比亞迪、蔚來改變SiC路線！它將成主流？

最近小米汽車SU7正式亮相，細心注意的人會發(fā)現(xiàn)，他們主驅(qū)電控的SiC功率模塊并沒有采用常規(guī)的HPD三相全橋模塊，而是采用了SiC半橋模塊。

據(jù)“行家說三代半”調(diào)研，除了小米外，比亞迪、蔚來、北汽、長安、賽力斯、長城等車企也在轉(zhuǎn)向SiC半橋模塊。同時，基本半導(dǎo)體、愛仕特等SiC企業(yè)也已研發(fā)出高性價比的車規(guī)級SiC半橋模塊產(chǎn)品，助力新能源賽道發(fā)展。

比亞迪、小米、蔚來等車企為何紛紛采用SiC半橋模塊？對比HPD模塊，半橋模塊有哪些優(yōu)勢？基本半導(dǎo)體、愛仕特發(fā)布的SiC半橋模塊有何獨特優(yōu)勢？

蔚來、比亞迪改變SiC路線：半橋模塊取代HPD

12月23日，蔚來發(fā)布了最新的旗艦車型ET9，該車型搭載了1200V SiC功率模塊，采取半橋封裝工藝，功率模塊密度1315kW/L，擁有高達30萬次的功率循環(huán)能力。

“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，去年5月，蔚來與安森美達成合作，采購其VE-TracTM Direct SiC功率模塊，該模塊搭載了第二代SiC MOSFET技術(shù)，采用HPD封裝形式。也就是說，蔚來此前的SiC車型主要采用HPD模塊，而從ET9開始轉(zhuǎn)向SiC半橋模塊。

無獨有偶，比亞迪汽車也在更新SiC主驅(qū)功率模塊技術(shù)路線，逐漸從HPD模式向半橋模式轉(zhuǎn)移，并推出相關(guān)產(chǎn)品。

“行家說三代半”留意到，2023年12月，比亞迪半導(dǎo)體在某個獎項的申報材料中透露，他們自研出了單面塑封SiC半橋模塊。該模塊采用最新雙面銀燒結(jié)工藝，目前已應(yīng)用在比亞迪汽車系列上。

可以發(fā)現(xiàn)，比亞迪的主驅(qū)SiC模塊已經(jīng)發(fā)展至第三代：2020年推出第一代1200V、840A三相全橋SiC功率模塊，已搭載比亞迪“漢EV”等車型；2022年推出第二代1200V、1040A三相全橋SiC功率模塊；2023年推出第三代SiC半橋模塊。

目前，商用的車規(guī)級SiC功率模塊多采用基于硅器件的傳統(tǒng)模塊封裝技術(shù)，三相全橋HPD模塊仍是主流，但隨著800V+SiC時代的到來，以半橋結(jié)構(gòu)和塑封工藝為主的封裝模式或?qū)⒊蔀榇筅厔?，國?nèi)出了比亞迪、蔚來和小米外，北汽、長安、賽力斯、長城等車企也在主驅(qū)中導(dǎo)入SiC半橋模塊。

SiC半橋優(yōu)勢：降低25%成本、75%雜感

眾所周知，傳統(tǒng)HPD灌膠模塊只是SiC模塊的“過渡性”封裝方案，并不能充分發(fā)揮SiC MOSFET芯片的高耐溫、高頻率和高耐壓等優(yōu)勢，很難克服雜散電感、可靠性、兼容性、工作溫度等方面的挑戰(zhàn)。

對比之下，SiC塑封半橋模塊式則更靈活，配合銀燒結(jié)、塑封轉(zhuǎn)模等關(guān)鍵技術(shù)，不僅可實現(xiàn)更均勻的電流密度分布，而且熱容熱阻和雜散電感等方面表現(xiàn)也更好。據(jù)行業(yè)人士分析，傳統(tǒng)HPD模塊的雜散電感高達12 nH，而塑封半橋模塊僅為3-4 nH，相較之下雜散電感下降了75%左右，SiC模塊的可靠性更佳。

此外，通過采用雙面水冷等技術(shù)，還可以大幅降低SiC芯片成本。以北汽的第五代SiC電驅(qū)動總成為例，相對于標(biāo)準HPD封裝，在同樣輸出功率情況下，他們的雙面水冷塑封SiC半橋模塊的芯片數(shù)量減少1/4、功率密度提高28%，封裝拓展更加靈活，壽命提升4倍。

然而，在將塑封半橋封裝技術(shù)應(yīng)用于SiC模塊時仍面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)，包括寄生參數(shù)、模塊散熱和電磁干擾等。最近，基本半導(dǎo)體、愛仕特等國內(nèi)SiC廠商已經(jīng)順利攻克技術(shù)關(guān)隘，成功實現(xiàn)車規(guī)級SiC半橋功率模塊自研創(chuàng)新，為汽車廠商邁向800V時代提供了一臂之力。

