已流片！SK海力士HBM4計劃6月送樣

據(jù)透露，SK海力士計劃最早在今年6月份向Nvidia出貨HBM4（第六代高帶寬內存）樣品。預計產品供應最早將于第三季度末開始。SK海力士為了搶占下一代HBM市場先機，正加緊準備量產，并將供貨計劃提前至今年下半年。

據(jù)業(yè)內人士1月15日透露，SK海力士已定下目標，將在6月初向客戶供應HBM4的首個客戶樣品（CS）。

HBM4 是垂直堆疊多個 DRAM 的下一代存儲器。目前第五代產品HBM3E已實現(xiàn)商用。HBM4預計最早將于明年下半年開始量產。

HBM4通過集成2048個I/O（輸入/輸出端子），即數(shù)據(jù)傳輸通道，是上一代產品的兩倍，從而最大限度地提高性能。就 Nvidia 而言，原本計劃在 2026 年為下一代高性能 GPU“Rubin”系列配備 12 層堆疊 HBM4，但該公司已將計劃提前，目標是在 20215年下半年推出。

相應地，SK Hynix也正在加速HBM4的開發(fā)。該公司組建了專門的開發(fā)團隊，為 NVIDIA 供應 HBM4，并于去年第四季度完成了 HBM4 的流片。流片是完成在研究實驗室級別進行的半導體設計并將圖紙發(fā)送至制造過程的過程。

隨后，SK海力士也將向客戶發(fā)送HBM4樣品的時間表從今年下半年提前到6月份。據(jù)報道，該樣品是用于批量生產并供應給客戶之前認證的客戶樣品。其重要意義在于，它標志著 HBM4 量產的最后階段。

一位知情人士表示，“Nvidia 似乎也有比預期更強烈的意愿提前推出 Rubin，甚至將試產時間推遲到今年下半年，為此，SK海力士等內存公司也在爭取盡早供應樣品。最早可能在第三季度，將在今年年底前就能供應產品?！?/p>

預計HBM4將成為各大存儲器廠商在下一代高附加值存儲器市場的戰(zhàn)場。

三星電子計劃在HBM4搭載的DRAM中安裝1c（第6代10nm級DRAM）。這被解讀為一種在性能上實現(xiàn)差異化的策略，其DRAM比基于1b DRAM的競爭對手SK Hynix和Micron領先一代。

美光近日還在2025財年第一季度（2024年9月至11月）財報中宣布，“計劃于2026年開始全面量產HBM4”。