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小小一顆芯片需要經(jīng)歷哪些加工?

2024/08/22
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晶圓加工是指將由高純度硅制成的圓形硅片(晶圓)進(jìn)行一系列復(fù)雜的工藝處理,以制造出集成電路芯片)的過(guò)程。那么芯片是怎么通過(guò)一系列加工獲得的呢?接下來(lái)小編為大家一一介紹。

晶圓制造

晶圓是指將硅(Si)、砷化鎵(GaAs)等生成的單 晶柱切成薄片的圓盤。大部分晶圓都是由沙子中提取的硅制成的。地球上有大量的硅,可以穩(wěn)定供應(yīng), 并且硅具有無(wú)毒、環(huán)保的特點(diǎn)。具體包括:

制造錠:從沙子中提取硅,經(jīng)過(guò)提純工序,高溫溶解硅原料,制造高純度的硅溶液,并使其結(jié)晶凝固形成硅柱,即錠(Ingot)。

晶圓切割:將硅錠切割成均勻厚度的薄片,形成圓盤狀的晶圓。晶圓的尺寸有150mm(6英寸)、200mm(8英寸)、300mm(12英寸)等。

晶圓表面拋光:對(duì)切割后的晶圓進(jìn)行加工,使其表面光滑如鏡,以消除切割后表面的瑕疵和粗糙度。

晶圓加工

晶圓加工是整個(gè)工藝中成本最高,最復(fù)雜,也是最重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。具體包括:

勻膠:在晶圓表面均勻涂抹一層光刻膠。

光刻:使用光刻機(jī)通過(guò)精確的光線在光刻膠上刻出圖案,使晶圓部分裸露出來(lái)。

沉積:在晶片上沉積薄膜材料以生成電子元件,可以通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)和原子層沉積(ALD)等技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

刻蝕:用等離子體(干法)或化學(xué)溶劑(濕法)刻蝕裸露的晶圓,形成溝槽。

離子注入:在溝槽中注入特定的離子,以改變材料的電學(xué)性質(zhì)。

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP):對(duì)晶圓表面進(jìn)行進(jìn)一步的拋光處理。

金屬化:在晶圓表面沉積金屬層,形成電路的導(dǎo)線部分。

測(cè)試:對(duì)加工后的晶圓進(jìn)行電學(xué)測(cè)試,確保其功能正常。

切割和封裝

芯片的切割和封裝是半導(dǎo)體制造過(guò)程中的兩個(gè)關(guān)鍵步驟,它們確保了芯片能夠被正確地安裝和使用在電子設(shè)備中。

切割:將加工好的晶圓切割成單個(gè)所需尺寸的芯片。這一過(guò)程通常使用精密的切割鋸或激光進(jìn)行,以確保切割的精確性和芯片的完整性。

封裝:封裝是將裸芯片(未封裝的芯片)安裝到一個(gè)保護(hù)性外殼中,以便于在電子設(shè)備中使用。

晶圓加工是一個(gè)高度精密和自動(dòng)化的過(guò)程,涉及多種專用設(shè)備和材料,對(duì)于現(xiàn)代電子設(shè)備的制造至關(guān)重要。每一步都需要嚴(yán)格的控制和精確的工藝,以確保最終產(chǎn)品的性能和質(zhì)量。

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