成本降低30%！低溫銀燒結(jié)技術(shù)加速SiC器件規(guī)?；瘧?yīng)用

▲銀燒結(jié)互連示意圖

▲釬焊與銀燒結(jié)工藝對(duì)比

· 高效散熱：優(yōu)化單面散熱設(shè)計(jì)，熱阻降低至0.1℃/W（傳統(tǒng)焊料>0.3℃/W）。

· 抗疲勞性：彈性模量低，抵御熱循環(huán)應(yīng)力，壽命比傳統(tǒng)焊料延長(zhǎng)5倍以上。

· 銀膏固化：梯度預(yù)熱工藝去除溶劑，抑制氣泡生成，提升結(jié)構(gòu)致密性。

· 芯片貼裝：±10μm精度滿足高密度封裝需求，適配高頻、高壓場(chǎng)景。

· 加壓燒結(jié)：通過低溫和壓力輔助燒結(jié)，孔隙率<3%，支持雙面散熱設(shè)計(jì)。

▲銀燒結(jié)技術(shù)工藝流程

· 銀銅復(fù)合結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：芯片底部通過銀燒結(jié)（高導(dǎo)熱）、頂部銅片燒結(jié)（低成本高載流）與銅線鍵合（大電流互聯(lián)）的復(fù)合設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)SiC模塊的超高熱-電-機(jī)械性能平衡。

▲SiC模塊剖面圖

· 解決方案：采用ASC800N1200DCS12模塊（1200V/800A），通過銀燒結(jié)連接實(shí)現(xiàn)。

1. 熱阻降低至0.1℃/W以下，支持150℃結(jié)溫下連續(xù)工作；
2. 功率循環(huán)壽命>5萬次（ASC800N1700DCS12 過了30萬次秒級(jí)功率循環(huán)）；
3. 某車企實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)：逆變器效率提升至98.5%，續(xù)航增加8%。

▲ASC800N1200DCS12產(chǎn)品介紹

· 解決方案：采用ASC600N1700ME3模塊（1700V/600A），結(jié)合銀燒結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

1. -40℃~150℃溫差下，5000次熱循環(huán)后電阻變化<1%；
2. 某工廠應(yīng)用案例：

   能耗降低12%，年維護(hù)成本減少30%。

▲ASC600N1700ME3產(chǎn)品介紹

· 解決方案：采用ASC600N1200MD3模塊（1200V/600A），通過銀燒結(jié)技術(shù)實(shí)現(xiàn)。

1. 器件減重20%，滿足NASA減重標(biāo)準(zhǔn)；
2. 通過MIL-STD-810G振動(dòng)測(cè)試，200℃真空環(huán)境下壽命超10萬小時(shí)。

▲ASC600N1200MD3產(chǎn)品介紹

未來，銀燒結(jié)技術(shù)將朝兩個(gè)方向迭代：

· 材料創(chuàng)新：通過納米銀顆粒的尺寸優(yōu)化，提高界面致密性降低熱阻，同時(shí)可兼容更敏感的芯片材料；進(jìn)一步降低燒結(jié)溫度至180℃，降低熱應(yīng)力，保護(hù)芯片。

· 成本控制：開發(fā)微米級(jí)銀膏規(guī)模化生產(chǎn)工藝，推動(dòng)成本降低30%以上，拓展至光伏逆變器、5G基站等民用領(lǐng)域。