晶振參數(shù)中的負(fù)載電容CL是什么？

在晶振的振蕩電路中，負(fù)載電容CL是指連接到無源晶振頻率引腳終端上的電容總數(shù)。CL值取決于外部電容器CL1、CL2和雜散電容Cs。對于晶振單體而言，負(fù)載電容CL則屬于它本身重要電氣參數(shù)之一，由晶振制造商給出，可在晶振數(shù)據(jù)手冊中找到。

負(fù)載電容CL，英文為Load Capacitance，為晶振一個(gè)重要電氣參數(shù)。一般情況下，對功耗不太敏感的電子設(shè)備PCBA上，常見的晶振負(fù)載電容為 15PF、18PF、20PF。而諸如腕表、手機(jī)、藍(lán)牙耳機(jī)等對低功耗明顯有較高需求的電子數(shù)碼產(chǎn)品，常采用晶振為負(fù)載較小的晶振，比如6PF、7PF、9PF、10PF、12PF。

在生產(chǎn)制造中，晶振的負(fù)載電容值的大小已經(jīng)根據(jù)設(shè)計(jì)需求被固定，在后續(xù)電路應(yīng)用中無法更改或調(diào)整。

一般情況下，在無源晶振的電路使用中，我們需要根據(jù)晶振的負(fù)載電容來調(diào)整外接電容值的大小，以便微調(diào)晶振工作中輸出頻率的精度。而在有源晶振的電路應(yīng)用中，因?yàn)闊o需外接電容，因此省去了外接電容與晶振負(fù)載電容之間的匹配過程。

注：

1、CL: 晶振負(fù)載電容。

2、CS: 指雜散電容，包括IC內(nèi)部的雜散容值、電路板布線間的電容量、PCB板各層之間的寄生電容等。

3、上圖中C2和 C3分別指無源晶振在電路應(yīng)用中的兩顆外接電容。C2和C2是電路板和包括IC 和晶振在內(nèi)的組件的總電容值。