明年存儲，令人憂心

作者：豐寧

存儲價格，時漲時落。

在2024年下半年，存儲行業(yè)再度步入下行周期，其價格后續(xù)的發(fā)展態(tài)勢引發(fā)了廣泛關注。至2025年，存儲價格究竟會走向何方？是延續(xù)下行趨勢，還是觸底反彈？

這一系列問題已然成為業(yè)界內(nèi)外聚焦的核心。無論是存儲行業(yè)從業(yè)者、相關產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，還是關注科技領域動態(tài)的普通消費者，均在密切關注2025年存儲價格的走勢。

本文依據(jù)市場當下的發(fā)展情形，綜合部分行業(yè)專家與機構的見解，對2025年存儲行業(yè)的發(fā)展走向予以預測。

?01、上半年，DRAM市況或難反轉價格走勢分析

首先看DRAM的價格走勢，根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange在12月8日的數(shù)據(jù)顯示，截至11月底，通用PC DRAM產(chǎn)品（DDR48Gb1Gx8）的平均固定交易價格為1.35美元，較7月份的2.1美元下跌了35.7%。Kiwoom證券研究員ParkYoo-ak表示：“預計今年年底和明年初DRAM價格將大幅下跌，幅度將超過預期。由于中國內(nèi)存公司以低價銷售產(chǎn)品，DRAM供應增長率將超過需求增長率，這種情況將持續(xù)到明年第二季度。”

具體到產(chǎn)品，目前制程較成熟的DDR4和LPDDR4X產(chǎn)品已開始降價，DDR5和LPDDR5X等先進制程產(chǎn)品的價格目前相對穩(wěn)健。關于2025年存儲芯片的價格預測，TrendForce表示，2025年DRAM價格將轉為下跌，上半年的跌幅較明顯，其中，DDR4和LPDDR4X的降價壓力將持續(xù)大于DDR5與LPDDR5X。

總的來看，TrendForce與Kiwoom的觀點基本一致，都指向了：明年上半年，DRAM市場或許沒有太多好消息。減產(chǎn)還是擴產(chǎn)？再看存儲巨頭的產(chǎn)能與資本開支情況，如今由于消費電子市場復蘇不及預期，包括三星、SK海力士等存儲龍頭開始醞釀減產(chǎn)以應對變化，這其中就包含DRAM產(chǎn)品，不過不同類型的存儲產(chǎn)品相應的減產(chǎn)策略也不同。

和價格走勢相對應，在DRAM產(chǎn)品領域，市場也呈現(xiàn)出一種鮮明的分化態(tài)勢：一方面，DDR4等傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品的生產(chǎn)比重正逐漸縮減，面臨著減產(chǎn)的壓力；另一方面，針對人工智能存儲需求而設計的先進DRAM產(chǎn)品則保持著穩(wěn)步增產(chǎn)的態(tài)勢。

日前，三星設備解決方案（DS）副總裁KimJae-joon表示，公司正下調(diào)通用DRAM與NAND存儲產(chǎn)品的產(chǎn)量，以符合逐漸下滑的市場需求。三星預計將減少以DDR4為主的產(chǎn)能，把部分DDR4產(chǎn)能轉移至DDR5、LPDDR5以及HBM等先進產(chǎn)品的生產(chǎn)上。

SK海力士方面，業(yè)內(nèi)人士透露，SK海力士將降低其DDR4 DRAM芯片產(chǎn)能。今年第三季度SK海力士DDR4的生產(chǎn)比重已從第二季度的40%降至30%，第四季度更計劃進一步降至20%，并將把有限產(chǎn)能轉向人工智能用存儲產(chǎn)品及先進DRAM產(chǎn)品。對此消息，SK海力士并未進行回應。

?02、NAND價格恢復，也要等到明年

下半年價格走勢分析

再看NAND的價格走勢，根據(jù)市場調(diào)研機構DramExchange發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，通用NAND固定價格自去年10月起連續(xù)5個月上漲后，從今年3月開始平穩(wěn)，9月轉為下跌趨勢。

9月至11月，NAND價格環(huán)比分別下降11.44%、29.18%和29.8%，8月時4.9美元的價格已降至2.16美元，今年通用NAND價格已下跌超過50%，跌至2015年8月以來的最低點。TrendForce預計2024年第四季度整體NAND Flash合約價格將下降3-8%。

至于明年的價格走勢想必也不會太樂觀，一方面NAND Flash市場表現(xiàn)不佳，另一方面其獲利能力本不及DRAM，因此明年或許會有部分產(chǎn)品線從NAND Flash轉向DRAM。TrendForce 集邦咨詢研究經(jīng)理敖國鋒預測，2024 年第四季度閃存價格將同比下降 8%，2025 年第一季度會再下降 10%，消費端閃存價格 2025 年下半年有望反彈回升 。

