GaN器件

• 英諾賽科/英飛凌GaN創(chuàng)新：1200V；集成二極管

  4月14日，英諾賽科（02577）發(fā)布公告，宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)介紹，該產(chǎn)品憑借其寬禁帶特性，在高壓高頻場(chǎng)景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)，具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢(shì)，有助于進(jìn)一步推動(dòng)能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應(yīng)用于新能源車、工業(yè)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

  行家說三代半

  880

  04/16 13:30

  英飛凌 英諾賽科
• 意法半導(dǎo)體65W GaN變換器為注重成本的應(yīng)用提供節(jié)省空間的電源方案

  意法半導(dǎo)體的 VIPerGaN65D 反激式轉(zhuǎn)換器采用SOIC16封裝，可以用于設(shè)計(jì)體積較小的高性價(jià)比電源、適配器和 USB-PD (電力輸送) 快速充電器，最大輸出功率可達(dá)65W，輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。 這款準(zhǔn)諧振離線變換器集成一個(gè)700V GaN (氮化鎵) 晶體管和優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)器及典型的安全保護(hù)功能，降低了利用寬帶隙技術(shù)提高功率密度和能效的技術(shù)門檻。GaN功率晶體管的最高開關(guān)頻率為240

  與非網(wǎng)編輯

  676

  03/25 08:52

  意法半導(dǎo)體 晶體管

  
• Nexperia擴(kuò)展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應(yīng)用中的功率需求

  Nexperia宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場(chǎng)對(duì)更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長(zhǎng)的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個(gè)市場(chǎng)，包括消費(fèi)電子、工業(yè)、服務(wù)器/計(jì)算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場(chǎng)景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內(nèi)少有、同時(shí)提供級(jí)聯(lián)型或D-

  與非網(wǎng)編輯

  570

  03/19 08:17

  LED驅(qū)動(dòng)器 bms

  
• PD協(xié)議芯片：推動(dòng)快充技術(shù)革新的核心引擎

  一、技術(shù)定義與標(biāo)準(zhǔn)化架構(gòu)? PD協(xié)議芯片（Power Delivery）是一種基于USB-IF組織制定的通用充電標(biāo)準(zhǔn)的核心集成電路，通過動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)電壓（5-20V）與電流（最高5A），實(shí)現(xiàn)最高100W的電力傳輸能力?。其標(biāo)準(zhǔn)化特性打破了品牌私有快充協(xié)議的壁壘，成為跨設(shè)備兼容性最強(qiáng)的解決方案。例如，XSQ10芯片支持USB Type-C接口，可兼容智能手機(jī)、筆記本電腦等各類終端設(shè)備。 ?二、核心功能與

  eefocus_3964824

  1582

  02/24 07:04

  PD協(xié)議 GaN器件
• 深入解析 GaN 器件金剛石近結(jié)散熱技術(shù)：鍵合、生長(zhǎng)、鈍化生長(zhǎng)

  在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領(lǐng)域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不斷提升，器件內(nèi)部的熱積累問題日益嚴(yán)重，成為制約其發(fā)展的主要瓶頸。

  DT半導(dǎo)體

  2398

  01/16 09:17

  散熱 金剛石

  
• 緯湃科技采用英飛凌CoolGaN?晶體管，打造功率密度領(lǐng)先的DC-DC轉(zhuǎn)換器

  直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中都是必不可少的，用于連接高壓電池和低壓輔助電路。這包括12 V電源的前大燈、車內(nèi)燈、雨刮和車窗電機(jī)、風(fēng)扇，以及48 V電源的泵、轉(zhuǎn)向驅(qū)動(dòng)裝置、照明系統(tǒng)、電加熱器和空調(diào)壓縮機(jī)。此外，DC-DC轉(zhuǎn)換器對(duì)于開發(fā)更多具有低壓功能的經(jīng)濟(jì)節(jié)能車型也十分重要。TechInsights1的數(shù)據(jù)顯示，2023年全球汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器的市場(chǎng)規(guī)模為40億美元，預(yù)

  與非網(wǎng)編輯

  1123

  2024/08/16

  英飛凌 轉(zhuǎn)換器

  
• 名古屋大學(xué)諾獎(jiǎng)團(tuán)隊(duì)Nature：GaN新型超晶格結(jié)構(gòu)，為增強(qiáng)GaN器件性能提供選擇！

