Intel酷睿Ultra系列處理器的發(fā)布,其內(nèi)存頻率也得到進(jìn)一步提升,DDR5內(nèi)存成為DIY玩家的首選。 KEYMOS科摩思承影機(jī)甲DDR5產(chǎn)品圖 針對(duì)大眾游戲玩家打造的存儲(chǔ)模組產(chǎn)品,科摩思去年9月發(fā)布DDR4和DDR5規(guī)格的承影機(jī)甲馬甲條,其針對(duì)AMD平臺(tái)推出6000MT/s超低時(shí)序的CL28產(chǎn)品,同時(shí)也為Int
  • 科摩思繼年度黑馬再獲大陸內(nèi)存市場(chǎng)杰出新銳品牌
    科摩思以“南天門(mén)計(jì)劃問(wèn)天戰(zhàn)甲”為設(shè)計(jì)理念推出面向主流用戶的承影機(jī)甲馬甲條系列和針對(duì)高端游戲玩家的天河玄女和赤霄白帝RGB燈條系列產(chǎn)品。其承影機(jī)甲DDR5內(nèi)存條憑借出色的性能表現(xiàn)成為市場(chǎng)爆款產(chǎn)品,該產(chǎn)品被太平洋智臻科技評(píng)為“年度內(nèi)存黑馬”,而科摩思更是被博板堂評(píng)為“大陸內(nèi)存市場(chǎng)杰出新銳品牌”。 KEYMOS科摩思大陸內(nèi)存產(chǎn)品市場(chǎng)杰出新銳品牌獎(jiǎng)杯圖 作為超盈智能科技旗下品牌,科摩思充分依托母公司14年
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  • 中韓存儲(chǔ)技術(shù)差距縮至3年
    長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技(CXMT)已采用 16 納米技術(shù)量產(chǎn) DDR5 DRAM。據(jù)業(yè)界1月26日?qǐng)?bào)道,半導(dǎo)體市場(chǎng)研究公司TechInsights近日?qǐng)?bào)道稱,“中國(guó)分銷市場(chǎng)發(fā)布的32GB DDR5 DRAM模組由長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的16Gb(千兆位)DDR5 DRAM組成”,而“長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)最新的16?采用了‘G4’ DRAM 技術(shù)”。?TechInsights 獲取并分析了上個(gè)月上市的中國(guó) DDR5 DRAM模組。DDR5 DRAM 的容量更大,傳輸速度大約是其前身 DDR4 的兩倍。
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  • 世界唯一可超頻 OC RDIMM,單條 256GB 6000MHz 超大容量! !
    全何科技股份有限公司 (v-color Technology Inc.),作為全球高性能內(nèi)存解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,隆重宣布推出全球首款 DDR5 OC RDIMM 可超頻的大容量?jī)?nèi)存模塊。這些革命性 RDIMM 提供單模塊 128GB 和 256GB 的超大容量,支持高達(dá) 512GB(4x128GB)、1024GB(8x128GB 或 4x256GB) 以及業(yè)界首創(chuàng)的 2048GB(8x256GB)
    世界唯一可超頻 OC RDIMM,單條 256GB 6000MHz 超大容量! !
  • 存儲(chǔ)廠商沒(méi)有笑出雙十一
    國(guó)內(nèi)市場(chǎng)DRAM現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè)11月份持續(xù)走低,尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下,NAND閃存價(jià)格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計(jì),雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%,平均售價(jià)下降約 9%。在產(chǎn)品價(jià)格貢獻(xiàn)方面,2024年雙十一期間,SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一,長(zhǎng)江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼,在京東實(shí)現(xiàn)了SSD品類交易總額(GMV)和銷量的雙料第一,超過(guò)了三星。
    存儲(chǔ)廠商沒(méi)有笑出雙十一
  • AI推理內(nèi)存革命:突破瓶頸,CPU性能飛躍
    AI推理、高性能計(jì)算和實(shí)時(shí)分析等行業(yè),通常需要運(yùn)行大量的工作負(fù)載,內(nèi)存帶寬如果跟不上處理器的提升速度,往往可能會(huì)導(dǎo)致計(jì)算瓶頸,影響工作負(fù)載執(zhí)行的效率和效果,這就需要對(duì)內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行革新。
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    2024/12/05
  • 超頻好手 AKM 使用 v-color XFinity打破 DDR5 記憶體世界紀(jì)錄
