內(nèi)存市場(chǎng)下半年有望回暖，服務(wù)器內(nèi)存接口迎重大機(jī)遇！

隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載不斷增加、演進(jìn)，對(duì)數(shù)據(jù)中心的性能要求也持續(xù)地快速增長(zhǎng)，進(jìn)而要求更大的內(nèi)存帶寬和容量。為了滿足這些工作負(fù)載的基本需求，提高服務(wù)器內(nèi)存解決方案的性能，DDR5 生態(tài)系統(tǒng)正在變得越來(lái)越重要。

IDC內(nèi)存半導(dǎo)體部門副總裁Soo-Kyoum Kim表示：“DDR5大幅提升了計(jì)算系統(tǒng)的性能。隨著數(shù)據(jù)中心應(yīng)用更加頻繁地要求越來(lái)越高的內(nèi)存帶寬，DDR5生態(tài)系統(tǒng)將成為提升下一代數(shù)據(jù)中心性能提升這一基本需求的關(guān)鍵。”

高速服務(wù)器內(nèi)存接口芯片組加速創(chuàng)新

高速服務(wù)器內(nèi)存接口芯片組也由此迎來(lái)了重大機(jī)遇，優(yōu)化服務(wù)器內(nèi)存架構(gòu)設(shè)計(jì)、提升服務(wù)器內(nèi)存模塊的性能，對(duì)于提高整體服務(wù)器性能和可靠性非常關(guān)鍵。

Rambus在提升服務(wù)器內(nèi)存解決方案性能、滿足每一代服務(wù)器平臺(tái)內(nèi)存需求的道路上在不斷突破。今年2月，Rambus推出了6400 MT/s DDR5寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器（RCD），并向各大DDR5內(nèi)存模塊（RDIMM）制造商提供樣品。相比第一代 4800 MT/s解決方案，Rambus 第三代6400 MT/s DDR5 RCD的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬提高了33%，使數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的主內(nèi)存性能達(dá)到了一個(gè)新的水平。該產(chǎn)品的延遲和功耗均達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，其經(jīng)過(guò)優(yōu)化的時(shí)序參數(shù)將提高RDIMM的裕量。

Rambus內(nèi)存互連芯片業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁John Eble指出，服務(wù)器的快速發(fā)展帶來(lái)了更高的容量，但同時(shí)也帶來(lái)了挑戰(zhàn)，例如：對(duì)每個(gè)CPU的插槽帶來(lái)了更高的帶寬需求；必須要保證在64字節(jié)高速緩存行中相同的內(nèi)存讀取粒度；在RAS性能方面，包括可靠性、可用性和可維護(hù)性等，都要得到提升；包括像SECDED這樣的單錯(cuò)校正和雙錯(cuò)檢測(cè)，以及像chipkill等技術(shù)，都是必須要做到的。面對(duì)更大的容量和更高的帶寬，如何能夠在性能保持不變的情況下將產(chǎn)品的運(yùn)行維持在正確的冷卻功率范圍之內(nèi)？這其實(shí)對(duì)新的服務(wù)器帶來(lái)了很大挑戰(zhàn)。

隨著CPU核心數(shù)量和計(jì)算性能的持續(xù)增加，內(nèi)存帶寬和容量也必須成比例地?cái)U(kuò)展，這是DDR5推出的根本動(dòng)力所在。而DDR5最亮眼的部分，就是速度比已經(jīng)“超級(jí)快”的DDR4還要快。與DDR4內(nèi)存最高3.2Gbps的傳輸速度相比，全新DDR5內(nèi)存的最高傳輸速率可達(dá)8.4Gbps。此外，DDR5也改善了雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)的工作電壓，將供電電壓從DDR4的1.2V降至1.1V，進(jìn)一步提升了內(nèi)存的能效表現(xiàn)。

其次，隨著接口內(nèi)存、以及接口IP產(chǎn)品速度的提升、容量的進(jìn)一步增加，還必須進(jìn)一步縮短它的啟動(dòng)時(shí)間。

John Eble解釋說(shuō)，Rambus DDR5內(nèi)存接口芯片包含RCD、串行檢測(cè)（SPD）集線器和溫度傳感器，對(duì)于提升領(lǐng)先服務(wù)器的性能水平十分重要。憑借DDR5內(nèi)存，RDIMM更智能，同時(shí)將數(shù)據(jù)傳輸速度提升了一倍以上，容量達(dá)到DDR4 RDIMMs的四倍，內(nèi)存和電源效率也有所提高。

