先進封裝技術(shù)之爭 | 混合鍵合已破亞微米，全球合作深入人心，中國不可坐以待斃

過去10年全球運算量的發(fā)展已超越過去40年的總和。未來，依據(jù)IDC預測全球資料數(shù)據(jù)總數(shù)在2025年將達到175ZB。隨著AIHPCGPU圖像傳感器的需求日益提高，即便將電晶體尺寸微縮至逼近物理極限來提升效能，仍無法滿足未來產(chǎn)業(yè)應用。當摩爾定律來到極限，先進封裝異構(gòu)集成成為突破瓶頸的關(guān)鍵。

晶片性能表與接點密度先進封裝排名表 圖源：technews

當電子封裝行業(yè)發(fā)展到三維封裝的垂直互連時，微凸塊以裸片上的小銅凸塊成為晶圓級封裝的一種形式。封裝凸點間距目前已從100μm變?yōu)?0μm、20μm甚至10μm的凸點間距。然而，這就使技術(shù)問題變得非常具有挑戰(zhàn)性。

當接觸間距減小到10μm左右時，焊球尺寸的減小會增加金屬間化合物 (IMC) 形成的風險，從而降低導電性和機械性能。此外，在回流焊過程中，焊球接觸并導致的橋接故障的可能會成為芯片的潛在故障，并在高性能組件封裝場景中變得棘手。工程師正在轉(zhuǎn)向一種新的解決方案來繼續(xù)縮小尺寸，混合鍵合技術(shù)成為了游戲規(guī)則的改變者，完全避免使用凸塊，而是使用小型銅對銅連接來連接封裝中的芯片，從而為10μm及以下節(jié)距提供了解決方案。

Hybrid Bonding（混合鍵合、混合結(jié)合）是堆疊芯片之間獲得更密集互連的方法。作為一種永久鍵合，將介電鍵合 (SiOx) 與嵌入式金屬 (Cu) 結(jié)合起來形成互連形成電介質(zhì)-電介質(zhì)和金屬-金屬鍵。它在業(yè)界被稱為直接鍵合互連 (DBI) 。使用緊密嵌入電介質(zhì)中的微小銅焊盤可提供比銅微凸塊多 1,000 倍的 I/O 連接。與其他鍵合技術(shù)相比，混合鍵合具有許多優(yōu)勢，包括：

最高輸入/輸出

實現(xiàn)低于10μm的鍵合間距

更高的內(nèi)存密度

可實現(xiàn)更低的電容、更低的功耗

擴展帶寬

增加功率

提高速度效率

保證信號完整性，并將信號延遲驅(qū)動至接近零水平

幫助實現(xiàn)更小的外形尺寸

支持 3D封裝和先進的存儲立方體更高的互連密度

可以根據(jù)特定客戶的獨特需求定制產(chǎn)品

先進封裝要求間距低于10μm

英特爾、臺積電和三星都警告稱，當接近10μm尺寸時，帶有焊錫尖端的銅凸塊會遇到可靠性問題，從而導致轉(zhuǎn)向混合鍵合。更小的間距會變得更加有想象力。

為增強終端器件的性能，業(yè)界正在深入擴展系統(tǒng)級互連，混合鍵合提供了最有前途的解決方案，能夠集成多個具有低于10μm的小互連間距的芯片。在 1 平方毫米的空間內(nèi)，可以連接10,000到100,000個通孔，與使用焊球相比，這可以大大擴展 I/O提供更小、更簡單的電路，不需要作扇入和扇出就可以相互疊加。

今天，混合鍵合已經(jīng)證明在3D NAND的大批量制造中是可行的芯片上的堆棧和3D系統(tǒng)（SoC）。研發(fā)正在進行中高帶寬下的混合鍵合存儲器（HBM）以及其他3D集成應用程序。未來，封裝將繼續(xù)小型化和縮小尺寸，以便可以獲得毫米立方體的最大功能，服務于更加高級的應用程序。