    全何科技(v-color Technology Inc.)宣佈創(chuàng)造DDR5記憶體速度的新世界紀(jì)錄,其 DDR5 XFinity 記憶體模組達(dá)到了12,264MHz。此次創(chuàng)舉由超頻專家 AKM 完成,所使用的主機(jī)板為 ASRock Z890 Taichi OCF 主板搭載Intel Core Ultra 9 Arrow Lake 處理器。該紀(jì)錄已在 HWBOT 平臺(tái)上得到確認(rèn),進(jìn)一步鞏固了 v-co
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  • 存儲(chǔ)巨頭縮減生產(chǎn)比重,DDR4或?qū)⑼顺鰵v史舞臺(tái)
    作為電腦系統(tǒng)的重要硬件,內(nèi)存是計(jì)算機(jī)中用于暫時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和指令的部件,它直接與CPU相連,是CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的橋梁。內(nèi)存的速度和容量對(duì)計(jì)算機(jī)的整體性能有著直接的影響。作為計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分,內(nèi)存承擔(dān)著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與快速讀取的重任。從最早的DRAM到如今的DDR4乃至即將面世的DDR5,內(nèi)存技術(shù)不斷演進(jìn),每一次的技術(shù)革新都伴隨著性能的提升和應(yīng)用范圍的拓寬。
    存儲(chǔ)巨頭縮減生產(chǎn)比重,DDR4或?qū)⑼顺鰵v史舞臺(tái)
  • 買方優(yōu)先去庫(kù)存,2024年第四季度存儲(chǔ)器價(jià)格漲幅放緩
    2024年第三季之前,消費(fèi)型產(chǎn)品終端需求依然疲軟,由AI 服務(wù)器支撐起存儲(chǔ)器主要需求,加上HBM排擠現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品產(chǎn)能,供應(yīng)商對(duì)合約價(jià)格漲幅保持一定的堅(jiān)持。然而,近期雖有服務(wù)器OEM維持拉貨動(dòng)能,但智能手機(jī)品牌仍在觀望,TrendForce集邦咨詢預(yù)估第四季存儲(chǔ)器均價(jià)漲幅將大幅縮減,其中,一般型DRAM (Conventional DRAM)漲幅為0%至5%之間,但由于HBM比重逐漸提高,DRA
    買方優(yōu)先去庫(kù)存,2024年第四季度存儲(chǔ)器價(jià)格漲幅放緩
  • 科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時(shí)序新標(biāo)桿!
    深圳超盈智能科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“超盈”)自2011年成立以來(lái),13年的時(shí)間里一直專注于存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域。憑借敏銳的市場(chǎng)洞察和不懈的技術(shù)追求,于2013年成功研發(fā)出行業(yè)首款嵌入式測(cè)試系統(tǒng)并投入使用,正式邁入存儲(chǔ)顆粒測(cè)試領(lǐng)域,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金融、教育、智能手機(jī)、智能穿戴、智能監(jiān)控、平板電腦、智能車載、機(jī)器人、無(wú)人機(jī)及工業(yè)類電子等領(lǐng)域。 匠心筑夢(mèng),品質(zhì)為先。超盈為打造高品質(zhì)、強(qiáng)穩(wěn)定性的存儲(chǔ)解決方案,以k
    科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時(shí)序新標(biāo)桿!
  • Rambus推出DDR5客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器,將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品擴(kuò)展到高性能 PC領(lǐng)域
    作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布推出適用于下一代高性能臺(tái)式電腦和筆記本電腦的DDR5客戶端時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器(CKD)。Rambus DDR5 CKD和SPD Hub是全新客戶端內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品的一部分,將最新的服務(wù)器技術(shù)進(jìn)步帶到了客戶端市場(chǎng)。Rambus DDR5 CKD充分利用公司30多年的內(nèi)存系統(tǒng)專業(yè)知識(shí),使新的客戶端 DIMM(CSODIMM 和 CUDIMM)能夠以高達(dá)7200 MT/s的先進(jìn)數(shù)據(jù)傳輸速率運(yùn)行,并為下一代 PC帶來(lái)空前的性能。
  • 研華全新搭載Intel 12th Atom 系列嵌入式單板隆重上市
    研華隆重推出兩款由Intel Atom x7000E系列、N系列和Core i3 N系列處理器驅(qū)動(dòng)的新型單板電腦MIO-5154(3.5英寸規(guī)范)和MIO-2364(Pico-ITX規(guī)范)。這些新處理器(代號(hào):Alder Lake-N)相較于先前的版本性能提升明顯,包括1.4倍單線程性能提升、1.2倍多線程性能提升、2倍圖形性能提升,以及驚人的3.5倍AI推理能力提升。該平臺(tái)提供豐富的配置選項(xiàng),從
