SiC-MOSFET

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  • 為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
    如今，數(shù)據(jù)中心迫切需要能夠高效轉(zhuǎn)換電能的功率半導(dǎo)體，以降低成本并減少排放。更高的電源轉(zhuǎn)換效率意味著發(fā)熱量減少，從而降低散熱成本。電源系統(tǒng)需要更低的系統(tǒng)總成本和緊湊的尺寸；因此必須提高功率密度，尤其是數(shù)據(jù)中心的平均功率密度正在迅速攀升。從十年前的每個(gè)1U機(jī)架通常只有5 kW，增加到現(xiàn)在的20 kW、30 kW 或更高。
    為什么超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心要選用SiC MOSFET？
  • 交付超千萬(wàn)顆！5家SiC企業(yè)透露業(yè)務(wù)進(jìn)展
    近期，“行家說(shuō)三代半”發(fā)現(xiàn)，國(guó)內(nèi)外又有5家SiC相關(guān)企業(yè)透露合作及交付進(jìn)展。9月27日，瞻芯電子在官微透露，自2020年正式發(fā)布第一代SiC MOSFET產(chǎn)品以來(lái)，他們已累計(jì)交付SiC MOSFET產(chǎn)品
    交付超千萬(wàn)顆！5家SiC企業(yè)透露業(yè)務(wù)進(jìn)展
  • 2個(gè)晶圓廠新進(jìn)度：正式投片；車(chē)規(guī)SiC MOS亮相
    近日，國(guó)內(nèi)2家碳化硅IDM廠商實(shí)現(xiàn)了晶圓廠和車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOS產(chǎn)品方面的突破：9月20日，昕感科技官微宣布，他們于當(dāng)日順利完成晶圓廠首批投片，標(biāo)志著昕感晶圓廠正式進(jìn)入全面營(yíng)運(yùn)階段。
    2個(gè)晶圓廠新進(jìn)度：正式投片；車(chē)規(guī)SiC MOS亮相
  • 推動(dòng)8吋SiC量產(chǎn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)又解決一大難題
    業(yè)界普遍認(rèn)為，SiC MOSFET大規(guī)模替代的硅基IGBT的臨界點(diǎn)是價(jià)差縮小至2.5倍以下，而實(shí)現(xiàn)這一預(yù)期的關(guān)鍵在于降低SiC襯底成本，而高質(zhì)量、大直徑的8英寸SiC襯底片是降低SiC MOSFET器件成本的有效途徑。
    推動(dòng)8吋SiC量產(chǎn)，國(guó)內(nèi)企業(yè)又解決一大難題
  • 5款SiC新品亮相，真的有點(diǎn)猛！
    在過(guò)去一年里，SiC產(chǎn)品迎來(lái)大爆發(fā)；2024開(kāi)年以來(lái)，包括Qorvo、三菱電機(jī)、至信微等企業(yè)也紛紛推出碳化硅新品，積極打進(jìn)汽車(chē)和飛機(jī)供應(yīng)鏈，牽頭再譜新年新篇章。
    5款SiC新品亮相，真的有點(diǎn)猛！
  • 飛锃半導(dǎo)體：SiC MOS出貨量飆升，5大策略應(yīng)對(duì)“內(nèi)卷”
    回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來(lái)哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？本期嘉賓是飛锃半導(dǎo)體CEO 周永昌。
    飛锃半導(dǎo)體：SiC MOS出貨量飆升，5大策略應(yīng)對(duì)“內(nèi)卷”
  • 中科漢韻：車(chē)規(guī)SiC MOS成功交付，致力成為一流IDM廠商
    回首2023，碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步？出現(xiàn)了哪些變化？2024將迎來(lái)哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)？
    中科漢韻：車(chē)規(guī)SiC MOS成功交付，致力成為一流IDM廠商
  • 功率器件，2024年的機(jī)會(huì)在哪里？
    2023年對(duì)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)并不輕松。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)，2023年半導(dǎo)體元器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為5201億美元，下跌9.4%，在所有元器件細(xì)分品類(lèi)中，以功率器件為代表的分立器件是去年唯一正增長(zhǎng)的，全年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)5.8%。 作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，按照下游應(yīng)用劃分，汽車(chē)領(lǐng)域占比達(dá)40%，其次是工業(yè)占比27%，消費(fèi)電子占13%，其他領(lǐng)域（如通訊、計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域）占20%
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    2024/01/11
    功率器件，2024年的機(jī)會(huì)在哪里？
  • 比亞迪汽車(chē)出手，SiC新增2個(gè)賽道
    比亞迪汽車(chē)是國(guó)內(nèi)首個(gè)將SiC MOSFET應(yīng)用于主驅(qū)的廠商，并且車(chē)載電源也大力導(dǎo)入了SiC技術(shù)，最近，比亞迪又采用了基于SiC的電池分容和檢測(cè)設(shè)備：● 瑞能股份：獲比亞迪化成分容產(chǎn)線“最佳交付供應(yīng)商”認(rèn)可，該產(chǎn)線采用碳化硅技術(shù)；● 德普電氣：與比亞迪達(dá)成100臺(tái)套檢測(cè)設(shè)備訂單合作，該設(shè)備采用碳化硅技術(shù)。
    比亞迪汽車(chē)出手，SiC新增2個(gè)賽道
  • 目標(biāo)80萬(wàn)輛！這家車(chē)企將推3款SiC車(chē)型