混合鍵合三種實現(xiàn)工藝

主要有三種方法可以實現(xiàn)混合鍵合：晶圓到晶圓 (W2W) 和芯片到晶圓 (D2W) ，芯片到晶圓 (C2W) 工藝正在深入研究開發(fā)中。

Cu-Cu雜化鍵合的三種方式。圖源：IDTechEx

雖然 W2W 混合鍵合在圖像傳感領域已投入生產(chǎn)多年，但業(yè)界仍大力推動 D2W 混合鍵合的發(fā)展，并成為異構(gòu)集成中混合鍵合的主要選擇。因為它支持不同的設計規(guī)則、不同芯片尺寸、不同的晶圓類型和已知的良好芯片，D2W 是實現(xiàn)異構(gòu)集成強大而靈活的手段，而所有這些對于 W2W 方案來說通常是不可能的。目前走D2W 路線的設備企業(yè)有荷蘭BESI 、奧地利EVG、新加坡 ASMPT、法國SET、日本Shibaura 、德國 SUSS Microtec。

CMOS圖像傳感器和MEMS最先采用W2W，因為這些芯片使用傳統(tǒng)節(jié)點并且良率問題更容易解決。如今W2W技術(shù)在DRAM領域的研究非?；钴S。W2W混合鍵合解決方案的應用可以提高高帶寬內(nèi)存（HBM）等產(chǎn)品的生產(chǎn)率。但由于缺陷問題，W2W技術(shù)的商業(yè)應用還需要一段時間。一旦良率問題得到解決，該技術(shù)將應用于HBM生產(chǎn)。W2W還可將AI Die和Memory Die垂直堆疊。設備企業(yè)中日本TEL和中國的華卓精科和拓荊科技在堅持W2W。C2W路線是艾科瑞思。

工藝挑戰(zhàn)

無論哪種混合鍵合方案，都融入了復雜工序，工作必須在標準接近前端晶圓廠級別的超潔凈室、自動化工廠和工藝專業(yè)知識要求的環(huán)境中進行，而不是像許多其他封裝集成方法那樣在典型的封裝廠中進行。這使得混合鍵合更加依賴前道制造工藝，包括電鍍、CMP、等離子體激活、對準、鍵合、分割和退火，以及用于發(fā)現(xiàn)亞微米顆粒和缺陷的檢測工具。雖然這些前道工藝已經(jīng)成熟，但仍需要完善工藝以滿足混合鍵合的需求。

從W2W、D2W、C2W鍵合環(huán)境之一，要通過化學機械平坦化優(yōu)化實現(xiàn)光潔的電介質(zhì)表面；

對于最大限度地減少鍵合過程中晶圓變形和翹曲的可能性，開發(fā)能夠承受較低退火溫度和較短持續(xù)時間的介電材料是關(guān)鍵；

就 D2W/C2W 工藝而言，解決與芯片分割和邊緣效應相關(guān)的挑戰(zhàn)以及最大限度地減少芯片和晶圓上的污染將是關(guān)鍵；

公差縮小至低至 200nm的高精度貼片機/鍵合機也是關(guān)鍵；

需使用更大的銅焊盤，以適應潛在的放置錯誤；

先進的薄晶圓處理技術(shù)將在確保Cu-Cu混合鍵合的成功實施方面發(fā)揮重要作用；

符合標準混合鍵合缺陷檢測的工具設計必須具有更高的分辨率和納米級的缺陷檢測速度、克服晶粒裂紋和晶片翹曲挑戰(zhàn)；

除了高通量檢測工具模具級裂紋/顆粒檢測外，后端晶圓廠將需要薄膜厚度計量工具測量；

最后在接合后階段，檢驗和計量工具繼續(xù)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用過程控制；