    研華全新搭載Intel 12th Atom 系列嵌入式單板隆重上市
  • AI 2.0時(shí)代,服務(wù)器DDR5底層架構(gòu)迎來(lái)變革
    DDR5 內(nèi)存模塊是第一個(gè)在內(nèi)存模塊上集成PMIC的主要內(nèi)存類型,未來(lái),隨著對(duì)更高性能和電源效率的需求不斷增長(zhǎng),可能會(huì)定義新型內(nèi)存模塊。而且,這些模塊很有可能繼續(xù)在模塊上集成 PMIC,以進(jìn)一步優(yōu)化電源管理并提高整體系統(tǒng)性能。
  • 全新DDR5內(nèi)存架構(gòu)滿足AI時(shí)代存儲(chǔ)需求
    尤其隨著AI技術(shù)的發(fā)展,對(duì)于應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心中的DDR存儲(chǔ)器提出了新的要求。Rambus產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁John Eble表示:“目前,隨著基于大語(yǔ)言模型(LLM)生成式AI技術(shù)的不斷發(fā)展,它的功能也變得越來(lái)越強(qiáng)大,需要實(shí)現(xiàn)多模態(tài)輸入和輸出等功能,如給AI提供一段文字作為指令,AI產(chǎn)出的內(nèi)容可能是一張圖片;或者所輸入的指令是包含了圖片和文字的組合,而AI能夠提供的是一張有改進(jìn)的圖片;也有可能輸入的時(shí)是多張圖片和一段文字,而AI能夠產(chǎn)出一段視頻,所以當(dāng)這種多模態(tài)的輸入輸出功能被實(shí)現(xiàn)以后,生成式AI將有著無(wú)限的可能性。”
    1817
    2024/07/02
    全新DDR5內(nèi)存架構(gòu)滿足AI時(shí)代存儲(chǔ)需求
  • 服務(wù)器支撐下半年需求,預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%
    根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇,加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高,使供應(yīng)商將延續(xù)漲價(jià)態(tài)度,第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價(jià)格漲幅達(dá)8~13%,其中Conventional DRAM漲幅為5-10%,較第二季漲幅略有收縮。 TrendForce集邦咨詢指出,第二季買方補(bǔ)庫(kù)存意愿漸趨保守,供應(yīng)商及
    服務(wù)器支撐下半年需求,預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%
  • Rambus 通過(guò) DDR5 服務(wù)器 PMIC 擴(kuò)展適用于高級(jí)數(shù)據(jù)中心內(nèi)存模塊的芯片組
    作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商,致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全,Rambus Inc.(納斯達(dá)克股票代碼:RMBS)今日宣布推出最先進(jìn)的全新DDR5 服務(wù)器電源管理IC(PMIC)系列,包含適用于高性能應(yīng)用的業(yè)界領(lǐng)先超高電流電源器件。憑借這一全新服務(wù)器 PMIC 系列,Rambus為模塊制造商提供了完整的DDR5 RDIMM 內(nèi)存接口芯片組,支持廣泛的數(shù)據(jù)中心用例。 Rambus 首席運(yùn)營(yíng)官范賢
    Rambus 通過(guò) DDR5 服務(wù)器 PMIC 擴(kuò)展適用于高級(jí)數(shù)據(jù)中心內(nèi)存模塊的芯片組
  • AI服務(wù)器中的高帶寬內(nèi)存(HBM)和DDR5芯片有何不同?
    某服務(wù)器廠商小姐姐來(lái)信,想了解高帶寬內(nèi)存(HBM)和DDR5芯片在速率、帶寬和芯片密度等方面的具體區(qū)別。老虎說(shuō)芯馬上安排:
    AI服務(wù)器中的高帶寬內(nèi)存(HBM)和DDR5芯片有何不同?
  • 供應(yīng)商欲積極拉高合約價(jià),然需求能見(jiàn)度仍不佳,預(yù)估第二季DRAM價(jià)格漲幅將收斂至3~8%
    目前觀察DRAM供應(yīng)商庫(kù)存雖已降低,但尚未回到健康水位,且在虧損狀況逐漸改善的情況下,進(jìn)一步提高產(chǎn)能利用率。不過(guò),由于今年整體需求展望不佳,加上去年第四季起供應(yīng)商已大幅度漲價(jià),預(yù)期庫(kù)存回補(bǔ)動(dòng)能將逐漸走弱。因此,TrendForce集邦咨詢預(yù)估, 第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將收斂至3~8%。 PC DRAM方面,順應(yīng)新CPU機(jī)種逐漸轉(zhuǎn)往DDR5的趨勢(shì),買方第二季采購(gòu)量上升。隨著原廠大幅轉(zhuǎn)進(jìn)至先進(jìn)制程
    供應(yīng)商欲積極拉高合約價(jià),然需求能見(jiàn)度仍不佳,預(yù)估第二季DRAM價(jià)格漲幅將收斂至3~8%

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