GaN技術

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  • 金剛石基GaN技術解決熱管理散熱難題
    DT半導體獲悉，在當今科技飛速發(fā)展的時代，電子器件的性能提升備受關注，而散熱問題始終是制約其發(fā)展的關鍵因素之一。 氮化鎵（GaN）作為高頻、高功率微波功率器件的理想材料，在眾多領域有著廣泛應用。 然而，隨著GaN HEMT（高遷移率晶體管）器件功率密度及頻率的不斷提高，散熱問題日益凸顯，已成為性能進一步提升的瓶頸。
    金剛石基GaN技術解決熱管理散熱難題
  • GaN進軍醫(yī)療市場，僅CT設備規(guī)模就超300億元
    回顧前幾期《行家瞭望》，英飛凌和EPC等行業(yè)巨頭紛紛押注GaN技術，認為其正處于被更多行業(yè)采用的臨界點。近期，“行家說三代半”也發(fā)現(xiàn)了GaN在醫(yī)療領域的廣泛應用前景，以下是一些具體的應用案例：
    GaN進軍醫(yī)療市場，僅CT設備規(guī)模就超300億元
  • 德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規(guī)模， 產(chǎn)能提升至原來的四倍
    德州儀器 (TI)（納斯達克股票代碼：TXN）近日宣布，公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導體已在日本會津工廠開始投產(chǎn)。隨著會津工廠投產(chǎn)，加上德州儀器現(xiàn)有 GaN 制造產(chǎn)能，德州儀器的 GaN 功率半導體自有制造產(chǎn)能將提升至原來的四倍。 德州儀器技術和制造集團高級副總裁 Mohammad Yunus 表示：“基于在 GaN 芯片設計和制造領域數(shù)十年的專業(yè)知識，我們已成功驗證了德州儀器 8 英寸
    德州儀器擴大氮化鎵（GaN）半導體自有制造規(guī)模， 產(chǎn)能提升至原來的四倍
  • Qorvo? 率先推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器
    全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）宣布，率先推出面向 DOCSIS 4.0 寬帶和有線電視（CATV）的 24V 功率倍增放大器——QPA3390。該款全新 1.8GHz 表面貼裝模塊帶來卓越的效率和性能，且尺寸比傳統(tǒng)混合解決方案縮小 30-40%，非常適合空間受限的應用場景。 得益于先進的 GaAs pHEMT 和 GaN HEMT 技術，此次發(fā)布的 QP
    Qorvo? 率先推出面向 DOCSIS 4.0 的 24V 功率倍增器
  • 這家GaN公司正式被收購，買方竟是它！
    近年來，GaN（氮化鎵）技術得益于高頻率、高功率、耐高溫、低功耗等特性，迅速滲透消費電子市場，并進一步向更高功率的應用市場探索。然而，在消費電子市場的發(fā)展空間不斷縮小之際，GaN在高壓高功率市場的發(fā)展不如預期，在此背景下，多家廠商因經(jīng)營不佳，相繼選擇調整業(yè)務，或并入實力雄厚的功率半導體大廠，或直接退出市場。
    這家GaN公司正式被收購，買方竟是它！