分析軟件能夠追溯家譜每個模具和每個工藝步驟可以帶來寶貴的信息以提高產(chǎn)量。

Hybrid Bonding帶來的產(chǎn)品變革

混合鍵合支持各種可能的芯片架構(gòu)，主要針對高端應用，包括高性能計算 、人工智能、服務器和數(shù)據(jù)中心。隨著技術(shù)的成熟，消費類應用包括高帶寬存儲器 (HBM) 在內(nèi)的存儲器件以及移動和汽車應用預計將進一步增長，這些應用可受益于高性能芯片間連接。

索尼是世界上第一個推出Hybrid Bonding產(chǎn)品的公司。開發(fā)原始制造工藝將圖像傳感器晶圓和數(shù)據(jù)存儲、處理芯片的晶圓直接鍵合，實現(xiàn)大規(guī)模圖像數(shù)據(jù)的高效并行傳輸，后來該技術(shù)被廣泛采用到了邏輯芯片和存儲芯的3D互連。臺積電，英特爾、海力士、三星、長江存儲等一波大廠采用混合鍵合技術(shù)進行CPU、GPU、HPC、DRAM、NAND的3D封裝。如今索尼推出了 1μm間距面對面混合鍵合和 1.4 μm面對面混合鍵合。

臺積電是將混合鍵合大規(guī)模商業(yè)化的領先公司。該服務名為3D Fabric，已應用于AMD V-Cache。競爭對手三星和英特爾已開始準備提供類似的服務。

圖源：TSMC

臺積電SoIC 服務是晶圓上芯片系統(tǒng)，是推動異構(gòu)小芯片集成領域發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)支柱，采用超高密度垂直堆疊，可實現(xiàn)高性能、低功耗和最小 RLC（電阻-電感-電容）。借創(chuàng)新的鍵合方案，SoIC 技術(shù)為芯片 I/O 提供了強大的鍵合間距可擴展性，鍵合間距＜10μm，實現(xiàn)高密度芯片間互連。第四代 SoIC已實現(xiàn) 3 微米間距混合鍵合。

Graphcore是臺積電晶圓級 SoIC 技術(shù)的先鋒客戶。2022年3月Graphcore 宣布推出全球首款 3D 晶圓對晶圓混合鍵合處理器。晶圓對晶圓技術(shù)使 Graphcore 能夠?qū)r鐘和性能提高 40%，同時保持與上一代 MK2 類似的成本。

AMD正在使用TSMC的混合鍵合技術(shù)。2022年基于混合鍵合支撐的3D V-Cache緩存技術(shù)首次推出銳龍7 5800X3D桌面處理器，2023年以來，AMD再接再厲陸續(xù)推出了采用3D V-Cache技術(shù)的銳龍9 7950X3D、銳龍9 7900X3D、銳龍7 7800X3D和銳龍5 5600X3D桌面處理器，進一步豐富旗下3D堆疊產(chǎn)品陣營。2023年7月28日，AMD正式在筆記本平臺引入采用3D V-Cache技術(shù)的移動處理器。

2023年6月發(fā)布目前全球最強的生成式AI加速器MI300X，集成了高達1530億個晶體管，擁有最令人難以置信的先進封裝形式。MI300的所有變體都以相同的基礎構(gòu)建塊（稱為AID）開始。CPU和GPU計算方面的模塊化是AID最重要的部分。AMD和臺積電使用混合鍵合將AID連接到其他小芯片。AID通過SoIC gen 1以 9um 間距混合鍵合到 XCD 和 CCD。由于不成熟，AMD 不得不放棄轉(zhuǎn)向臺積電第二代 6um 間距 SoIC的計劃。然后將他們封裝在CoW無源內(nèi)插器之上。通過該工藝有十幾塊支撐硅片，最終M包含傳統(tǒng)倒裝芯片大規(guī)?；亓骱负蚑CB以及晶圓上芯片、晶圓上晶圓和重構(gòu)晶圓上晶圓混合鍵合。