據(jù)介紹，全新推出的DDR5 RCD Gen3產(chǎn)品，與第一代相比數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬可以提高33%，同時(shí)也進(jìn)一步擴(kuò)展了Rambus在DDR5內(nèi)存接口芯片方面的全部產(chǎn)品陣容。迄今為止，Rambus在這方面的產(chǎn)品包括：4800MT/s的DDR5 RCD Gen1，5600MT/s的DDR5 RCD Gen2，以及6400MT/s 的DDR5 RCD Gen3。

應(yīng)對(duì)DDR演進(jìn)挑戰(zhàn)

面向DDR每個(gè)世代的演進(jìn)挑戰(zhàn)，John Eble指出，RCD是關(guān)鍵的控制面板芯片，它將命令、地址信號(hào)和時(shí)鐘分配給DIM上的DRAM設(shè)備。Rambus正在不斷提高其DDR5解決方案的性能，以滿足更高的帶寬需求，最新推出的第三代RCD以6400 MT/s的傳輸速度運(yùn)行就是證明。

除了RCD的帶寬挑戰(zhàn)，此外，還有兩個(gè)關(guān)鍵接口的信號(hào)完整性問(wèn)題：第一個(gè)接口是CPU到RCD，這是一個(gè)DDR接口，通過(guò)DDR5 DIMM連接器運(yùn)行，在2個(gè)DIMM通道系統(tǒng)中可能有2個(gè)RCD負(fù)載。

第二個(gè)接口是從RCD到DRAM，這是在DIMM上。RCD到DRAM這個(gè)接口不管是從布線，還是到支持最高10個(gè)相關(guān)外插式設(shè)備的總線，還是CA總線，這些都是非常重要的考慮方向，且關(guān)鍵問(wèn)題還包括管理功耗和成本。

Rambus大中華區(qū)總經(jīng)理蘇雷表示，Rambus非常大的優(yōu)勢(shì)是在信號(hào)完整性方面，因此在提供DDR5內(nèi)存接口芯片的時(shí)候，能夠以高性能的設(shè)計(jì)裕度，去滿足模組制造商在設(shè)計(jì)制造DDR5時(shí)的需求，便于他們更輕松地設(shè)計(jì)制造產(chǎn)品。此外，Rambus內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品包括RCD、SPD、TS等，均來(lái)自于自研，因此更懂得產(chǎn)品的Know-how。

其次，Rambus可以提供有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、以及高效的技術(shù)支持，幫助客戶設(shè)計(jì)出高質(zhì)量的、有競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品，并縮短上市時(shí)間。

今年下半年內(nèi)存市場(chǎng)有回暖態(tài)勢(shì)

如何預(yù)測(cè)2023年整體內(nèi)存市場(chǎng)的情況？John Eble表示，兩年前其實(shí)在PC市場(chǎng)就受到了比較大的波及和影響。當(dāng)時(shí)服務(wù)器市場(chǎng)表面上沒(méi)有受到什么影響，依舊還是在成長(zhǎng)，但現(xiàn)在回過(guò)頭來(lái)分析，其實(shí)服務(wù)器市場(chǎng)也并不能夠獨(dú)善其身，也是受到了當(dāng)時(shí)的負(fù)面影響。

不過(guò)，考慮到內(nèi)存市場(chǎng)過(guò)去的發(fā)展動(dòng)向和趨勢(shì)，本身就是一個(gè)不斷波動(dòng)和成長(zhǎng)的市場(chǎng)，過(guò)去經(jīng)歷過(guò)低谷，也還是成功爬坡和恢復(fù)了。他認(rèn)為2023年的內(nèi)存市場(chǎng)，本身還是伴隨著很大的不確定性。但是綜合觀點(diǎn)還是認(rèn)為，2023年下半年內(nèi)存市場(chǎng)會(huì)有回暖的態(tài)勢(shì)。

他強(qiáng)調(diào)，服務(wù)器市場(chǎng)盡管短期存在一些波動(dòng)，但是鑒于對(duì)更大的內(nèi)存、容量和帶寬的巨大需求，包括云計(jì)算、HPC、AI/機(jī)器學(xué)習(xí)等類型的工作負(fù)載需求旺盛，因此從長(zhǎng)期來(lái)看，服務(wù)器市場(chǎng)依舊是非常強(qiáng)勁和穩(wěn)健的。