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    • 先進(jìn)制程頻頻發(fā)熱
    • 新結(jié)構(gòu)帶來(lái)新問(wèn)題
    • 軟件成手機(jī)廠商發(fā)力重點(diǎn)
    • 先進(jìn)制程依舊是競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)
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3nm“炙手可熱”,手機(jī)企業(yè)怎么辦?

2023/10/24
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近日,首次采用臺(tái)積電3nm制程的蘋(píng)果iPhone15 Pro新機(jī)陷入A17芯片過(guò)熱爭(zhēng)議。在此前,有消息稱臺(tái)積電3納米良率僅55%,也因此臺(tái)積電將不會(huì)按照標(biāo)準(zhǔn)晶圓價(jià)格向蘋(píng)果收費(fèi),蘋(píng)果僅向臺(tái)積電支付可用芯片的費(fèi)用。此外,有消息稱,受到3nm良率的影響,高通即將發(fā)布的驍龍8 Gen 3芯片,將不會(huì)全部使用3nm制程,部分產(chǎn)品依舊采用4nm制程。

第一個(gè)吃螃蟹的人,一定會(huì)有風(fēng)險(xiǎn)。隨著芯片制程不斷縮小,芯片良率低以及發(fā)熱的問(wèn)題愈見(jiàn)凸顯。使得原本需求火熱的先進(jìn)制程芯片,卻因?yàn)榘l(fā)熱問(wèn)題變得有些“炙手可熱”。先進(jìn)制程是否將不再成為手機(jī)廠商的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)?

先進(jìn)制程頻頻發(fā)熱

在此之前,先進(jìn)制程芯片也頻頻出現(xiàn)發(fā)熱問(wèn)題。

大致從5nm工藝開(kāi)始,手機(jī)芯片普遍出現(xiàn)發(fā)熱現(xiàn)象。彼時(shí),三星獵戶座1080、華為麒麟9000、驍龍888和蘋(píng)果的A14芯片都采取了5nm工藝制程,但卻不約而同地出現(xiàn)了發(fā)熱的現(xiàn)象。在此后的4nm工藝中,高通驍龍8 Gen 1、三星Exynos 2200、聯(lián)發(fā)科天璣9000等采用4nm工藝制程的手機(jī),也再度因?yàn)榘l(fā)熱現(xiàn)象引發(fā)爭(zhēng)議。

依照摩爾定律規(guī)則,芯片制程縮小,晶體管密度增加,功耗也會(huì)隨之減少。然而,隨著芯片制程愈發(fā)接近物理極限,芯片的功耗為何卻出現(xiàn)不降反增的趨勢(shì)?

北京超弦存儲(chǔ)器研究院執(zhí)行副院長(zhǎng)、北京航空航天大學(xué)兼職博導(dǎo)趙超告訴《中國(guó)電子報(bào)》記者,先進(jìn)制程之所以會(huì)出現(xiàn)發(fā)熱的現(xiàn)象,是短溝道效益所引起的?!?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/492192.html">半導(dǎo)體制造中,集成電路的尺寸隨著摩爾定律的發(fā)展而持續(xù)縮小,溝道長(zhǎng)度也相應(yīng)地縮短,這就導(dǎo)致了溝道管中的S和D(源和漏)的距離越來(lái)越短。因此柵極對(duì)溝道的控制能力變差,這就意味著柵極電壓夾斷溝道的難度變大,即產(chǎn)生短溝道效應(yīng),從而出現(xiàn)嚴(yán)重的電流泄露(漏電)現(xiàn)象,最終讓芯片的發(fā)熱和耗電失控?!壁w超說(shuō)。

新結(jié)構(gòu)帶來(lái)新問(wèn)題

趙超表示,5nm、4nm芯片所采用的都是FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)結(jié)構(gòu)。FinFET所采用的是三面柵的結(jié)構(gòu),并非像GAA一樣的四面環(huán)繞式的結(jié)構(gòu),其中一個(gè)方向沒(méi)有柵極的包裹。隨著芯片制程的不斷減小,F(xiàn)inFET三面柵的結(jié)構(gòu)對(duì)于漏電的控制能力也在逐漸減弱,造成芯片出現(xiàn)功耗問(wèn)題。

然而,采用了四面環(huán)繞式GAA架構(gòu)的三星,雖然在一定程度上緩解了短溝道效益,但是卻并沒(méi)有如愿大幅度提升芯片的良率。據(jù)了解,采用GAA架構(gòu)的三星3nm工藝芯片,首批的良率只有10%~20%,而如今的良率也僅僅只有50%~60%。業(yè)內(nèi)人士透露,三星若想獲得高通等大客戶的3nm訂單,良率至少要達(dá)到70%以上。

