MOS管

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PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。收起

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  • 南芯科技推出內置MOS管的高集成度升降壓充電芯片
    南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專為常見的 2 串電池 30W 充電寶應用進行了效率優(yōu)化，可有效降低外殼溫升，為用戶提供更安全、更高效的充電體驗。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預充電、恒流充電、恒壓充電、自動終止等多種模式，助力客戶實現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。
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  • 從焊接虛焊到靜電擊穿：MDDMOS管安裝環(huán)節(jié)的問題
    在電子制造中，MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風險。某智能手表產(chǎn)線因焊接虛焊導致30%的MOS管失效，返工成本超百萬。本文MDD通過典型故障案例，剖析安裝過程中的五大核心問題，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、焊接虛焊：IMC層的致命缺陷 案例：某無人機電調批量出現(xiàn)MOS管功能異常，X射線檢測顯示焊點空洞率達25%。 機理分析： 焊接溫度曲線偏差（峰值溫度未達235℃），導致錫膏與銅層間未形成均勻的IM
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  • 驅動電路設計踩坑錄：MDDMOS管開關異常的診斷與修復
    在電力電子系統(tǒng)中，MDDMOS管的開關異常往往導致效率驟降、EMI超標甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅動波形振蕩引發(fā)MOS管過熱，導致整機返修率高達15%。本文結合典型故障案例，剖析驅動電路設計中的四大關鍵陷阱，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、柵極振蕩：探針引發(fā)的“假故障” 故障現(xiàn)象： 某變頻器驅動波形實測時出現(xiàn)20MHz高頻振蕩，但上機后MOS管溫升異常。 根因分析： 傳統(tǒng)探針接地線過長（&
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  • MOS管發(fā)燙嚴重：從散熱設計到驅動波形的優(yōu)化實戰(zhàn)|MDD
    在電機驅動、電源轉換等場景中，MDDMOS管嚴重發(fā)熱是工程師面臨的常見挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅動器因MOS管溫升達105℃，導致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過溫保護。本文通過解析發(fā)熱機理，結合實測數(shù)據(jù)，提供從散熱設計到驅動優(yōu)化的系統(tǒng)性解決方案。 一、發(fā)熱根源：損耗模型的精準拆解 MOS管發(fā)熱本質是能量損耗的累積，主要包含： 導通損耗：P=IMsxRs(o)xD， 某50A電機驅動案例中，Rds(on)=5mΩ，占空比D
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  • MOS管選型十大陷阱：參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓MDD
    在電力電子設計中，MOS管選型失誤導致的硬件失效屢見不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管，直接損失50萬元。本文以真實案例為鑒，MDD辰達半導體帶您解析MOS管選型中的十大參數(shù)陷阱，為工程師提供避坑指南。 一、VDS耐壓虛標：動態(tài)尖峰的致命盲區(qū) 誤讀后果：某充電樁模塊標稱650V耐壓MOS管，實際測試中因關斷尖峰達720V導致批量擊穿。 數(shù)據(jù)手冊陷阱：廠家標稱VDS為直流耐壓值，未考慮動態(tài)
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