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技術(shù)課堂之八 | 榮湃數(shù)字隔離器抗干擾性能分析

2024/12/02
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數(shù)字隔離器廣泛應(yīng)用于數(shù)字電源、工業(yè)控制設(shè)備、新能源汽車智能家電等領(lǐng)域,這些應(yīng)用環(huán)境都要求數(shù)字隔離器在受到各種電磁干擾的情況下,依然能可靠傳輸數(shù)據(jù)。數(shù)字隔離器在承受電磁干擾情況下可靠傳輸數(shù)據(jù)的能力可以通過(guò)共模瞬態(tài)抑制比(以下簡(jiǎn)稱CMTI)、工頻磁場(chǎng)抗擾度和脈沖磁場(chǎng)抗擾度等指標(biāo)進(jìn)行評(píng)價(jià)。

# 榮湃數(shù)字隔離器CMTI性能 #

2Pai Semi

CMTI性能表征數(shù)字隔離器兩側(cè)的GND之間有快速共模瞬變電壓時(shí),保持輸出信號(hào)正確的能力。

榮湃半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)積累和沉淀,已將E/M系列產(chǎn)品的CMTI值提高到120KV/us,U系列產(chǎn)品CMTI值提高到250KV/us,這意味著隔離產(chǎn)品在10ns時(shí)間,E/M系列共模電壓瞬變1200V,U系列共模電壓瞬變2500V,依然可以保證產(chǎn)品可靠工作。

▲圖1 CMTI測(cè)試原理圖

CMTI測(cè)試平臺(tái)的搭建:圖1所示為CMTI測(cè)試原理圖,隔離器1側(cè)和2側(cè)獨(dú)立供電,1測(cè)試輸入信號(hào)為高電平或低電平,通過(guò)G1在GND1和GND2施加共模瞬態(tài)干擾,檢測(cè)輸出端口信號(hào)是否和輸入信號(hào)保持一致。

02、

▲圖2 CMTI測(cè)試平臺(tái)

圖2所示為CMTI測(cè)試板與實(shí)驗(yàn)平臺(tái),1次側(cè)采用電池供電,2次側(cè)采用普通電源供電,示波器檢測(cè)2次側(cè)的輸出波形和共模瞬變電壓波形,通過(guò)輸出保持正確時(shí),最大共模電壓瞬變值來(lái)計(jì)算數(shù)字隔離器的實(shí)際CMTI能力。

下文以榮湃E/M系列產(chǎn)品測(cè)試波形為例進(jìn)行分析說(shuō)明。

03

▲圖3a 正共模電壓(輸入為高)測(cè)試波形

▲圖3b 正共模電壓(輸入為低)測(cè)試波形

圖3為正共模瞬變電壓下測(cè)試波形。圖中綠色為輸入波形,紅色為輸出波形,藍(lán)色為共模瞬變電壓波形。如圖3a所示,在輸入為高的情況下,共模電壓在5ns時(shí)間變化653V,輸出依然高電平,因此這個(gè)模式下,CMTI值超過(guò)130KV/us。同理,在輸入為低的情況下,CMTI值超過(guò)124KV/us

04

▲圖4a 負(fù)共模電壓(輸入為高)測(cè)試波形

▲圖4b 負(fù)共模電壓(輸入為低)測(cè)試波形

圖4為負(fù)共模瞬變電壓下測(cè)試波形,圖中綠色為電池電源電壓,紅色為輸出波形,藍(lán)色為共模瞬變電壓波形。在輸入為高的情況下,CMTI值超過(guò)167KV/us,在輸入為低的情況下,CMIT值達(dá)到184KV/us。

# 榮湃數(shù)字隔離器磁場(chǎng)抗擾度性能 #

2Pai Semi

根據(jù)IEC61000-4-8工頻磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試規(guī)范和IEC61000-4-9脈沖磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試規(guī)范搭建的測(cè)試平臺(tái)如圖5a和圖5b所示。

05

▲圖5a 工頻磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)臺(tái)

▲圖5b 脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)臺(tái)

測(cè)試結(jié)果見(jiàn)下表1所示,榮湃數(shù)字隔離器工頻磁場(chǎng)抗擾度滿足100A/m和脈沖磁場(chǎng)抗擾度滿足1000A/m,性能優(yōu)異。

▲表1榮湃數(shù)字隔離器磁場(chǎng)抗擾度測(cè)試結(jié)果

實(shí)驗(yàn)小結(jié)