三星通過(guò)改變芯片架構(gòu)實(shí)現(xiàn)功耗的降低和性能的提升

可以推算,未來(lái)芯片進(jìn)入到2nm以及更小制程后,芯片的發(fā)熱以及功耗問(wèn)題也將難以避免。

軟件成手機(jī)廠商發(fā)力重點(diǎn)

由于先進(jìn)制程頻頻出現(xiàn)問(wèn)題,使得很多手機(jī)廠商開(kāi)始 “另辟蹊徑”,試圖通過(guò)其他方式來(lái)提升芯片的性能,在這之中,軟件成為了諸多手機(jī)廠商的關(guān)注焦點(diǎn)。

對(duì)于手機(jī)而言,如果把芯片比作一粒種子,那么軟件就是土壤,如果軟件能夠針對(duì)芯片硬件的特性進(jìn)行優(yōu)化,就像土壤為種子提供最適宜的生長(zhǎng)環(huán)境,那么芯片便能發(fā)揮出更大的功效。因此,諸多手機(jī)廠商也開(kāi)始嘗試通過(guò)優(yōu)化自家的軟件系統(tǒng),從而更好地發(fā)揮自研芯片的性能,提供更加流暢、高效的用戶體驗(yàn)。

例如,蘋(píng)果即將發(fā)布iOS 17.0.3版本,便是想通過(guò)軟件的升級(jí),從而優(yōu)化設(shè)備的溫度表現(xiàn),進(jìn)而改善手機(jī)的發(fā)熱問(wèn)題;華為的鴻蒙系統(tǒng)與麒麟芯片的深度結(jié)合,也是促使Mate 60 Pro的性能超越傳統(tǒng)預(yù)期的主要方式之一。

先進(jìn)制程依舊是競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)

然而,業(yè)內(nèi)專家莫大康向《中國(guó)電子報(bào)》記者表示,軟件生態(tài)對(duì)于手機(jī)而言固然重要,但是并不能完全替代通過(guò)芯片制程縮小帶來(lái)的性能提升。此外,盡管芯片制程的不斷縮小,給芯片良率帶來(lái)了很多困難,但是先進(jìn)制程的市場(chǎng)熱度仍舊只增不減。臺(tái)積電3nm工藝制造的12英寸晶圓的報(bào)價(jià)高達(dá)3萬(wàn)美元,是7nm工藝的3倍之多。預(yù)計(jì)到2025年之際,3nm制程市場(chǎng)的產(chǎn)值將會(huì)高達(dá)255億美元。

數(shù)據(jù)來(lái)源:據(jù)公開(kāi)資料整理

“采用新產(chǎn)品、新技術(shù),是幫助企業(yè)在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中立足的關(guān)鍵因素之一,但這同樣也需要企業(yè)承擔(dān)相應(yīng)的風(fēng)險(xiǎn)。市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)本身就是賭,誰(shuí)也無(wú)法預(yù)測(cè)是否能賭成功。但是蘋(píng)果等資本力量雄厚的企業(yè),也有賭的資本,所以他們并不怕試錯(cuò)。此外,新技術(shù)同樣也需要時(shí)間去試錯(cuò)和迭代。雖然,目前3nm先進(jìn)制程的良率不高,但是并不意味著未來(lái)的良率不會(huì)提升。隨著技術(shù)不斷成熟,先進(jìn)制程芯片的現(xiàn)有問(wèn)題也會(huì)被一一解決,只是由于制程不斷縮小,技術(shù)難度越來(lái)越大,技術(shù)的磨合期也會(huì)相應(yīng)變長(zhǎng)?!蹦罂迪颉吨袊?guó)電子報(bào)》記者表示。

臺(tái)積電、三星、英特爾中芯國(guó)際的芯片制程發(fā)展線

數(shù)據(jù)來(lái)源:集邦咨詢

有消息稱,在臺(tái)積電成功試產(chǎn)2nm的幾乎同一時(shí)間,蘋(píng)果便成為了首個(gè)客戶。與此同時(shí),高通也在考慮在未來(lái)使用臺(tái)積電的2nm工藝生產(chǎn)其芯片。先進(jìn)制程依舊是手機(jī)廠商眼中的“香餑餑”。

芯片制程的延伸和軟件系統(tǒng)的升級(jí),也將成為未來(lái)手機(jī)技術(shù)發(fā)展的“兩條腿”,二者缺一不可。

作者丨沈叢,編輯丨張心怡

美編丨馬利亞,監(jiān)制丨連曉東

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