    理想汽車(chē)與SiC廠商達(dá)成合作，將訂購(gòu)SiC MOSFET進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)。預(yù)計(jì)2024年將推出3款純電車(chē)型，明年的汽車(chē)銷(xiāo)量將挑戰(zhàn)80萬(wàn)輛。12月22日，意法半導(dǎo)體官微宣布，他們已與理想汽車(chē)簽署了一項(xiàng)SiC長(zhǎng)期供貨協(xié)議。根據(jù)協(xié)議, 意法半導(dǎo)體將為理想汽車(chē)提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車(chē)進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)的戰(zhàn)略部署。
    目標(biāo)80萬(wàn)輛！這家車(chē)企將推3款SiC車(chē)型
  • 浮思特| SiC MOSFET和IGBT在短路時(shí)的對(duì)比
    基于溝道的硅碳功率金氧半場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFETs）為電力轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)設(shè)備的性能優(yōu)化系數(shù)（FOM）帶來(lái)了顯著提升。這讓系統(tǒng)性能得以凸顯，提高了多種應(yīng)用的效率和功率密度，并降低了整體系統(tǒng)的成本。
  • 浮思特| SiC MOS 、IGBT和超結(jié)MOS對(duì)比
    在經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)積累后，硅碳化物 (SiC) MOSFET因其強(qiáng)大的擊穿場(chǎng)和較低的損耗特性，逐漸受到工程師們的熱烈追捧。目前，它們主要用于以絕緣柵雙極晶體管（IGBT）為主導(dǎo)的鍵合部件領(lǐng)域。然而，在當(dāng)今功率設(shè)備的大格局中，SiC MOSFET到底扮演了何種角色？
  • 浮思特| 如何為SiC MOSFET選擇合適的柵極驅(qū)動(dòng)器
    額外的電路通常比專用 SiC 占用更多的空間。因此，高端設(shè)計(jì)通常選擇專用的 SiC 核心驅(qū)動(dòng)器，這會(huì)考慮到更快的開(kāi)關(guān)、過(guò)壓條件以及噪聲和 EMI 等問(wèn)題。他說(shuō)：“你總是可以使用標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)器，但你必須用額外的電路來(lái)補(bǔ)充它，通常這就是權(quán)衡?！?/div>
  • 浮思特| SiC MOSFET逆變器的創(chuàng)新應(yīng)用
    電動(dòng)汽車(chē)（EV）制造商在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)不斷崛起之前，仍需克服多項(xiàng)關(guān)鍵挑戰(zhàn)。盡管電動(dòng)汽車(chē)已經(jīng)在縮小與傳統(tǒng)燃油汽車(chē)的市場(chǎng)份額差距方面取得了顯著進(jìn)展，但仍面臨著一系列問(wèn)題。其中最主要的挑戰(zhàn)包括續(xù)航里程和充電時(shí)間的提升。
  • 浮思特| 什么是SiC MOSFET？
    碳化硅，或SiC，作為一種半導(dǎo)體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應(yīng)用于電源電子領(lǐng)域。相較于其他可用技術(shù)，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應(yīng)用帶來(lái)了新的可能性。
  • Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)
    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
    Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)
  • 英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度
    英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝產(chǎn)品。其采用成熟的62 mm 器件半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì)并基于新推出的增強(qiáng)型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。該封裝使SiC能夠應(yīng)用于250 kW以上的中等功率等級(jí)應(yīng)用，而傳統(tǒng)IGBT硅技術(shù)在這一功率等級(jí)應(yīng)用的的功率密度已達(dá)極限值。相比傳統(tǒng)的62mm IGBT 模塊，其應(yīng)用范圍現(xiàn)已擴(kuò)展至太陽(yáng)能、服務(wù)器、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車(chē)充電樁、牽引、商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。
    英飛凌推出全新62 mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度
  • 浮思特 | 什么是SiC MOSFET？
    碳化硅，或SiC，作為一種半導(dǎo)體材料，正在逐漸嶄露頭角，廣泛應(yīng)用于電源電子領(lǐng)域。相較于其他可用技術(shù)，碳化硅MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）表現(xiàn)出顯著的性能提升，為眾多電子應(yīng)用帶來(lái)了新的可能性。
  • Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
    Nexperia今天宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。
  • 一步步糾正關(guān)于SiC MOSFET短路認(rèn)知誤區(qū)
    本期是和ChatGPT辯論的第五回合，英飛凌趙工出場(chǎng)了（第四回合回顧）。趙工內(nèi)心OS：往期雖然ChatGPT有時(shí)表現(xiàn)得可圈可點(diǎn)，但有時(shí)也不知所云。都說(shuō)人工智能模型需要訓(xùn)練，它會(huì)自我學(xué)習(xí)迭代。不如今天來(lái)刻意訓(xùn)練一下ChatGPT，或許就能獲得一只精通功率器件的AI，將來(lái)就能替我回復(fù)客戶問(wèn)題？
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    2023/11/06
    一步步糾正關(guān)于SiC MOSFET短路認(rèn)知誤區(qū)

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