NAND Flash市況復(fù)蘇緩慢，又一家大廠要減產(chǎn)？

半導(dǎo)體下行周期之際，AI大勢(shì)下HBM發(fā)展風(fēng)生水起，并為DRAM市場(chǎng)注入了活力。與之相比，NAND Flash市場(chǎng)需求持續(xù)萎縮。為應(yīng)對(duì)需求“寒冬”，多家存儲(chǔ)廠商今年表態(tài)將持續(xù)減產(chǎn)并縮減支出，NAND Flash成為被調(diào)整的重點(diǎn)領(lǐng)域。

近期，閃存大廠鎧俠在最新財(cái)報(bào)中表示，將配合需求動(dòng)向進(jìn)行減產(chǎn)。

減產(chǎn)、推遲投產(chǎn)？鎧俠也出手了

8月9日NAND Flash大廠鎧俠公布上季（2023年4-6月）財(cái)報(bào)，由于智能手機(jī)等產(chǎn)品需求低迷，NAND Flash市況持續(xù)惡化，價(jià)格下跌，受此影響，該季鎧俠營(yíng)收2511億日元（約17.5億美元），同比減少32%。

鎧俠指出，因市況復(fù)蘇緩慢，將持續(xù)配合需求動(dòng)向進(jìn)行減產(chǎn)以及管控營(yíng)銷費(fèi)用，且為了維持競(jìng)爭(zhēng)力、將持續(xù)進(jìn)行次世代產(chǎn)品研發(fā)以及降低成本等措施。

另?yè)?jù)共同社報(bào)道，為應(yīng)對(duì)需求惡化，鎧俠在日本巖手縣北上市的北上工廠新建的廠房將推遲到2024年以后投入使用。該廠原計(jì)劃在2023年內(nèi)投產(chǎn)，鎧俠公關(guān)負(fù)責(zé)人稱新建廠房的大部分施工將在2023年內(nèi)結(jié)束，同時(shí)也表示：“投產(chǎn)時(shí)間未定。將在對(duì)需求動(dòng)向進(jìn)行詳細(xì)調(diào)查后再做判斷。”

稍早之前，SK海力士與三星也做出了減產(chǎn)NAND Flash的決定。SK海力士認(rèn)為，與DRAM庫(kù)存去化速度相比，NAND閃存的去庫(kù)存速度相較緩慢，因此決定擴(kuò)大NAND產(chǎn)品的減產(chǎn)規(guī)模。

三星電子存儲(chǔ)事業(yè)部執(zhí)行副總裁Jaejune Kim在財(cái)報(bào)電話會(huì)議上提到，三星將延長(zhǎng)減產(chǎn)行動(dòng)，并對(duì)包括NAND閃存芯片在內(nèi)的某些產(chǎn)品進(jìn)行額外的產(chǎn)量調(diào)整。

豪賭未來(lái)，存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)蓄勢(shì)待發(fā)

關(guān)于市場(chǎng)動(dòng)向及今后展望，鎧俠指出，各家NAND Flash廠商擴(kuò)大生產(chǎn)調(diào)整（減產(chǎn)）范圍、供需平衡逐步改善，在客戶去化庫(kù)存以及PC、智能手機(jī)的存儲(chǔ)搭載量增加背景下，預(yù)估NAND Flash需求將逐步復(fù)蘇，價(jià)格下跌情況也將隨著供需平衡改善而放緩。

鎧俠表示，當(dāng)前嚴(yán)峻情況雖持續(xù)，不過(guò)NAND Flash市場(chǎng)中長(zhǎng)期呈現(xiàn)成長(zhǎng)趨勢(shì)的市場(chǎng)觀點(diǎn)目前未發(fā)生太大變化。

盡管當(dāng)前NAND Flash市況相對(duì)艱難，但大廠依舊看好NAND Flash市場(chǎng)前景，并持續(xù)布局閃存堆疊技術(shù)，以圖未來(lái)。

目前NAND Flash已經(jīng)突破200層堆疊大關(guān)，存儲(chǔ)廠商正持續(xù)發(fā)力更高層數(shù)。8月9日SK海力士便在2023閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321層NAND閃存樣品，效率比上一代238層512Gb提高了59%。SK海力士表示將進(jìn)一步完善321層NAND閃存，并計(jì)劃于2025年上半期開始量產(chǎn)。

除此之外，美光計(jì)劃232層之后推出2YY、3XX與4XX等更高層數(shù)產(chǎn)品；鎧俠與西數(shù)也在積極探索300層以上、400層以上與500層以上的3D NAND技術(shù)；三星則計(jì)劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層），2030年前實(shí)現(xiàn)1000層NAND Flash。