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湖南三安SiC SBD累計(jì)出貨量突破2億顆

2024/01/30
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1月24-26日,湖南三安攜8英寸碳化硅SiC)晶碇、襯底、外延,車規(guī)級SiC二極管、MOSFET產(chǎn)品,以及多場景應(yīng)用解決方案亮相第38屆日本國際電子展NEPCON JAPAN 2024。

據(jù)悉,湖南三安的SiC系列產(chǎn)品主要面向工業(yè)級和車規(guī)級應(yīng)用。目前,湖南三安SiC SBD已推出G3/G4/G5系列產(chǎn)品,已廣泛應(yīng)用于光伏逆變器充電樁、電源以及新能源汽車等領(lǐng)域并形成批量出貨,累計(jì)出貨量超2億顆;SiC MOSFET方面,湖南三安已推出針對新能源汽車主驅(qū)的1200V 16mΩ車規(guī)級產(chǎn)品,目前正在數(shù)家戰(zhàn)略客戶進(jìn)行模塊驗(yàn)證;湖南三安還推出了針對光伏的1700V 1Ω及1200V 32mΩ/75mΩ SiC MOSFET,已在重點(diǎn)客戶批量導(dǎo)入。

SiC SBD累計(jì)出貨量突破2億顆,意味著湖南三安SiC SBD系列產(chǎn)品受到較多客戶青睞,對其拓展國內(nèi)、國際市場是一大利好消息,有望為該公司SiC器件業(yè)務(wù)帶來更多簽單機(jī)會。

據(jù)了解,湖南三安半導(dǎo)體基地項(xiàng)目致力于建設(shè)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的以SiC等寬禁帶材料為主的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)與研發(fā)基地,項(xiàng)目投產(chǎn)后可廣泛用于新能源汽車、高鐵機(jī)車、航空航天和5G通訊等。

2022年7月,湖南三安半導(dǎo)體基地項(xiàng)目二期開建,總投資為80億元,全面達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)50萬片6英寸SiC晶圓的年產(chǎn)能。

湖南三安半導(dǎo)體基地二期工程目前已進(jìn)入廠房裝修后期階段,2024年一季度即將貫通。在緊盯SiC產(chǎn)能的同時(shí),湖南三安也瞄準(zhǔn)了海外市場。1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安與其簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議,Luminus將成為湖南三安SiC和氮化鎵GaN)產(chǎn)品在美洲的獨(dú)家銷售渠道,面向功率半導(dǎo)體應(yīng)用市場。

Luminus在美洲地區(qū)擁有銷售團(tuán)隊(duì),包括區(qū)域制造商代表、經(jīng)銷商等,并且在SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場已有布局。與Luminus合作,湖南三安SiC、GaN產(chǎn)品能夠更加順利地打入美洲市場。值得一提的是,2023年6月,湖南三安在SEMICON Taiwan 2023展會上首發(fā)8英寸SiC襯底,正式躋身國內(nèi)8英寸SiC襯底廠商行列。

集邦化合物半導(dǎo)體Zac

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GRM155R71H102KA01D 1 Murata Manufacturing Co Ltd Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 1000pF, 50V, ±10%, X7R, 0402 (1005 mm), 0.020"T, -55o ~ +125oC, 7" Reel/Paper Tape

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