三星在先進封裝領域一直處于追趕狀態(tài)。2023年生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求，也帶動了對高帶寬存儲器（HBM）的需求。當前三星電子和SK海力士以及其他HBM制造商正在積極準備第五代(HBM3E)的大規(guī)模生產(chǎn)。

2023年9月，根據(jù)韓國 The Elec 報道，三星和 SK 海力士正在推進混合鍵合封裝工藝，突破 TCB 和 MR 的發(fā)熱、封裝高度等限制。擴展了 TCB 和 MR 工藝，實現(xiàn)最高 12 層。用 Hybrid Bonding 工藝之后，顯著提高了輸入 / 輸出（IO）吞吐量，允許在 1 平方毫米的面積內(nèi)連接 1 萬到 10 萬個通孔（via）。

2023年10月，三星電子內(nèi)存業(yè)務部門表示，三星電子推出的第六代產(chǎn)品HBM4時計劃采用新技術(shù)——針對高溫熱特性和混合鍵合技術(shù)進行優(yōu)化的非導電膠膜(NCF)組裝技術(shù)。NCF是放置在堆疊芯片之間的薄膜，有助于芯片附著，HCB作為消除堆疊芯片之間間隙的方法，允許直接鍵合。

2021年6月，英特爾對外分享Hybrid Bonding實現(xiàn)小于 10 微米的凸點間距的未來計劃。2022年12月，宣布了全新的混合鍵合技術(shù)將互連間距繼續(xù)微縮到3微米，比上一代技術(shù)將功率密度和性能又提升了10倍。2022年7月，CEA-Leti 和英特爾優(yōu)化了混合直接鍵合自組裝工藝，可以提高D2W鍵合封裝技術(shù)。采用取放工具后鍵合最先進的對準至 1μm，且提供低于200nm-500nm的鍵合對準。

混合鍵合在3D NAND 領域正取得關(guān)注。長江存儲在2018推出 Xtacking 1.0 架構(gòu)，隨后在 2019 年推出了 Xtacking 2.0。2022年推出 Xtacking 3.0 ，被TechInsights 視為 2022年最具顛覆性的技術(shù)之一。因為，這種創(chuàng)新架構(gòu)在新興的內(nèi)存半導體行業(yè)中并沒有真正的同類技術(shù)——采用混合鍵合技術(shù)構(gòu)建，突破性的200+層NAND存儲器，領先于競爭對手達到了這一里程碑。

Xtacking涉及將兩個晶圓鍵合在一起。NAND 陣列晶圓與互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 晶圓混合鍵合。每個晶圓上的銅金屬焊盤成為接合界面。該技術(shù)被證明是一種經(jīng)濟有效的擴展方法，為市場提供高性能 NAND 內(nèi)存。長江存儲推出了Xtacking 3.0，據(jù)稱與Xtacking 2.0相比性能提升了50%。它還可以降低功耗。與128層NAND芯片相比，長江存儲的232層NAND芯片將芯片密度提高了80%以上。

2023年3月，Kioxia 和 Western Digital 推出具有 218 個有源層的第 8代BiCS 3D NAND 存儲器。這是混合鍵合標志著 3D NAND 架構(gòu)發(fā)展的一個重要時刻。新存儲設備在 3D TLC 模式下提供 1Tb 容量，并具有 3200 MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速度，這一組合將使 SSD 制造商能夠構(gòu)建高性能、高容量的驅(qū)動器。

為了實現(xiàn)如此極端的接口速度，這些公司采用了類似于長江存儲 Xtacking 的架構(gòu)。新型 BiCS FLASH 平衡了垂直和橫向縮放，以提高每層位密度更高的更小芯片的容量。兩家公司開發(fā)了 CBA（CMOS 鍵合陣列）技術(shù)，利用鍵合單獨 CMOS 晶圓和單元陣列層的優(yōu)勢來提高位密度和快速 NAND I/O。

