GaN HEMT

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  • 意法半導(dǎo)體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值
    意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡化電源設(shè)計，實現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計目標。 意法半導(dǎo)體的MasterGaN產(chǎn)品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN晶體管(HEMT)與優(yōu)化的柵極驅(qū)動器、系統(tǒng)保護功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極管。集成這些功能省去了設(shè)計者處理GaN晶體管柵極驅(qū)動開發(fā)難題。
    意法半導(dǎo)體新200W和500W器件提升MasterGaN系列性能和價值
  • CGD 將首次亮相中國 PCIM Asia推出易用可靠的 ICeGaN GaN HEMT 系列
    Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司，開發(fā)并大批量生產(chǎn)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 將首次參展 PCIM Asia，這是中國享譽行業(yè)的專業(yè)展會，專注于電力電子技術(shù)及其在智能移動、可再生能源和能源管理方面的應(yīng)用。
  • 替換Si MOSFET這個創(chuàng)新打破了GaN HEMT應(yīng)用的兩個難題
    當前，以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體在功率器件中的滲透率正在逐年上升。根據(jù)Yole的預(yù)測，雖然Si仍是功率半導(dǎo)體材料主流，但今年SiC的滲透率將有望達到3.75%，GaN的滲透率達到1.0%。?
    替換Si MOSFET這個創(chuàng)新打破了GaN HEMT應(yīng)用的兩個難題
  • 實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試
    氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關(guān)速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結(jié)果。 傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費類電子市場，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動汽車行業(yè)開拓新的應(yīng)用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的
    實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試
  • AMEYA360:ROHM具有業(yè)界高性能的650V耐壓GaN HEMT
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride：氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務(wù)器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。
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    2023/05/19