高端NAND閃存市場的表現(xiàn)態(tài)勢要優(yōu)于整體市場的平均水平，這在一定程度上能夠緩解明年第一季度市場所面臨的供應過剩壓力。

在NAND市場，AI驅動的大容量SSD需求成為了市場復蘇的關鍵。2025年，30TB和60TB的高容量SSD因其低能耗和高效的存儲能力，正迅速替代傳統(tǒng)的機械硬盤。這促使NAND供應商更加關注QLC技術，以提高存儲密度并降低成本。

再看產(chǎn)能與投資情況

目前，主要的3D NAND制造商（鎧俠、美光、三星和SK海力士）都在考慮減少非易失性存儲器的產(chǎn)量，并減少對擴建額外閃存容量的投資。三星在最新的財報電話會議中表示，公司無意在第四季度減少NAND產(chǎn)量，但將根據(jù)市場情況靈活調(diào)整。

據(jù)悉，三星電子已逐步開始對中國西安的NAND閃存工廠生產(chǎn)線舊設備進行銷售，預計出售過程將于2025年正式開始，其中大部分是100層3D NAND設備。鎧俠也在計劃減少第四季度的NAND產(chǎn)量，以避免產(chǎn)能過剩問題。不過，鎧俠表示為應對生成性AI浪潮需求，鎧俠將于2025年大規(guī)模生產(chǎn)第八代NAND設備，并準備投產(chǎn)最先進存儲產(chǎn)品。

?03、HBM，一直很火

HBM市場所呈現(xiàn)的景象，則與傳統(tǒng)的DRAM產(chǎn)品截然不同。隨著AI芯片技術的不斷迭代升級，單一芯片所能搭載的HBM容量正顯著增長，2025年HBM的出貨量預計將同比增長70%。TrendForce預期2025年HBM在DRAM市場的滲透率將逐步提升，預估2025年第四季度時，HBM滲透率約達10％，HBM3E顆粒預計占2025年HBM的85％。東興證券研報預估2025年HBM將貢獻10%的DRAM總產(chǎn)出，較2024年增長一倍。

作為一種創(chuàng)新的3D堆疊DRAM技術，它通過將多層DRAM芯片垂直堆疊，使用高帶寬的串行接口與GPU或CPU直接相連，從而提供超過DRAM的帶寬和容量。前文提及的各大存儲巨頭正在積極擴產(chǎn)高端DRAM，也是為應對HBM與DDR5 DRAM的需求。

此外，從HBM產(chǎn)品類型的發(fā)展趨勢來看，未來HBM市場也將發(fā)生顯著變化。比如，由于英偉達自Blackwell GPU開始，新產(chǎn)品會逐步轉往12層HBM3e，明年HBM3e將取代HBM3成主流產(chǎn)品。由于HBM3e平均售價（ASP）大約是傳統(tǒng)DRAM產(chǎn)品的3-5倍，隨著HBM3e產(chǎn)能的持續(xù)擴張，營收貢獻將逐季增長。到2025年，HBM3e仍可能面臨供應緊張的局面。

產(chǎn)能與投資情況

SK海力士和美光都曾表示，2024年HBM產(chǎn)能已經(jīng)全部售罄，2025年產(chǎn)能也已經(jīng)基本分配完成；SK海力士還表示訂單能見度可達2026年一季度。自2024年第二季度開始，就有多家存儲原廠為應對互聯(lián)網(wǎng)巨頭們的急單需求，開始將DDR4產(chǎn)能切換至HBM上。

目前，三星正在逐步升級其在韓國的平澤工廠（P1L、P2L 和 P3L），以便用于DDR5和HBM。同時，華城工廠（13/15/17 號生產(chǎn)線）正在升級到1α工藝，僅保留1y/1z工藝的一小部分產(chǎn)能，以滿足航空航天等特殊行業(yè)的需求。SK海力士以南韓利川市M16產(chǎn)線生產(chǎn)HBM，并著手將M14產(chǎn)線升級為1α/1β制程，以供應 DDR5和HBM產(chǎn)品。

此外，無錫廠目前正積極將制程由1y/1z升級到1z/1α，分別用于生產(chǎn)DDR4及DDR5產(chǎn)品。美光的HBM 前段在日本廣島廠生產(chǎn)，產(chǎn)能預計2024年第四季提升至2.5萬顆；長期將引入EUV 制程（1γ、1δ），并建置全新無塵室。在SK海力士、三星、美光三巨頭的大力推動下，2025年HBM芯片每月總產(chǎn)能為54萬顆，相比較2024年增加27.6萬顆，同比增長105%。

