芯耀
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近期，碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)展不斷，三菱電機(jī)、華潤(rùn)微電子、方正微電子、至信微電子、派恩杰半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體紛紛推出創(chuàng)新產(chǎn)品。這些新品憑借高效、節(jié)能、可靠的性能優(yōu)勢(shì)，正加速推動(dòng)各應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)與能效提升。
三菱電機(jī)：發(fā)布家電用SiC模塊
4月15日，三菱電機(jī)集團(tuán)宣布，將于4月22日開始供應(yīng)兩款新型空調(diào)及家電用SLIMDIP系列功率半導(dǎo)體模塊樣品——全SiC SLIMDIP（PSF15SG1G6）和混合SiC SLIMDIP（PSH15SG1G6）。
作為該企業(yè)SLIMDIP系列中首款采用SiC技術(shù)的緊湊型端子優(yōu)化模塊，這兩款產(chǎn)品在小型至大型電器應(yīng)用中均能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的輸出性能與功耗降低，顯著提升能效表現(xiàn)。此外，三菱電機(jī)新開發(fā)的SiC MOSFET芯片已集成至兩款新型SLIMDIP封裝中。與現(xiàn)行硅基逆導(dǎo)型絕緣柵雙極晶體管（RC-IGBT）SLIMDIP模塊相比，新型SiC模塊可為大容量家電提供更高的輸出功率。此外，與硅基模塊相比，全SiC SLIMDIP的功率損耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率損耗降低了47%，可使電器更節(jié)能。通過這兩款新型模塊與現(xiàn)有硅基RC-IGBT SLIMDIP模塊的組合，SLIMDIP系列現(xiàn)可為空調(diào)等家電的逆變器電路板提供多種方案選擇。值得關(guān)注的是，三菱電機(jī)已冠名贊助““電動(dòng)交通&數(shù)字能源SiC技術(shù)應(yīng)用及供應(yīng)鏈升級(jí)大會(huì)”，屆時(shí)將公布更多SiC 功率半導(dǎo)體解決方案。本次會(huì)議將于5月15日舉辦，歡迎掃碼報(bào)名參會(huì)。
華潤(rùn)微電子：發(fā)布新SiC主驅(qū)模塊
4月19日，華潤(rùn)微電子功率器件事業(yè)群推出了1200V 450A/600A的半橋DCM和全橋HPD共四款主驅(qū)模塊。
該系列模塊基于成熟量產(chǎn)的第二代車規(guī)SiC MOS平臺(tái)，兼具SiC器件的低導(dǎo)通損耗、耐高溫特性以及DCM、HPD模塊的高功率密度、高系統(tǒng)效率等優(yōu)異性能，在汽車主驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用中展現(xiàn)出了強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。
此外，此次發(fā)布的模塊產(chǎn)品性能對(duì)標(biāo)國際主流產(chǎn)品，采用6管/8管并聯(lián)，通過對(duì)Vth的嚴(yán)格分檔提高芯片一致性。封裝方面，結(jié)合自主設(shè)計(jì)的Si3N4 AMB、銀燒結(jié)、DTS工藝，均流特性好，寄生電感??；采用單面水冷+模封工藝，最高工作結(jié)溫175℃。
方正微電子：發(fā)布車規(guī)主驅(qū)第二代SiC芯片
4月16日，方正微電子副總裁彭建華對(duì)外正式發(fā)布了第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，性能達(dá)到國際頭部領(lǐng)先水平。
