東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設(shè)備電源線路的負載開關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。

實現(xiàn)具有低漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）的雙向開關(guān)需要兩個具有低RDS(ON)的MOSFET，尺寸為3.3mmí3.3mm或2mmí2mm。東芝的新產(chǎn)品采用小巧纖薄的新型封裝TCSPAG-341501（3.37mmí1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）），同時在單封裝共漏極結(jié)構(gòu)中搭載電阻值為9.9mΩ（典型值）的源極-源極導(dǎo)通電阻（RSS(ON)）。

USB PD（USB Power Delivery）專門針對需要高功率供電的設(shè)備而開發(fā)，可以提供從15W（5V/3A）直至最大240W（48V/5A）的功率。USB PD具有角色交換功能，支持電源側(cè)和接收側(cè)的互換，要求USB充電設(shè)備能夠雙向供電，以便能夠同時支持電力傳輸和電力接收。此次新產(chǎn)品就是一款支持雙向供電，表貼面積較小的N溝道共漏極MOSFET。

將該產(chǎn)品與東芝TCK42xG系列中的驅(qū)動IC相結(jié)合可構(gòu)成具有防回流功能的負載開關(guān)電路或可以在先合后斷（MBB）和先斷后合（BBM）之間切換操作的電源多路復(fù)用器電路。基于這種產(chǎn)品組合，東芝于今日發(fā)布了適用于電源多路復(fù)用器電路的參考設(shè)計（使用共漏極MOSFET）。使用該參考設(shè)計有助于縮短產(chǎn)品設(shè)計與開發(fā)時間。

未來東芝將繼續(xù)擴大其產(chǎn)品線并改進相關(guān)特性，以提高設(shè)計靈活性。

適用于電源多路復(fù)用器電路的參考設(shè)計（使用共漏極MOSFET）

電源多路復(fù)用器電路簡易方框圖

新型封裝TCSPAG-341501

• 應(yīng)用：

智能手機

筆記本電腦

平板電腦等

• 特性：

高源極-源極額定電壓：VSSS＝30V

低導(dǎo)通電阻：RSS(ON)＝9.9mΩ（典型值）（VGS＝10V）

雙向?qū)ǖ墓猜O連接結(jié)構(gòu)

小巧纖薄的TCSPAG-341501封裝：3.37mmí1.47mm（典型值），厚度＝0.11mm（典型值）

• 主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

注：

[1] 器件安裝在一塊FR4環(huán)氧樹脂玻璃板（25mmí27.5mm、厚度＝1.6mm，銅焊盤：18μm、407mm2）上

[2] 器件安裝在一塊FR4環(huán)氧樹脂玻璃板（25mmí27.5mm、厚度＝1.6mm，銅焊盤：70μm、687.5mm2）上