芯耀
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全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電最新財(cái)報(bào)亮眼。根據(jù)2025年1月16日公布的數(shù)據(jù)，2024年第四季，臺(tái)積電合并營(yíng)收達(dá)到新臺(tái)幣8684.61億元，較上年同期的6255.29億元新臺(tái)幣增長(zhǎng)了38.8%，較前一季度的新臺(tái)幣7596.92億元增長(zhǎng)了14.3%。這一營(yíng)收數(shù)據(jù)不僅大幅超出了市場(chǎng)預(yù)期的8547億新臺(tái)幣，還創(chuàng)下了歷史新高，進(jìn)一步鞏固了其在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
若以美元計(jì)算，臺(tái)積電2024年第四季營(yíng)收為268.8億美元，較去年同期增加了37.0%，較前一季增加了14.4%。2024年第四季毛利率為59.0%，營(yíng)業(yè)利益率為49.0%，稅后純益率則為43.1%。
高性能計(jì)算與先進(jìn)制程助力臺(tái)積電業(yè)績(jī)上升
收入來(lái)源方面，臺(tái)積電2024年第四季度高性能計(jì)算（HPC）業(yè)務(wù)，尤其是GPU領(lǐng)域，貢獻(xiàn)了53%的營(yíng)收，相較去年同期的43%顯著增長(zhǎng)。智能手機(jī)業(yè)務(wù)雖然貢獻(xiàn)了35%的營(yíng)收，占比有所下降，但依然是臺(tái)積電的重要收入來(lái)源之一。
在制程工藝方面，2024年第四季度，3nm制程出貨占公司整體晶圓銷售金額的26%，盡管目前不是最主要的收入來(lái)源，但作為臺(tái)積電最新的技術(shù)平臺(tái)，3nm制程的出貨量展示了其巨大潛力，未來(lái)有望成為推動(dòng)公司營(yíng)收增長(zhǎng)的重要?jiǎng)恿Α?nm制程則占比34%，繼續(xù)保持強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求，成為臺(tái)積電的營(yíng)收中流砥柱，廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算等領(lǐng)域。臺(tái)積電的7nm制程占比為14%，與更先進(jìn)的制程技術(shù)共同推動(dòng)公司整體營(yíng)收的增長(zhǎng)。總體來(lái)看，7nm及更先進(jìn)制程所帶來(lái)的營(yíng)收占比達(dá)74%，充分展示了臺(tái)積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。
臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)黃仁昭表示，2024年第四季度的業(yè)績(jī)受益于3nm與5nm技術(shù)的強(qiáng)勁需求，尤其是在AI和高性能計(jì)算領(lǐng)域。展望2025年第一季度，臺(tái)積電預(yù)計(jì)業(yè)績(jī)將受到智能手機(jī)季節(jié)性需求波動(dòng)的影響，但AI相關(guān)業(yè)務(wù)的持續(xù)增長(zhǎng)有望部分抵消這一影響。根據(jù)公司目前的業(yè)務(wù)狀況，2025年第一季度的合并營(yíng)收預(yù)計(jì)將在250億美元到258億美元之間，毛利率預(yù)計(jì)為57%到59%，營(yíng)業(yè)利益率為46.5%到48.5%。
此外，臺(tái)積電還透露，2025年的資本支出預(yù)計(jì)將在380億美元至420億美元之間，遠(yuǎn)超2024年的支出，預(yù)計(jì)將成為公司歷史上的最高水平。此舉顯示出臺(tái)積電將繼續(xù)加大對(duì)先進(jìn)制造技術(shù)和產(chǎn)能擴(kuò)張的投入，以鞏固其在全球半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
晶圓代工大廠，再出新招
全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，在2024年第三季度的全球晶圓代工領(lǐng)域，臺(tái)積電以64.9%的市占率一騎絕塵，穩(wěn)居榜首；三星則以9.3%的份額緊隨其后，位列第二；中芯國(guó)際、聯(lián)電、格芯等企業(yè)也在競(jìng)爭(zhēng)格局中占據(jù)一席之地。
近期，晶圓代工行業(yè)的兩大巨頭——三星和臺(tái)積電，均有新動(dòng)態(tài)傳出。
先看臺(tái)積電，路透社此前發(fā)布消息，臺(tái)積電已在美國(guó)亞利桑那州工廠開(kāi)啟先進(jìn)4nm芯片的大規(guī)模生產(chǎn)，這標(biāo)志著臺(tái)積電首次在美國(guó)本土實(shí)現(xiàn)先進(jìn)芯片量產(chǎn)。目前，臺(tái)積電在亞利桑那州布局了兩座晶圓廠。
其中，第一座晶圓廠預(yù)計(jì)在2025年上半年投入4nm制程技術(shù)生產(chǎn)；第二座晶圓廠計(jì)劃于2028年開(kāi)始采用2nm制程技術(shù)進(jìn)行芯片制造。值得一提的是，2024年4月，臺(tái)積電宣布將在亞利桑那州新建第三座晶圓廠，投資總額高達(dá)650億美元，預(yù)計(jì)2030年這座新廠將采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。
再看三星，據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子位于美國(guó)得克薩斯州泰勒市的半導(dǎo)體芯片工廠正穩(wěn)步推進(jìn)建設(shè)，計(jì)劃于2026年開(kāi)啟大規(guī)模芯片生產(chǎn)，目標(biāo)直指與臺(tái)積電展開(kāi)激烈競(jìng)爭(zhēng)。該工廠聚焦于2納米和3納米工藝芯片的制造，計(jì)劃在2026年初完成所有必要設(shè)備的引入，并在當(dāng)年年底前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
在技術(shù)路線上，三星將在2納米和3納米芯片生產(chǎn)中采用環(huán)繞柵極（GAA）技術(shù)。而臺(tái)積電則計(jì)劃在3納米制程節(jié)點(diǎn)采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)，在2納米制程時(shí)引入環(huán)繞柵極技術(shù)。
三星電子在聲明中強(qiáng)調(diào)，泰勒市的投資項(xiàng)目是其全球半導(dǎo)體制造戰(zhàn)略的關(guān)鍵一環(huán)?；仡櫲谴饲疤岢龅摹?030愿景”計(jì)劃，其目標(biāo)是在2030年登頂全球半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域。此次在美國(guó)得州建廠并計(jì)劃2026年大規(guī)模生產(chǎn)芯片的舉措，無(wú)疑將為半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)革新和市場(chǎng)格局重塑增添新的變量。
臺(tái)積電和三星的戰(zhàn)略布局無(wú)疑將為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)格局帶來(lái)深遠(yuǎn)影響。業(yè)界認(rèn)為，隨著臺(tái)積電、三星的新工廠建設(shè)，未來(lái)的晶圓代工行業(yè)將更加競(jìng)爭(zhēng)激烈，技術(shù)的不斷進(jìn)步和投資的加大，將推動(dòng)整個(gè)行業(yè)向著更高水平發(fā)展。