榮湃半導(dǎo)體

榮湃數(shù)字隔離器具有很強(qiáng)抗干擾能力,可以在電磁干擾嚴(yán)重的環(huán)境中可靠工作。榮湃E/M系列產(chǎn)品具有超過(guò)120KV/us的CMTI性能,U系列產(chǎn)品具有超過(guò)250KV/us的CMTI性能。同時(shí),工頻磁場(chǎng)抗擾度可以通過(guò)100A/m,脈沖磁場(chǎng)抗擾度可以通過(guò)1000A/m。

榮湃半導(dǎo)體

榮湃半導(dǎo)體

榮湃半導(dǎo)體(上海)有限公司成立于2017年(以下簡(jiǎn)稱“榮湃半導(dǎo)體”或“公司”),專注于高性能、高品質(zhì)模擬芯片的設(shè)計(jì)與研發(fā),致力于成為全球技術(shù)領(lǐng)先的高性能模擬集成電路產(chǎn)品供應(yīng)商。 公司產(chǎn)品包括數(shù)字隔離器、驅(qū)動(dòng)(Si/SiC MOSFET、IGBT)、接口(CAN、RS485、I2C)、采樣(放大器、ADC)等,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)控制、能源電源、消費(fèi)電子等領(lǐng)域,產(chǎn)品性能和品質(zhì)對(duì)標(biāo)世界一流模擬集成電路廠商同類產(chǎn)品,部分關(guān)鍵性能指標(biāo)有所超越。憑借獨(dú)創(chuàng)的電容智能分壓技術(shù)(iDivider技術(shù)),斬獲多項(xiàng)隔離領(lǐng)域發(fā)明專利,實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)隔離芯片的突破。 榮湃半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)匯集了眾多國(guó)內(nèi)外模擬芯片領(lǐng)域精英,擁有先進(jìn)的模擬集成電路設(shè)計(jì)、工藝、測(cè)試技術(shù)等經(jīng)驗(yàn)。從創(chuàng)業(yè)至今,公司始終秉承“用芯創(chuàng)造新價(jià)值”的行動(dòng)理念,從問(wèn)題的本質(zhì)出發(fā),探索解決問(wèn)題的新方法,同時(shí)緊跟市場(chǎng)需求的變化,守正創(chuàng)新,為客戶創(chuàng)造高品質(zhì)、高性價(jià)比產(chǎn)品,不斷開(kāi)創(chuàng)集成電路領(lǐng)域技術(shù)革新,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代,為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新提供新思路,為社會(huì)創(chuàng)造新價(jià)值。https://www.rpsemi.com/

榮湃半導(dǎo)體(上海)有限公司成立于2017年(以下簡(jiǎn)稱“榮湃半導(dǎo)體”或“公司”),專注于高性能、高品質(zhì)模擬芯片的設(shè)計(jì)與研發(fā),致力于成為全球技術(shù)領(lǐng)先的高性能模擬集成電路產(chǎn)品供應(yīng)商。 公司產(chǎn)品包括數(shù)字隔離器、驅(qū)動(dòng)(Si/SiC MOSFET、IGBT)、接口(CAN、RS485、I2C)、采樣(放大器、ADC)等,廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)控制、能源電源、消費(fèi)電子等領(lǐng)域,產(chǎn)品性能和品質(zhì)對(duì)標(biāo)世界一流模擬集成電路廠商同類產(chǎn)品,部分關(guān)鍵性能指標(biāo)有所超越。憑借獨(dú)創(chuàng)的電容智能分壓技術(shù)(iDivider技術(shù)),斬獲多項(xiàng)隔離領(lǐng)域發(fā)明專利,實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)隔離芯片的突破。 榮湃半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)匯集了眾多國(guó)內(nèi)外模擬芯片領(lǐng)域精英,擁有先進(jìn)的模擬集成電路設(shè)計(jì)、工藝、測(cè)試技術(shù)等經(jīng)驗(yàn)。從創(chuàng)業(yè)至今,公司始終秉承“用芯創(chuàng)造新價(jià)值”的行動(dòng)理念,從問(wèn)題的本質(zhì)出發(fā),探索解決問(wèn)題的新方法,同時(shí)緊跟市場(chǎng)需求的變化,守正創(chuàng)新,為客戶創(chuàng)造高品質(zhì)、高性價(jià)比產(chǎn)品,不斷開(kāi)創(chuàng)集成電路領(lǐng)域技術(shù)革新,實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代,為中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新提供新思路,為社會(huì)創(chuàng)造新價(jià)值。https://www.rpsemi.com/收起

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