NAND IDM廠商正在其制造工藝中采用混合鍵合，為創(chuàng)造為高效、高性能 NAND 生產(chǎn)提供了可持續(xù)的途徑，分析師預計，2028 年生產(chǎn)的 NAND 晶圓中，超過 50% 將使用混合鍵合。

全球生態(tài)協(xié)同組建

當然，混合鍵合的突破進步還需要全球廠家合作建立一個技術(shù)協(xié)作穩(wěn)定供應的生態(tài)系統(tǒng)。

設計端，產(chǎn)業(yè)鏈公司正與授權(quán)商簽訂協(xié)議。在過去的 30 年里，Adeia 引領了半導體行業(yè)的根本性進步。憑借涵蓋混合鍵合、半導體封裝和半導體加工技術(shù)的龐大且不斷增長的知識產(chǎn)權(quán)組合，Adeia 通過投資技術(shù)許和投資技術(shù)轉(zhuǎn)讓與全球領先的半導體公司合作，以增強其產(chǎn)品路線圖。Adeia 的Laura Mirkarimi 和 Abul Nuruzzaman 是混合鍵合的先驅(qū)，他們幫助消除了對芯片到晶圓混合鍵合商業(yè)化的一些誤解。如今，Adeia 正在與Besi、K&S、ASM 和 SUSS Microtec等設備供應商合作，?與 Micron、OmniVision、Skywater、SK Hynix、Sony、UMC、YMTC 等擁有授權(quán)協(xié)議。

2022年5月，SkyWater 與 Xperi Corporation 簽署了技術(shù)許可協(xié)議。SkyWater 及其客戶現(xiàn)在可以使用 Adeia 的ZiBond直接粘合和DBI混合鍵合技術(shù)和IP可增強商業(yè)和政府應用的下一代設備。2023年2月Adeia宣布，連接和電源解決方案供應商 Qorvo 已獲得 Adeia 混合鍵合技術(shù)的許可。Adeia 還向 SK 海力士（2020 年）和美光（2022 年）授予了許可。這兩家內(nèi)存供應商預計將在 2026 年針對 >300L 的 3D NAND 采用混合鍵合。三星預計將在次年推出針對 >400L 的技術(shù)。長江存儲也于 2021 年獲得了 DBI 技術(shù)的授權(quán)。

2023年2月，聯(lián)華電子與楷登電子Cadence共同宣布，采用Integrity?3D-IC平臺的Cadence?3D-IC參考工作流程已通過聯(lián)電的芯片堆棧技術(shù)認證，將進一步縮短產(chǎn)品上市時間。Integrity 3D-IC平臺是業(yè)界首款綜合解決方案，提供3D設計完整的設計規(guī)劃、實現(xiàn)和分析。通過在設計初期執(zhí)行熱能、功耗和靜態(tài)時序分析，可以實現(xiàn)3D芯片堆棧中的多個晶粒的同步設計和分析。

芯盟科技是一家三維異構(gòu)集成芯片的技術(shù)平臺型公司，公司擁有三維單芯片異構(gòu)系統(tǒng)集成技術(shù)HITOC?、3D和2.5D異構(gòu)集成系統(tǒng)解決方案SOH?。運用先進的晶圓對晶圓和晶粒對晶圓（Die-on-Wafer）混合鍵合制造工藝，將不同類型的wafer或die上下對準貼合，以實現(xiàn)三維異構(gòu)單芯片集成?；谠摷夹g(shù)，芯盟科技在2022年開發(fā)了全新架構(gòu)3D 4F2 DRAM芯片，最大特點是不需要用到EUV光刻機，也不需要多重圖形曝光SAQP步驟，這可以大幅減少成本。

2021年11月，阿里達摩院成功研發(fā)全球首款基于DRAM的3D鍵合堆疊存算一體AI芯片，可應用于VR/AR、無人駕駛、天文數(shù)據(jù)計算、遙感影像數(shù)據(jù)分析等場景。為了拉近計算資源和存儲資源的距離，達摩院創(chuàng)新性采用混合鍵合（Hybrid Bonding）的3D堆疊技術(shù)進行芯片封裝——將計算芯片和存儲芯片face－to－face地用特定金屬材質(zhì)和工藝進行互聯(lián)。