  近日，日本名古屋大學(xué)（Nagoya University）的一項(xiàng)新研究發(fā)現(xiàn)，將氮化鎵（GaN）和鎂（Mg）簡(jiǎn)單熱反應(yīng)就會(huì)形成獨(dú)特的超晶格結(jié)構(gòu)。這是研究人員首次發(fā)現(xiàn)可以將二維金屬層插入塊狀半導(dǎo)體中，這有望提高GaN半導(dǎo)體器件性能。同時(shí)這項(xiàng)新結(jié)構(gòu)的發(fā)現(xiàn)，打開了半導(dǎo)體材料新型摻雜機(jī)制和薄膜材料新型形變機(jī)制的兩扇新窗。研究人員將這一發(fā)現(xiàn)稱為“大自然的饋贈(zèng)”，它可能會(huì)開辟新的途徑并激發(fā)該領(lǐng)域更多的基礎(chǔ)研究。

  DT半導(dǎo)體

  2782

  2024/07/22

  GaN GaN器件
• 梁劍波教授：金剛石是GaN最好的朋友！實(shí)現(xiàn)GaN與金剛石的直接鍵合，有望解決半導(dǎo)體發(fā)熱問題

  自從2012年梁劍波教授加入大阪市立大學(xué)（2020年，大阪市立大學(xué)和大阪府立大學(xué)進(jìn)行合并，更名為日本大阪公立大學(xué)）以來，“GaN/金剛石/Ga2O3、鍵合工藝、界面研究、異質(zhì)結(jié)、界面熱阻、熱管理……”成為其主頁標(biāo)簽。

  DT半導(dǎo)體

  9330

  2024/04/09

  GaN 氮化鎵

  
• 降本25%！GaN進(jìn)軍汽車、醫(yī)療等市場(chǎng)

  近日，GaN領(lǐng)域新增4起應(yīng)用案例，涉及汽車、電源及驅(qū)動(dòng)器等。1月25日，據(jù)外媒消息，納微與知名汽車供應(yīng)商Shinry成立了一個(gè)聯(lián)合研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，旨在加速開發(fā)以納微GaNFast技術(shù)為基礎(chǔ)的新能源汽車（NEV）電源系統(tǒng)。

  行家說三代半

  831

  2024/02/23

  GaN 氮化鎵
• 三安半年報(bào)：SiC業(yè)務(wù)增長(zhǎng)178.86%，900V GaN器件完成開發(fā)

  8月4日晚間，三安光電公布了2023年半年報(bào)，報(bào)告期內(nèi)整體營(yíng)收約64.69億元，同比下降4.33%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)1.7億元，同比下降 81.76%；歸屬于上市公司股東的扣非凈利潤(rùn)為-5.55億元，總體情況大致與7月份公布的業(yè)績(jī)預(yù)告相符。

  化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

  1596

  2023/08/08

  SiC 碳化硅

  
• 這家GaN器件廠在意大利設(shè)立電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中心

  ???????9月14日，專注于開發(fā)增強(qiáng)型硅基GaN FETs器件的電源轉(zhuǎn)換公司EPC宣布，已在意大利都靈（Turin, Italy）附近設(shè)立了新的設(shè)計(jì)應(yīng)用中心，聚焦GaN電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，面向電動(dòng)出行、機(jī)器人、無人機(jī)及工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)。

  化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

  521

  2022/09/21

  EPC GaN器件
• ROHM確立柵極耐壓高達(dá)8V的150V GaN HEMT的量產(chǎn)體制

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列”的量產(chǎn)體制，該系列產(chǎn)品的柵極耐壓*2高達(dá)8V，非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。

  與非網(wǎng)編輯

  288

  2022/03/24

  ROHM GaN器件
• GaN器件在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中具有更高性價(jià)比

  為了獲得更高的系統(tǒng)效率， GaN器件用于智能電機(jī)驅(qū)動(dòng)成為發(fā)展方向。在GaN器件中引入一個(gè)線性電容能夠有效控制開關(guān)速率，以最大程度地降低EMI和電壓應(yīng)力，同時(shí)保持高效率。

  與非網(wǎng)編輯

  366

  2021/09/15

  GaN 氮化鎵
• 什么是氮化鎵半導(dǎo)體器件 氮化鎵半導(dǎo)體器件特點(diǎn)是什么

  氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體器件是一種在射頻（RF）、微波、功率電子和光電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)。

  eefocus_3901714

  1330

  2024/04/08

  GaN 氮化鎵

正在努力加載...