SK海力士與臺積電開發(fā)HBM4，三星慌了

SK海力士正與臺積電合作，生產(chǎn)下一代高帶寬存儲器（HBM）并推進尖端封裝技術(shù)。

SK海力士近日在臺北與臺積電簽署技術(shù)合作諒解備忘錄（MOU），并于4月19日宣布計劃與臺積電合作開發(fā)HBM4（第六代HBM），計劃于2026年量產(chǎn)。

人工智能（AI）半導(dǎo)體市場最大客戶英偉達（NVIDIA）正在從SK海力士采購用于人工智能計算任務(wù)核心的圖形處理單元（GPU）的HBM，并將封裝委托給臺積電。

SK海力士表示，“作為AI存儲器的全球領(lǐng)導(dǎo)者，我們將與臺積電聯(lián)手，帶來HBM技術(shù)的又一次創(chuàng)新，我們將基于客戶、代工廠和存儲器三個方面克服存儲器性能的限制，合作將取得突破?！?/p>

通過此次合作，兩家公司將尋求提高安裝在 HBM 封裝底部的基礎(chǔ)芯片的性能。HBM 在基礎(chǔ)芯片頂部制造核心芯片（即單獨的 DRAM 芯片），并使用穿硅電極 (TSV) 技術(shù)將它們垂直連接，基礎(chǔ)芯片與GPU相連，起到控制HBM的作用。

此前，SK海力士使用自己的DRAM工藝制造基礎(chǔ)芯片，直至第五代HBM HBM3E，但宣布計劃從HBM4開始使用臺積電的超精細邏輯邊緣工藝添加各種系統(tǒng)功能。

HBM4 必須實現(xiàn)接近 HBM3 兩倍的高速和高容量性能，為此，基礎(chǔ)芯片必須執(zhí)行系統(tǒng)半導(dǎo)體所需的各種功能，而不僅僅是像現(xiàn)有 HBM 那樣簡單地連接 DRAM 芯片和 GPU。這種類型的基片很難使用現(xiàn)有的通用 DRAM 工藝來制造。SK海力士相關(guān)人士表示：“通過與臺積電合作，我們計劃生產(chǎn)定制化HBM，滿足客戶對性能和功效的廣泛需求?！?/p>

HBM是面向人工智能的超高性能DRAM（動態(tài)隨機存取內(nèi)存）產(chǎn)品，也是當(dāng)下存儲廠商的競爭焦點。而全球存儲器供應(yīng)由SK海力士、三星和美光三大存儲巨頭主導(dǎo)，其中，SK海力士以53%的市場份額占據(jù)絕對領(lǐng)導(dǎo)地位。

HBM通過垂直連接多個DRAM，可顯著提升數(shù)據(jù)處理速度，實現(xiàn)小體積、高帶寬和高速傳輸，滿足高性能人工智能服務(wù)器GPU需求。HBM DRAM產(chǎn)品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的順序開發(fā)。