擴(kuò)產(chǎn)：英飛凌官宣50億歐元投資、英特爾規(guī)劃數(shù)十億美元擴(kuò)建

AI芯片、碳化硅等半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域的逆勢(shì)增長(zhǎng)，給予行業(yè)更多信心。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)低迷周期，英飛凌、英特爾仍在蟄伏擴(kuò)產(chǎn)蓄能，為今后的產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇做準(zhǔn)備，以搶占未來(lái)市場(chǎng)機(jī)會(huì)。

英飛凌官宣：擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)能

當(dāng)?shù)貢r(shí)間8月3日，功率半導(dǎo)體大廠英飛凌宣布，計(jì)劃在未來(lái)五年內(nèi)投資高達(dá)50億歐元，用于在馬來(lái)西亞建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠。

該計(jì)劃的背后是客戶的承諾與支持，英飛凌表示擴(kuò)建計(jì)劃已得到客戶約50億歐元design-win合同，以及約10億歐元的預(yù)付款。其中，在汽車(chē)領(lǐng)域有6家車(chē)廠客戶，包括福特、上汽和奇瑞等。

英飛凌指出，在接下來(lái)的5年內(nèi)，將針對(duì)居林第三座廠房的第二期建設(shè)階段，投入高達(dá)50億歐元的額外投資，這樣一來(lái)，居林廠計(jì)劃投資總額從20億歐元增至70億歐元。再加上奧地利菲拉赫(Villach)和居林的8英寸碳化硅轉(zhuǎn)換計(jì)劃，此項(xiàng)投資預(yù)計(jì)將為英飛凌在2030年帶來(lái)約70億歐元的碳化硅年收益潛力。這項(xiàng)具高度競(jìng)爭(zhēng)力的制造基地，也將為英飛凌在2030年達(dá)到碳化硅市場(chǎng)30%市占率的目標(biāo)提供有力的支援。英飛凌預(yù)估，公司在2025會(huì)計(jì)年度的碳化硅營(yíng)收將超越10億歐元的目標(biāo)。

為了加強(qiáng)碳化硅布局，此前英飛凌與天科合達(dá)、天岳先進(jìn)合作，兩家國(guó)內(nèi)廠商將為英飛凌供應(yīng)6英寸SiC材料；與鴻海集團(tuán)已簽訂一份合作備忘錄，雙方將聚焦于碳化硅技術(shù)在電動(dòng)車(chē)大功率應(yīng)用的導(dǎo)入；并與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應(yīng)硅基電動(dòng)汽車(chē)芯片的協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國(guó)德累斯頓和馬來(lái)西亞居林的工廠生產(chǎn)。

除了英飛凌，安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價(jià)值超10億美元；Wolfspeed與車(chē)用芯片廠商瑞薩電子簽10年SiC長(zhǎng)單；三菱電機(jī)與Coherent（前 II-VI ）達(dá)成合作，雙方將共同致力于擴(kuò)大8英寸SiC器件的生產(chǎn)規(guī)模。

與傳統(tǒng)硅基材料相比，碳化硅具有大禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、高抗輻射等特點(diǎn)，適合制造高溫、高壓、高頻、大功率的器件，由此被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)領(lǐng)域、太陽(yáng)能、儲(chǔ)能和高功率電動(dòng)車(chē)充電等領(lǐng)域。

當(dāng)前，碳化硅市場(chǎng)正加速成長(zhǎng)。據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢預(yù)計(jì)，隨著安森美、英飛凌等與汽車(chē)、能源業(yè)者合作項(xiàng)目明朗化，2023年整體碳化硅功率元件市場(chǎng)產(chǎn)值達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%。2026年碳化硅功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元，而由主流應(yīng)用之一的電動(dòng)汽車(chē)帶來(lái)的產(chǎn)值將達(dá)39.8億美元。

英特爾或規(guī)劃數(shù)十億美元擴(kuò)建

據(jù)外媒《tomshardware》報(bào)道，處理器大廠英特爾已提交一份申請(qǐng)，概述了將在未來(lái)5年內(nèi)，于美國(guó)俄勒岡州Hillsboro附近的戈登摩爾公園(Gordon Moore Park)園區(qū)內(nèi)的制造基地中，進(jìn)行全面性的擴(kuò)建計(jì)劃。預(yù)計(jì)將建設(shè)其D1X研發(fā)(R&D)中心與先進(jìn)制程晶圓廠的第四期據(jù)點(diǎn)，并重建已有數(shù)十年歷史的D1A晶圓廠。

另?yè)?jù)OregonLive報(bào)道，英特爾在申請(qǐng)計(jì)劃中表示，有意改造其地標(biāo)性的研發(fā)基地。盡管英特爾沒(méi)有具體說(shuō)明這些項(xiàng)目將耗費(fèi)多少的經(jīng)費(fèi)，不過(guò)，依據(jù)之前升級(jí)D1X的第三期據(jù)點(diǎn)，總計(jì)耗資超過(guò)30億美元，并使得整個(gè)園區(qū)的面積增加超過(guò)100萬(wàn)平方英尺來(lái)看，考慮到英特爾本次的計(jì)劃不僅要建設(shè)D1X研發(fā)中心與先進(jìn)制程晶圓廠的第四期據(jù)點(diǎn)，還要重建其已有30年歷史的D1A晶圓廠、建造更多建筑物以及支援未來(lái)的相關(guān)生產(chǎn)，并加強(qiáng)各項(xiàng)新功能的情況下，預(yù)計(jì)金額將會(huì)超過(guò)先前投資的30億美元金額。英特爾預(yù)計(jì)設(shè)備安裝最快將自2025年開(kāi)始，整體擴(kuò)張計(jì)劃將在2028年完成。

現(xiàn)階段，英特爾在戈登摩爾公園園區(qū)內(nèi)擁有5座晶圓廠，其中，最新的旗艦級(jí)D1X是研發(fā)中心與先進(jìn)制程晶圓廠；D1A是于20世紀(jì)80年代興建的晶圓廠；D1B和D1C均生產(chǎn)10nm芯片；D1D晶圓廠能生產(chǎn)7nm芯片。在當(dāng)?shù)?，英特爾聘雇?2000名員工，是俄勒岡州目前最大的企業(yè)雇主。

而英特爾在美國(guó)的芯片版圖包括俄亥俄州哥倫布晶圓廠綜合體、亞利桑那州兩座晶圓廠、新墨西哥州芯片工廠。

此外，值得注意的是，許可證申請(qǐng)代表的是英特爾的意圖，而不是正式的承諾。盡管英特爾尚未就其俄勒岡園區(qū)的這些計(jì)劃正式宣布，但CEO帕特·基辛格（PatGelsinger）在5月份表示希望該晶圓廠產(chǎn)能大幅增長(zhǎng)。

本次擬議的擴(kuò)張計(jì)劃，標(biāo)志著英特爾及俄勒岡州的重要轉(zhuǎn)折點(diǎn)。倘若本次擬議的開(kāi)發(fā)項(xiàng)目遵循俄勒岡州先前擴(kuò)張的模式，投資可能達(dá)到數(shù)十億美元，將是俄勒岡州歷史上最重要的資本項(xiàng)目之一。這種擴(kuò)建項(xiàng)目可以創(chuàng)造數(shù)百甚至數(shù)千個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。