在ISSCC 2022 上，阿里展示了使用混合鍵合的 AI 計算設備，將全DRAM 晶圓直接混合鍵合到 Cerebra 的晶圓級引擎上。

材料端，要通過混合鍵合等技術(shù)來實現(xiàn)有效的芯片堆疊，還需要在晶圓級組裝方面進行創(chuàng)新，因為未來的人工智能世界中需要巨大的復合體和整個產(chǎn)品的晶圓級集成。英特爾認為，玻璃基板的采用將使該行業(yè)能夠通過消除中介層并直接連接芯片來將大型晶圓復合體組裝在一起。

封測端，日月光正在持續(xù)開發(fā)可優(yōu)化時脈速度、頻寬和電力傳輸?shù)南冗M封裝技術(shù)在混合鍵合技術(shù)上；長電科技XDFOI?的2.5D RDL高性能封裝已實現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，正在Hybrid-bonding進行布局。

國內(nèi)代工端，長春長光圓辰微電子技術(shù)有限公司提供CIS晶圓背照式代工服務，即CIS wafer +ROIC wafer hybrid bonding，利用鍵合設備，搭配對準系統(tǒng)，晶圓對準精度小于500nm。通過檢測設備，晶圓鍵合率大于99.98%。

當前，實現(xiàn)Hybrid Bonding設備的突破是當務之急。應用材料公司是最大的異構(gòu)集成技術(shù)供應商，2023年7月，應用材料公司推出利用混合鍵合和硅通孔新技術(shù)推進異質(zhì)芯片集成方案，可幫助芯片制造商使用混合鍵合和硅通孔 (TSV) 將小芯片集成到先進的 2.5D 和 3D 封裝中。方案包括混合鍵合產(chǎn)品組合Insepra ? SiCN，采用新型氮化碳硅材料，可提供業(yè)界最高的介電結(jié)合強度，并提供卓越的銅擴散阻擋性能。還有Catalyst ? CMP 解決方案可幫助客戶控制“凹陷”量，即銅材料在隨后的高溫退火步驟中粘合的兩個表面上的有意凹陷。兩套方案可實現(xiàn)與新材料的最先進的混合鍵合并增強表面處理。

目前，應用材料公司擁有多種技術(shù)和解決方案，包括電介質(zhì)沉積、金屬沉積、電鍍、化學機械平坦化 (CMP)和蝕刻，以支持混合鍵合工藝流程的各個階段。應用材料公司正在與 EVG 合作開發(fā)晶圓間混合鍵合集成工藝。與 Besi 合作芯片到晶圓混合鍵合技術(shù)。

混合鍵合設備精度達到100nm以下

日本和歐洲的設備企業(yè)憑借精密運動控制的技術(shù)壁壘與全球合作在混合鍵合設備全球市場處于壟斷地位。

EVG是全球晶圓鍵合機的領跑者。EVG永久粘合系統(tǒng)包括系列晶圓鍵合機，提供最佳的總體擁有成本 (TCO)，以及多種設計功能來優(yōu)化鍵合良率。永久鍵合設備包含EVG?501/510/520IS/540/560,用于鍵合對準的多個模塊針對 MEMS、3D 集成或先進封裝的不同市場需求進行了優(yōu)化。永久鍵合系統(tǒng)擁有小于100納米的行業(yè)領先的對準精度和經(jīng)過大量驗證的模塊化平臺，使EVG的晶圓鍵合技術(shù)能夠結(jié)合到各種應用中。如今，EV Group 正在與行業(yè)合作伙伴深入合作，解決晶圓制備、CMP 和推進技術(shù)所需的其他工藝步驟之間的相互依賴性。

