士蘭微+清純宣布聯(lián)手：目標(biāo)8吋、溝槽SiC MOS

1月9日，清純半導(dǎo)體官微消息，他們與士蘭微電子2024年終總結(jié)會(huì)在杭州士蘭微電子股份有限公司順利舉行。士蘭微電子董事長陳向東與清純半導(dǎo)體董事長張清純及雙方研發(fā)、運(yùn)營和產(chǎn)線相關(guān)人員共同出席。

據(jù)介紹，雙方全面回顧了過去一年來在研發(fā)、代工、量產(chǎn)和產(chǎn)業(yè)協(xié)同上的合作情況；面向2025年，雙方將繼續(xù)深化在碳化硅領(lǐng)域的合作，并在會(huì)議上圍繞新品規(guī)劃、產(chǎn)品量產(chǎn)和8寸產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)行了深入探討：

• • 雙方將共同開發(fā)包括

  溝槽型SiC MOSFET

  等新一代碳化硅器件，并推動(dòng)第二代SiC MOSFET的量產(chǎn)爬坡

士蘭微電子將為清純半導(dǎo)體提供充足的產(chǎn)能保障，其正在建設(shè)的8吋碳化硅量產(chǎn)線也將為清純半導(dǎo)體提供獨(dú)家代工服務(wù)。

據(jù)“行家說三代半”此前報(bào)道，士蘭微子公司士蘭集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線目前正在進(jìn)行上部結(jié)構(gòu)施工，預(yù)計(jì)將在2025年一季度封頂，四季度末初步通線，2026年一季度進(jìn)行試生產(chǎn)。

清純半導(dǎo)體與士蘭微電子的合作始于雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域的共同愿景與戰(zhàn)略目標(biāo)——清純半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域擁有完整的產(chǎn)業(yè)鏈布局，實(shí)現(xiàn)了全流程的覆蓋。而士蘭微電子則在碳化硅器件的代工生產(chǎn)方面積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，可依托其國內(nèi)領(lǐng)先的SiC晶圓量產(chǎn)線為清純半導(dǎo)體提供產(chǎn)能保障。

2023年4月，清純半導(dǎo)體宣布完成數(shù)億元A+輪融資，其中士蘭微及其戰(zhàn)略基金參與領(lǐng)投。

士蘭控股總裁陳向明表示：本輪融資標(biāo)志著清純半導(dǎo)體和士蘭微電子戰(zhàn)略合作的全面實(shí)施。期望通過雙方的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，快速推動(dòng)SiC器件的技術(shù)迭代，加速提高SiC功率芯片及模塊的國產(chǎn)替代水平。