芯耀
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2023年4月10日，富士經(jīng)濟(jì)公布了碳化硅（SiC）和硅（Si）功率半導(dǎo)體等下一代功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。根據(jù)該公司的預(yù)測(cè)，在汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域的推動(dòng)下，到2035年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將達(dá)到13.4302萬(wàn)億日元，是2022年的5.0倍。
下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將在2035年內(nèi)超過(guò)5萬(wàn)億日元
此次調(diào)查針對(duì)使用SiC（碳化硅），GaN（氮化鎵），Ga2O3（氧化鎵）和金剛石的下一代功率半導(dǎo)體，以及硅基功率半導(dǎo)體。此外，還調(diào)查了與功率半導(dǎo)體相關(guān)的構(gòu)成部件和制造設(shè)備市場(chǎng)。調(diào)查時(shí)間為2022年11月至2023年2月。
富士經(jīng)濟(jì)表示，由于汽車/電氣設(shè)備領(lǐng)域的需求增加，以及信息和通信技術(shù)設(shè)備和工業(yè)領(lǐng)域的穩(wěn)定需求，硅功率半導(dǎo)體市場(chǎng)在2022年擴(kuò)大。盡管消費(fèi)設(shè)備領(lǐng)域的需求已經(jīng)穩(wěn)定，但汽車/電氣設(shè)備領(lǐng)域?qū)⒗^續(xù)推動(dòng)市場(chǎng)，從2022年增長(zhǎng)11.0%至2023年的2.7833萬(wàn)億日元，到2035年增長(zhǎng)3.2倍至7.9817萬(wàn)億日元。
下一代功率半導(dǎo)體方面，2022年除了SiC功率半導(dǎo)體大幅增長(zhǎng)外，GaN功率半導(dǎo)體的需求也很旺盛，比前一年增長(zhǎng)了2.2倍。預(yù)計(jì)市場(chǎng)將繼續(xù)以高增長(zhǎng)率擴(kuò)大，從2022年增長(zhǎng)34.5%至2023年的2354億日元，到2035年增長(zhǎng)31.1倍至5.4485萬(wàn)億日元。
全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)，來(lái)源：Fuji Keizai
僅SiC功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模就將超過(guò)5萬(wàn)億日元
富士經(jīng)濟(jì)還提到了下一代功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)前景。
SiC功率半導(dǎo)體是SiC-SBD（肖特基勢(shì)壘二極管），SiC-FET和SiC功率模塊，隨著它們被迅速采用，市場(chǎng)正在迅速擴(kuò)大，主要在中國(guó)和歐洲。2022年，除了數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源等信息通信設(shè)備領(lǐng)域和太陽(yáng)能發(fā)電等能源領(lǐng)域的需求增加外，汽車和工業(yè)領(lǐng)域（包括電動(dòng)汽車（EV）的充電站和牽引逆變器）表現(xiàn)良好，市場(chǎng)增長(zhǎng)顯著。富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè)，2023年市場(chǎng)將繼續(xù)增長(zhǎng)，比2022年增長(zhǎng)34.3%至2293億日元。
之后，除了可再生能源的普及和汽車電動(dòng)化的進(jìn)展外，由于通過(guò)投資增加了產(chǎn)能、晶圓直徑的增加以及加工技術(shù)改進(jìn)帶來(lái)的更低價(jià)格，SiC功率模塊在電動(dòng)汽車牽引逆變器中的應(yīng)用將全面展開(kāi)，預(yù)計(jì)到2035年市場(chǎng)將擴(kuò)大到5.33萬(wàn)億日元，是2022年的31.2倍。
GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)計(jì)在2023年將增長(zhǎng)32.6%至57億日元，因?yàn)樗絹?lái)越多地被數(shù)據(jù)中心的AC適配器和服務(wù)器電源等高速充電所采用。除了擴(kuò)大以這些應(yīng)用為中心的市場(chǎng)外，預(yù)計(jì)到2035年市場(chǎng)將增長(zhǎng)17.2倍，達(dá)到740億日元，因?yàn)轭A(yù)計(jì)車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器等EV輔助系統(tǒng)中的采用將擴(kuò)大。
由于計(jì)劃開(kāi)始量產(chǎn)SBD，預(yù)計(jì)2023年氧化鎵市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到4億日元。此外，由于FET的實(shí)際應(yīng)用計(jì)劃在2025年左右，Si和SiC功率半導(dǎo)體的替代有望取得進(jìn)展，市場(chǎng)有望擴(kuò)大，主要集中在消費(fèi)和信息通信領(lǐng)域。從中長(zhǎng)期來(lái)看，市場(chǎng)預(yù)計(jì)將擴(kuò)展到工業(yè)和能源領(lǐng)域，未來(lái)還將擴(kuò)展到汽車和電氣設(shè)備領(lǐng)域，預(yù)計(jì)到2035年將增長(zhǎng)到445億日元。
由于零部件采購(gòu)困難，組成材料和制造設(shè)備的產(chǎn)能放緩
此外，由于對(duì)晶圓、前端材料和后端材料的需求增加，功率半導(dǎo)體相關(guān)成分材料市場(chǎng)在2022年同比增長(zhǎng)30.9%至2711億日元。盡管2023年市場(chǎng)將繼續(xù)擴(kuò)大，但由于零部件制造商的產(chǎn)能有限，預(yù)計(jì)增長(zhǎng)將放緩，從2022年增長(zhǎng)11.5%至3023億日元。富士經(jīng)濟(jì)預(yù)測(cè)，未來(lái)，隨著SiC功率半導(dǎo)體的增長(zhǎng)，汽車/電氣元器件領(lǐng)域的需求增加以及燒結(jié)接合材料和氮化硅電路板的采用增加，預(yù)計(jì)將有助于市場(chǎng)擴(kuò)張。預(yù)計(jì)到2035年將增長(zhǎng)到12020億日元，是2022年的4.4倍。
2022年，由于海外功率半導(dǎo)體制造商（主要在中國(guó)）的積極資本投資，制造設(shè)備市場(chǎng)同比大幅增長(zhǎng)39.3%。雖然由于材料采購(gòu)困難導(dǎo)致交貨時(shí)間延長(zhǎng)，市場(chǎng)增長(zhǎng)將放緩，但由于中國(guó)和其他海外國(guó)家的積極資本投資以及對(duì)8英寸SiC晶圓的需求增加，預(yù)計(jì)2023年后市場(chǎng)將擴(kuò)大。預(yù)計(jì)2023年將比2022年增長(zhǎng)21.4%至4124億日元，到2035年，預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)2.4倍，達(dá)到8180億日元。