據(jù)了解，方正微電子第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS在第一代的高可靠基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實(shí)現(xiàn)了在行業(yè)主流芯片面積需求條件下性能提升，可靠性3倍于行業(yè)通用認(rèn)證要求，并具有低導(dǎo)通電阻（13mΩ）、高擊穿電壓（>1500V）、高閾值電壓（3V）、高可靠性（＞3000小時(shí)）等特點(diǎn)。如今，方正微電子的車規(guī)主驅(qū)第一代SiC MOS已大規(guī)模上車，預(yù)計(jì)2025年將實(shí)現(xiàn)上乘用車主驅(qū)幾十萬輛車的新跨越。此外，方正微電子車規(guī)/工規(guī)SiC全系產(chǎn)品聚焦新能源車、光儲(chǔ)充、UPS、工業(yè)電源、AI服務(wù)器以及新興應(yīng)用機(jī)器人、eVTOL、電動(dòng)船舶等應(yīng)用領(lǐng)域，已大規(guī)模出貨，服務(wù)行業(yè)客戶。
至信微電子：發(fā)布新SiC芯片
4月21日，至信微電子發(fā)布了 3300V 8Ω SiC MOSFET系列產(chǎn)品，具有以下特點(diǎn)：
一是性能優(yōu)勢(shì)明顯：正向電阻溫漂特性出色、電磁優(yōu)化設(shè)計(jì)、輸入電阻更小、門極電荷更低、器件電容低（輸出、反向傳輸電容行業(yè)領(lǐng)先）、耐浪涌和短路能力超強(qiáng)、體二極管性能優(yōu)異（低正向壓降、低反向恢復(fù)電荷）、工作溫度可達(dá) 175℃且保持常閉穩(wěn)定。
二是應(yīng)用價(jià)值高：與商用驅(qū)動(dòng)器兼容，全溫域低導(dǎo)通損耗，振蕩大幅降低；開關(guān)速度與效率提升，且開關(guān)尖峰少、損耗低；功率密度和系統(tǒng)效率更高，易于并聯(lián)且杜絕熱失控風(fēng)險(xiǎn)，系統(tǒng)可靠性卓越。
此外，該系列器件可用于輔助電源、1500V 光伏逆變系統(tǒng)、工業(yè)電機(jī)（交流伺服）、通用逆變器及特種電源領(lǐng)域，應(yīng)用廣泛。
派恩杰半導(dǎo)體：發(fā)布SiC HPD模塊
4月16日，派恩杰半導(dǎo)體推出了SiC HPD模塊系列產(chǎn)品-PAAC12450CM，其采用了具有較小的RDSON溫漂特性派恩杰芯片，在其6并聯(lián)的布局設(shè)計(jì)，與傳統(tǒng)的8并聯(lián)競(jìng)品方案實(shí)現(xiàn)了相近的功率密度，帶來更高效、更可靠的逆變器解決方案。
派恩杰PAAC12450CM(6并聯(lián))與競(jìng)品(8并聯(lián))的損耗曲線對(duì)比具體來看，派恩杰半導(dǎo)體通過獨(dú)特芯片設(shè)計(jì)，使得芯片的導(dǎo)通電阻受溫度影響較小，可以有效抑制實(shí)際高溫工況下的功率輸出衰減，這意味著其可以在更嚴(yán)苛的工況條件下運(yùn)行，可靠性更高。此外，PAAC12450CM 采用了高度優(yōu)化的HPD布局設(shè)計(jì)，具有更優(yōu)均流效果和更低寄生電感。值得關(guān)注的是，派恩杰半導(dǎo)體即將推出下一代SiC HPD模塊，在同樣的6并聯(lián)架構(gòu)下，電流能力將從450A提升至600A。
納微半導(dǎo)體：發(fā)布最新SiCPAK?功率模塊
4月17日，納微半導(dǎo)體宣布推出最新SiCPAK?功率模塊，目標(biāo)市場(chǎng)包括電動(dòng)汽車直流快充（DCFC）、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、不間斷電源（UPS）、光伏逆變器與功率優(yōu)化器、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、工業(yè)焊接及感應(yīng)加熱。
據(jù)了解，該模塊采用納微獨(dú)家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù)，可以提供業(yè)界領(lǐng)先的溫域性能，還能將損耗降低20%，同時(shí)運(yùn)行的溫度更低并具有更卓越的魯棒性，從而為系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠性奠定基礎(chǔ)。此外，該模塊采用先進(jìn)環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)，通過隔絕濕氣入侵以承受高濕度惡劣環(huán)境，并通過降低功率與溫度變化引起的性能衰減以穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)更高的熱耐性。