來自德國的SUSS MicroTec 集團是微結(jié)構(gòu)應用設備和工藝解決方案的領先供應商。研制的XBS300 混合鍵合平臺用于研發(fā)和大批量生產(chǎn)的永久晶圓鍵合平臺其高度模塊化的設計以較低的擁有成本為客戶提供了最大的配置靈活性。擁有小于100 nm 的高精度，支持 D2W和 W2W混合鍵合，重點關(guān)注 3D 堆疊存儲器或 3D SOC等最苛刻的應用。

Besi擁有全球領先的芯片貼裝系統(tǒng)。產(chǎn)品包括用于先進封裝的多芯片鍵合機、環(huán)氧樹脂和軟焊料鍵合機、用于大規(guī)模生產(chǎn)的高精度倒裝芯片鍵合機、堆疊芯片鍵合機和芯片分類設備。在鍵合機子中，8800 CHAMEO ultra ?plus是第一臺HVM芯片到晶圓混合鍵合機精度＜200-100納米精度， UPH為2000；8800 CHAMEOultra plus是混合D2W鍵合機，擁有ISO3清潔度和高精度（ 小于200-122nm）；適用于HPC芯片集成、高密度3D NAND、AP和RF SiP模塊。

奧芯明 （即ASMPT）?是全球半導體后端設備的領跑者。2021年ASMPT與 EV Group 聯(lián)手打造業(yè)界首個用于 3D-IC 異構(gòu)集成的超精密芯片到晶圓混合鍵合解決方案LithoBolt?，與前道制程工具設計相同，為 Chiplet 集成而設計，具備D2W 混合鍵合的靈活工藝能力。使用 ASMPT 的超高精度 (200nm) 芯片貼裝以及 EVG 的芯片到晶圓混合鍵合和融合技術(shù)來優(yōu)化連接它們，實現(xiàn)與 SoC 方法相當甚至更好的性能。

東京電子晶圓鍵合機/解鍵合機Synapse? 系列結(jié)合了 TEL 50 年來開發(fā)的超薄晶圓轉(zhuǎn)移、化學涂層、等離子處理和清潔等領先技術(shù)，成為 300mm 晶圓的行業(yè)標準鍵合/解鍵合工具。Synapse? 系列為 TSV（硅通孔）中的臨時鍵合/解鍵合工藝、CMOS 圖像傳感器和其他各種類型器件的永久鍵合工藝提供先進的解決方案，有助于 3D 集成的大批量制造，這將變得更加重要并有望實現(xiàn)生長。

2023年8月艾科瑞思隆重推出了納米級高精度混合鍵合——麒芯8800。是芯片到晶圓混合鍵合工藝中的國產(chǎn)關(guān)鍵裝備，鍵合精度為500nm，能夠?qū)⒉煌愋偷男酒愿逫/O密度、更低互聯(lián)阻抗的方式鍵合在一起，適用于2.5D封裝、3D封裝、Chiplet等先進封裝工藝。目前，艾科瑞思麒芯8800在前道晶圓制造產(chǎn)線已實現(xiàn)95%的鍵合良率，正努力挑戰(zhàn)更高鍵合精度。

華卓精科為以超精密測控技術(shù)為基礎，開發(fā)了HBS系列全自動晶圓混合鍵合系統(tǒng)是自動化程度、集成度很高，對準精度為200nm，環(huán)境控制等級為ISO class 1，效率為12-12WPH。集成了鍵合工藝的多個功能模塊，真正實現(xiàn)了室溫的直接鍵合工藝。

拓荊科技研制了兩款混合鍵合設備，晶圓對晶圓鍵合產(chǎn)品（Dione 300）已通過客戶驗收并獲得重復訂單，芯片對晶圓鍵合表面預處理產(chǎn)品（Pollux）已出貨至客戶端驗證。

華封科技對標設備巨頭，正研發(fā)AvantGo R系列，目標精度將小于200 nm，高速度高于2000 UPH，適應前道潔凈室標準，預計將于2023年四季度以后上市。