特瑞仕開發(fā)了功率MOSFET XPJ101N04N8R 和 XPJ102N09N8R

特瑞仕半導體株式會社（日本東京都中央?yún)^(qū) 董事總經(jīng)理：木村 岳史，以下簡稱“特瑞仕”）開發(fā)了功率 MOSFET XPJ101N04N8R 和 XPJ102N09N8R 作為功率器件的新系列。

近年來，工業(yè)設(shè)備和汽車相關(guān)設(shè)備對低功耗、小型化和高效化的需求不斷增加。為了響應(yīng)這些市場需求，特瑞仕不斷加強 MOSFET 技術(shù)。特別是針對工業(yè)設(shè)備、數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器使用的 48V 直流電機，采用了支持耐壓 100V 的設(shè)計，兼具高性能與高性價比。

XPJ101N04N8R-G 實現(xiàn)了最大 4.4mΩ 的導通電阻，而 XPJ102N09N8R-G 實現(xiàn)了最大 9.4mΩ 的導通電阻。這種低導通電阻能夠有效降低能量損失，有助于提高整個系統(tǒng)的效率。該產(chǎn)品擁有出色的 FOM（Figure of Merit），非常適合需要高速切換特性的應(yīng)用。可用于直流電機、開關(guān)電路等多種應(yīng)用場景。

產(chǎn)品采用 DFN5060-8L 封裝（6.0 x 4.9 x h1.1mm），有助于設(shè)備的小型化。此外，這些產(chǎn)品符合歐盟RoHS 指令，并為無鉛環(huán)保產(chǎn)品。

特瑞仕今后也將根據(jù)市場需求迅速開發(fā)產(chǎn)品，為實現(xiàn)富裕的社會繼續(xù)做出貢獻。

圖 1. DFN5060-8L 封裝(6.0 x 4.9 x h1.1mm)