基本半導(dǎo)體：發(fā)布DCM SiC模塊系列Pcore?2

針對新能源汽車主驅(qū)逆變器應(yīng)用，基本半導(dǎo)體打造了高功率密度的車規(guī)級DCM?SiC MOSFET模塊系列——Pcore?2，共有4款產(chǎn)品。

據(jù)悉，基本半導(dǎo)體的Pcore?2模塊采用主流的DCM封裝，不僅采用了先進的有壓型銀燒結(jié)工藝和高性能粗銅線鍵合技術(shù)，還使用氮化硅AMB陶瓷基板以及直接水冷的PinFin結(jié)構(gòu)。

該系列產(chǎn)品具有低動態(tài)損耗、低導(dǎo)通電阻、高阻斷電壓、高電流密度、高可靠性等特點，可支持連續(xù)運行峰值結(jié)溫至175℃，以及具備650Arms以上連續(xù)峰值相電流輸出，可應(yīng)用在新能源乘用車/商用車電力驅(qū)動系統(tǒng)、燃料電池能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，具有以下技術(shù)特點：

●采用溝槽型、低RDS(on)??SiC MOSFET芯片，結(jié)合多種芯片并聯(lián)組合形式，實現(xiàn)高輸出功率密度，適配主驅(qū)逆變器應(yīng)用優(yōu)化特性；

●通過DTS（Die Top System）連接系統(tǒng)，將高密度銅線綁定技術(shù)和雙面壓型銀燒結(jié)工藝高度結(jié)合，實現(xiàn)低開關(guān)損耗、低雜散電感、更低的熱阻Rth(j-f)<0.09 K/W；

●高性能氮化硅AMB陶瓷板作為封裝基板，配合直接水冷的PinFin結(jié)構(gòu)，SiC模塊可在工作結(jié)溫高達175℃環(huán)境下連續(xù)運行；

據(jù)基本半導(dǎo)體透露，未來他們的Pcore?2系列模塊將與多家車企展開合作，推動半橋式SiC模塊上車應(yīng)用。此前，基本半導(dǎo)體的SiC功率模塊已在數(shù)十家客戶端進行評測和驗證，并已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的定點，涉及30余個SiC電驅(qū)項目，得到了汽車客戶的廣泛認可。

愛仕特：發(fā)布車規(guī)級SiC模塊DCS12系列

2023年6月，愛仕特也推出了為新一代車規(guī)級SiC模塊——DCS12系列，該產(chǎn)品采用半橋式結(jié)構(gòu)，工作額定電壓范圍為650V-1700V，工作電流范圍為400A-1000A，契合大多數(shù)新能源汽車的使用場景，給即將到來的高壓高功率時代注入新動力。

在工藝設(shè)計上，愛仕特DCS12模塊系列具有以下優(yōu)勢：

●散熱架構(gòu)優(yōu)越，整體可靠性強：DCS12模塊一方面優(yōu)化水道結(jié)構(gòu)設(shè)計，通過分區(qū)散熱和對水流的精準控制，避免了整體溫差梯度過大的問題，實現(xiàn)直接水冷以降低系統(tǒng)熱阻，最高工作結(jié)溫175℃；另一方面，這種并聯(lián)的水道設(shè)計使得芯片均勻冷卻無溫差，利于并聯(lián)的芯片中電流均勻分布，模塊可靠性進一步提升。

●密封性良好，雜散電感低：DCS12模塊的封裝是一次鑄造成型，其密封保護可以確保逆變器在機械沖擊和潮濕環(huán)境下仍然可實現(xiàn)穩(wěn)定可靠的性能，允許極限溫度循環(huán)以及更高的結(jié)溫來提升功率密度；此外，模塊結(jié)構(gòu)緊湊，利于降低模塊的雜散電感，進而降低系統(tǒng)雜散電感，并充分利用SiC器件的高速開關(guān)特性，以降低電壓過沖的影響。

●功率密度高，適用高溫、高頻應(yīng)用，超低損耗：DCS12模塊采用銀燒結(jié)與銅綁定技術(shù)的結(jié)合，解決了普通綁定工藝可靠性問題，在不降低電流的情況下實現(xiàn)更高結(jié)溫下運行，功率循環(huán)能力得到大幅度提升。

綜合來看，愛仕特DCS12模組系列在縮小半導(dǎo)體器件使用尺寸的同時，還可以提高車載逆變器的功率密度、可靠性、耐用性以及壽命周期，緊密貼合新能源汽車的使用場景和實際要求，未來勢必得到多數(shù)車企的歡迎。

作為SiC器件頭部廠商，愛仕特目前已完成A+輪融資，累積融資金額達數(shù)億元，基于自主設(shè)計的6英寸SiC 芯片，現(xiàn)已量產(chǎn)650V、1200V、1700V、3300V全系列 SiC MOSFET（46款）及功率模塊（71款） ，并自建車規(guī)級SiC功率模塊生產(chǎn)基地。截至目前，愛仕特SiC功率器件獲得了多家車企的億元訂單。