三星正開發(fā)移動(dòng)HBM，能效提高70%

三星電子正致力于下一代半導(dǎo)體市場(chǎng)，重點(diǎn)開發(fā)被稱為DRAM市場(chǎng)新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有數(shù)據(jù)處理速度快、功耗低的特點(diǎn)，是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產(chǎn)品。它被認(rèn)為是針對(duì)設(shè)備上人工智能市場(chǎng)的未來(lái)技術(shù)，因此被稱為“移動(dòng)HBM（高帶寬內(nèi)存）”。

LLW是一種與移動(dòng)DRAM相比，通過(guò)顯著增加信息輸入和輸出的I/O數(shù)量來(lái)提高數(shù)據(jù)處理速度的存儲(chǔ)器。它是作為緩解處理器和存儲(chǔ)芯片之間速度不匹配造成的數(shù)據(jù)瓶頸的解決方案而出現(xiàn)的。LLW不僅具有比低功耗DRAM LPDDR更高的帶寬的高性能，而且還具有超低延遲和低功耗。當(dāng)靠近處理器放置時(shí)，與常規(guī) DRAM 相比，能效提高約 70%。

HBM用于數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器，但存在難以在移動(dòng)設(shè)備和PC等邊緣設(shè)備中使用的限制。LLW是一款專門針對(duì)設(shè)備端人工智能市場(chǎng)的產(chǎn)品，可用于智能手機(jī)、擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)（XR）、游戲和PC等多種應(yīng)用。這是因?yàn)樗哂羞m合處理設(shè)備實(shí)時(shí)生成的數(shù)據(jù)的特性。這就是為什么專注于開發(fā) XR 設(shè)備的蘋果也在其“Vision Pro”產(chǎn)品中使用 LLW DRAM。

LLW和LPDDR最大的區(qū)別在于是否是“定制內(nèi)存”。LPDDR是通用型產(chǎn)品，一旦量產(chǎn)即可批量使用。另一方面，LLW是一個(gè)定制產(chǎn)品，反映了應(yīng)用程序和客戶的要求。由于LLW與處理器連接的引腳位置不同，因此在批量生產(chǎn)之前需要針對(duì)每個(gè)客戶的產(chǎn)品進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)。

業(yè)界將LLW視為下一代半導(dǎo)體，并正在重點(diǎn)關(guān)注其開發(fā)。但開發(fā)或量產(chǎn)尚未正式確定。沒(méi)有一個(gè)名字像 HBM 那樣廣為人知。據(jù)報(bào)道，三星電子內(nèi)部將其稱為 LLW，SK 海力士將其稱為定制 DRAM。不過(guò)，隨著近期定制化內(nèi)存產(chǎn)品需求的增加以及端側(cè)AI市場(chǎng)的逐漸壯大，人們對(duì)LLW市場(chǎng)的真正開放抱有很高的期望。