?04、存儲行業(yè)，走上分叉口

盡管自 2024 年第四季度起，存儲行業(yè)再度陷入衰退周期，但綜觀 2024 年全年的整體狀況，存儲市場相較于其他賽道，其表現(xiàn)仍顯得頗為強勁。

根據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）數(shù)據(jù)顯示，2024年半導體市場將強勁增長19%。然而，值得注意的是，這種增長勢頭僅集中于少數(shù)幾個產(chǎn)品線。其中，存儲市場預計將在2024年增長81%，邏輯芯片預計將增長16.9%。相比之下，微型產(chǎn)品線的增長則較為平緩，僅約3.9%，而分立器件、光電器件、傳感器以及模擬器件等領域均將出現(xiàn)下滑。如果剔除存儲器市場，那么在2024年，WSTS對其余半導體市場的預測增長率僅為5.8%。

不夸張的說，2024年的半導體行業(yè)，靠存儲市場強撐。

2024年存儲器的強勁表現(xiàn)也反映在了半導體公司的營收狀況之上。相較與前一年同期，在2024年前三季度，三星存儲和SK海力士的收入分別增長了109%，美光科技增長了78%，鎧俠則增長了54%。

存儲器市場能夠實現(xiàn)如此強勁的增長，主要歸因于AI應用領域對于存儲器需求的持續(xù)攀升。在2024年，存儲器價格呈現(xiàn)上漲趨勢，尤其是DRAM產(chǎn)品。

眾所周知，長期以來，存儲器市場始終是半導體行業(yè)周期性波動的重要加劇因素。

下圖是依據(jù)WSTS數(shù)據(jù)所繪制的圖表，該圖表呈現(xiàn)出了截至2023年半導體市場的年度變化狀況，以及WSTS對2024年的預測情形。

該圖表針對半導體總量、存儲器市場以及剔除存儲器后的半導體市場進行了比較分析?？梢郧逦乜吹?，存儲器市場呈現(xiàn)出極為劇烈的波動，曾有高達102%的增長幅度以及49%的下滑幅度等極端情況出現(xiàn)，而與之形成鮮明對比的是，不包含存儲器的市場則表現(xiàn)得較為平穩(wěn)，其波動區(qū)間處于增長42%至下滑26%之間。

可以看到，在過去的十年歷程中，存儲器市場的變化跨度極大，從2024年高達81%的增長 2023年33%的下滑，反觀不包括存儲器的市場，其變化范圍僅在增長25%至下滑2%之間波動。在過去四十年，每當存儲器市場增長率超過50%時，第二年都會出現(xiàn)增長顯著放緩或下滑。

在2024年之前，這種情況已經(jīng)發(fā)生了六次，其中四次存儲器市場在第二年出現(xiàn)了下滑。另外兩次，市場在第二年雖然保持正增長，但增速明顯放緩，并在達到峰值后的第二年出現(xiàn)下滑。這些趨勢是由大宗商品產(chǎn)品的基本供需關系驅動的。當供不應求時，存儲器價格和產(chǎn)量就會上升。當供過于求時，產(chǎn)量和價格就會下降。因此，該機構預計內(nèi)存市場將在2025年或2026年出現(xiàn)大幅下滑。

?05、業(yè)內(nèi)龍頭，怎么看？

存儲龍頭的動向，也體現(xiàn)出明年存儲行業(yè)的發(fā)展走勢摻雜諸多消極情緒。

近日，三星電子與SK海力士相繼調(diào)整了2024年第四季度的盈利預估，這一動態(tài)緊隨美光科技發(fā)布的悲觀業(yè)績展望之后，共同揭示了整個存儲芯片市場的疲軟現(xiàn)狀。

具體而言，三星電子宣布將本季度的營業(yè)利潤預期從原先的9.77萬億韓元下調(diào)至8.58萬億韓元，減幅超過1萬億韓元。這一調(diào)整主要歸因于智能手機、個人電腦等傳統(tǒng)IT產(chǎn)品市場需求的持續(xù)萎縮，進而影響了其核心DRAM業(yè)務的盈利能力。

與此同時，SK海力士也更新了其業(yè)績預測，盡管環(huán)比實現(xiàn)了10.59%的增長，預計第四季度營業(yè)利潤將達到77742億韓元，但與此前預測的81117億韓元相比，仍下降了4.16%，顯示出市場預期的小幅下調(diào)。

早前，美光科技發(fā)布的2025財年第一財季財報雖然表現(xiàn)尚可，但其對第二財季的業(yè)績展望卻遠低于市場預期，這一消息直接導致公司股價在盤后交易中大幅下跌。如今，三星電子與SK海力士的業(yè)績調(diào)整似乎進一步印證了美光對市場前景的悲觀判斷。

根據(jù)行業(yè)分析機構TrendForce的分析，美光科技在2月份的季度中前景同樣不容樂觀，預計傳統(tǒng)DRAM和NAND的平均售價將在2025年第一季度繼續(xù)下滑。這一預測無疑為整個DRAM行業(yè)的前景蒙上了一層陰影。

綜合上述信息，可以看出，當前存儲芯片市場正面臨著嚴峻的挑戰(zhàn)。未來，如何應對這一市場寒冬，將成為半導體行業(yè)巨頭們亟待解決的問題。